

huis

ongeveer de v.s.

Bedrijfprofiel

fabrieksreis

kwaliteitscontrole

FAQ

producten

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

oplossingen

bloggen

contacteer ons

Het winkelen

citaat

Goede prijs online

Sic Substraat

Huis PRODUCTEN Sic Substraat Producten online

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

eric406337393

Contact opnemen

Sic Substraat

Goede prijs 4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade online

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

Goede prijs Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics online

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade online

2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade online

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

Goede prijs Sic 3C-N Type Grootte Bewerkingsleidend Type voor radarsystemen Nul MPD Productieklasse online

Sic 3C-N Type Grootte Bewerkingsleidend Type voor radarsystemen Nul MPD Productieklasse

Krijg Beste Prijs

Goede prijs Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips online

Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit online

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm online

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent online

3 inch HPSI Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit online

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit

Krijg Beste Prijs

Goede prijs SiC-zaadwafer 6 inch 8 inch 4H-N Type Productiekwaliteit Dummy-kwaliteit Voor SiC-wafergroei online

SiC-zaadwafer 6 inch 8 inch 4H-N Type Productiekwaliteit Dummy-kwaliteit Voor SiC-wafergroei

Krijg Beste Prijs

Goede prijs Siliciumcarbide Seed wafer type 4H Dia 157±0,5 mm dikte 500±50um monokristalliek oppervlak > 153 mm online

Siliciumcarbide Seed wafer type 4H Dia 157±0,5 mm dikte 500±50um monokristalliek oppervlak > 153 mm

Krijg Beste Prijs

Goede prijs SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei online

SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade online

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit online

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Goede prijs 5*5mm/10*10mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type online

55mm/1010mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7 8