logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis Producten

Sic Substraat

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Beste Producten
Undoped transparante het kristal Optische Lens van het siliciumcarbide sic met hardheid 9,2

Undoped transparante het kristal Optische Lens van het siliciumcarbide sic met hardheid 9,2

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

PROEF Eerste het carbide sic Wafeltje 0.5mm van het rang6inch Silicium 0.35mm DSP 4H-N/semi Diktesubstraten

PROEF Eerste het carbide sic Wafeltje 0.5mm van het rang6inch Silicium 0.35mm DSP 4H-N/semi Diktesubstraten

Ik ben online Chatten Nu
break 6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten verdeler
6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Sic Substraat

(139)
break 2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm fabriek

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm
Contact

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm Inleiding van het product Het 4H-n-type Silicon Carbide (SiC) enkelkristallijnsubstraat is een kritisch halfgeleidermateriaal dat veel ... Lees meer
2024-12-05 15:52:17
break 3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent fabriek

3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent
Contact

3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent Over HPSI HPSI SiC-wafer is een geavanceerd halfgeleidermateriaal dat veel wordt gebruikt in elektronisch... Lees meer
2024-12-05 11:57:00
break 2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit fabriek

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit
Contact

Productbeschrijving: 2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) is een breedbandsemiconductormateriaal ... Lees meer
2024-10-11 10:35:00
break SiC-zaadwafer 6 inch 8 inch 4H-N Type Productiekwaliteit Dummy-kwaliteit Voor SiC-wafergroei fabriek

SiC-zaadwafer 6 inch 8 inch 4H-N Type Productiekwaliteit Dummy-kwaliteit Voor SiC-wafergroei
Contact

SiC zaad wafer 6 inch 8 inch 4H-N type productie kwaliteit Dummy kwaliteit voor SiC wafer groei 6 inch 8 inch SiC zaad wafer abstract SiC-zaadwafels spelen een cruciale rol bij de groei van siliciumcarbide (SiC... Lees meer
2024-10-11 10:35:00
break Siliciumcarbide Seed wafer type 4H Dia 157±0,5 mm dikte 500±50um monokristalliek oppervlak > 153 mm fabriek

Siliciumcarbide Seed wafer type 4H Dia 157±0,5 mm dikte 500±50um monokristalliek oppervlak > 153 mm
Contact

Siliciumcarbide Seed wafer type 4H Dia 157±0,5 mm dikte 500±50um monokristalliek oppervlak > 153 mm 4H Silicon Carbide Seed's abstract Op het gebied van de kristalgroei van siliciumcarbide (SiC) zijn productieg... Lees meer
2024-10-11 10:35:00
break SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei fabriek

SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei
Contact

SiC zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H type productieklasse voor siliconcarbide kristal groei Abstract van SiC zaad wafer SiC-zaadplaten zijn van cruciaal belang bij de productie van hoogwaardige siliciumcarbi... Lees meer
2024-10-11 10:35:00
break 2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade fabriek

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade
Contact

Productbeschrijving: 2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat vaak ... Lees meer
2024-10-11 10:35:00
break 6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit fabriek

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit
Contact

Productbeschrijving: 6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit Semi-isolatieve siliconcarbide (SiC) composiet substraat ... Lees meer
2024-10-11 10:33:11
break 5*5mm/10*10mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type fabriek

5*5mm/10*10mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type
Contact

Productbeschrijving: 5*5mm/10*10mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) is een breedbandsemiconductormateriaal met goede elektrische en thermische eigenschappen, vooral ... Lees meer
2024-10-11 10:33:11
break Silicon Carbide Wafer 6 inch Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Pak voor communicatie radar systemen fabriek

Silicon Carbide Wafer 6 inch Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Pak voor communicatie radar systemen
Contact

Productbeschrijving: Silicon Carbide Wafer 6 inch Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Pak voor communicatie radar systemen 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) is een breedbandsemiconductormateriaal met goede ... Lees meer
2024-10-11 10:33:11
Page 6 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.