logo
Thuis Producten

Sic Substraat

Ik ben online Chatten Nu

Sic Substraat

(137)
break 8 inch SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type P/D/R Grade Mohs.9 Meerdere toepassingen Aanpassing fabriek

8 inch SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type P/D/R Grade Mohs.9 Meerdere toepassingen Aanpassing

8 inch SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type P/D/R Grade Mohs.9 Meerdere toepassingen Aanpassing Inleiding van het product SiC, ook wel siliciumcarbide genoemd, is een verbinding die wordt gevormd door de ... Lees meer
2025-02-07 15:10:22
break 4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade fabriek

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Productbeschrijving: 4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat vaak wordt gebruikt ... Lees meer
2025-01-24 15:29:41
break Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics fabriek

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Productbeschrijving: Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat vaak wordt gebruikt in ... Lees meer
2025-01-24 15:04:24
break 2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade fabriek

2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade

Productbeschrijving: 2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade Siliciumcarbide (SiC), ook wel siliciumcarbide genoemd, is een verbinding die wordt ... Lees meer
2025-01-24 14:50:41
break 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade fabriek

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Productbeschrijving: 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) is een breedbandgap halfgeleidermateriaal met ... Lees meer
2025-01-24 14:33:00
break Sic 3C-N Type Grootte Bewerkingsleidend Type voor radarsystemen Nul MPD Productieklasse fabriek

Sic 3C-N Type Grootte Bewerkingsleidend Type voor radarsystemen Nul MPD Productieklasse

Productbeschrijving Sic 3C-N Type Grootte Bewerkingsgeleider Type voor radarsystemen Nul MPD Productieklasse 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) is een breedbandsemiconductormateriaal met goede elektrische en ... Lees meer
2025-01-24 13:46:57
break Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips fabriek

Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips

Productbeschrijving Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips Een siliciumcarbidechip is een halfgeleiderapparaat gemaakt van siliciumcarbid... Lees meer
2025-01-24 13:18:58
break 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit fabriek

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Productbeschrijving: 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat ... Lees meer
2025-01-24 11:11:23
break 2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm fabriek

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm Inleiding van het product Het 4H-n-type Silicon Carbide (SiC) enkelkristallijnsubstraat is een kritisch halfgeleidermateriaal dat veel ... Lees meer
2024-12-05 15:52:17
break 3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent fabriek

3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent

3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent Over HPSI HPSI SiC-wafer is een geavanceerd halfgeleidermateriaal dat veel wordt gebruikt in elektronisch... Lees meer
2024-12-05 11:57:00
Page 5 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|