logo
Thuis Producten

Sic Substraat

Ik ben online Chatten Nu

Sic Substraat

(137)
break Hoogtemperatuurbestendig SiC-steunplaat/steunplaat voor waferdragers fabriek

Hoogtemperatuurbestendig SiC-steunplaat/steunplaat voor waferdragers

SiC-steunplaat / steunplaat Hoogtemperatuurbestendig SiC-steunplaat/steunplaat voor waferdragers Silicon Carbide (SiC) Backing Plates / Support Plates zijn hoogwaardige keramische componenten die veel worden ... Lees meer
2025-05-26 11:36:35
break SiC multi-wafer dragerplaat Drukloos gesinterd siliciumcarbide voor wafer drager fabriek

SiC multi-wafer dragerplaat Drukloos gesinterd siliciumcarbide voor wafer drager

Samenvatting vanSiC-bak SiC multi-wafer dragerplaat Drukloos gesinterd siliciumcarbide voor wafer drager Kerncompetitiviteit van de ZMSH: Als wereldwijd toonaangevende leverancier van siliconcarbide (SiC) ... Lees meer
2025-05-26 11:36:35
break 6 inch 4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat Dia 150mm Dikte 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade fabriek

6 inch 4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat Dia 150mm Dikte 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

SiC-wafer, Silicon Carbide Wafer, SiC-substraat, Silicon Carbide Substraat, P-klasse, D-klasse, 2 inch SiC, 4 inch SiC, 6 inch SiC, 8 inch SiC, 12 inch SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, HPSI-type Karakter van 4H-N SiC ... Lees meer
2025-05-16 16:00:35
break Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05 fabriek

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

Samenvatting vanSic optische lens Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05 ZMSH biedt hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) optische lenzen met een standaardgrootte van ... Lees meer
2025-05-09 17:38:20
break 4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade fabriek

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade Productbeschrijving 4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime ... Lees meer
2025-04-29 14:01:02
break 12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen fabriek

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen Inleiding van het product SiC, ook wel siliciumcarbide genoemd, is een verbinding die wordt gevormd door het ... Lees meer
2025-03-21 11:03:41
break 12 inch Diameter 300mm SIC Substraat Epitaxiale Gepolijste Wafer Siliciumcarbide Ingot Prime Grade 4H-N Type geleidende zonne-energie fotovoltaïsche fabriek

12 inch Diameter 300mm SIC Substraat Epitaxiale Gepolijste Wafer Siliciumcarbide Ingot Prime Grade 4H-N Type geleidende zonne-energie fotovoltaïsche

12 inch Diameter 300 mm SIC Substraat Epitaxiale gepolijste wafer Siliciumcarbide Ingot Prime Grade 4H Type Leidende zonne-energie Photovoltaic Inleiding van het product 12 inch SiC-substraat is een grote ... Lees meer
2025-03-21 11:00:23
break 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Silicon Carbide wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade High Hardness Halveringsmaterialen fabriek

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Silicon Carbide wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade High Hardness Halveringsmaterialen

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Silicon Carbide wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade High Hardness Halveringsmaterialen Over SiC-wafer. Siliciumcarbide-wafers zijn een soort breedbandgap halfgeleidermater... Lees meer
2025-03-21 10:57:34
break Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen fabriek

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Productbeschrijving: Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen 4H-P-type siliciumcarbide substraat is een halfgeleidermateriaal met een ... Lees meer
2025-03-19 22:46:23
break 2 inch 4H-N Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 350um 500um SiC wafer Prime Grade Dummy Grade fabriek

2 inch 4H-N Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 350um 500um SiC wafer Prime Grade Dummy Grade

SiC-wafer, Silicon Carbide Wafer, SiC-substraat, Silicon Carbide Substraat, P-klasse, D-klasse, 2 inch SiC, 4 inch SiC, 6 inch SiC, 8 inch SiC, 12 inch SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, HPSI-type Ongeveer 4H-N SiC - ... Lees meer
2025-03-19 22:46:22
Page 3 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|