Productbeschrijving: Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat 4H-P Type Off As: 4,0° naar nul 4H-P siliciumcarbide (SiC) -substraat is een hoogwaardig halfgeleidermateriaal met een unieke zeshoekige roosterstructuur... Lees meer
12 inch Sic wafer beschrijving 12 inch Sic wafer siliciumcarbide 4H-N type productie kwaliteit dummy kwaliteit grote grootte Een 12-inch siliciumcarbide (SiC) substraat is een groot substraatmateriaal dat wordt ... Lees meer
Productbeschrijving: 12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie Het 12 inch siliconcarbide substraat is een belangrijke ... Lees meer
2/4/6/8 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H 6H 3C Type Ondersteuning Aanpassen Halfrondindustrie Meerdere maten Productbeschrijving Siliciumcarbide-substraat is een samengesteld halfgeleider enkelkristallisch ... Lees meer
6 inch 8 inch Wafer Carrier Semi Standard FOSB POD FOUP RSP 25-Pieces 1-Piece Praktische toepassingshoes Inleiding van het product De waferbox beschermt, translaadt en slaat 6/8 inch wafers op om veiligheid te ... Lees meer
8 inch SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type P/D/R Grade Mohs.9 Meerdere toepassingen Aanpassing Inleiding van het product SiC, ook wel siliciumcarbide genoemd, is een verbinding die wordt gevormd door de ... Lees meer
Productbeschrijving: 4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat vaak wordt gebruikt ... Lees meer
Productbeschrijving: Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics 4H-P siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat vaak wordt gebruikt in ... Lees meer
Productbeschrijving: 2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade Siliciumcarbide (SiC), ook wel siliciumcarbide genoemd, is een verbinding die wordt ... Lees meer
Productbeschrijving: 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) is een breedbandgap halfgeleidermateriaal met ... Lees meer