logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis Producten

Het Wafeltje van het indiumfosfide

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Ik ben online Chatten Nu
break Koperen warmtebak Substraat platte bodem pin type hoogvermogen elektronisch apparaat Cu≥99.9% verdeler
Koperen warmtebak Substraat platte bodem pin type hoogvermogen elektronisch apparaat Cu≥99.9%

Het Wafeltje van het indiumfosfide

(34)
break Koperen warmtebak Substraat platte bodem pin type hoogvermogen elektronisch apparaat Cu≥99.9% fabriek

Koperen warmtebak Substraat platte bodem pin type hoogvermogen elektronisch apparaat Cu≥99.9%
Contact

Samenvatting van cbovenwarmteafzuigingssubstraat Koperen warmtebak Substraat platte bodem pin type hoogvermogen elektronisch apparaat Cu≥99.9% Koperwarmtebaksubstraat is een warmteafvoerend element gemaakt van ... Lees meer
2025-04-14 17:37:13
break InAs Indium Arsenide2inch 3inch 4inch Single Crystal Substrate N/P Type Halfronderaar Waferdikte 300-800um fabriek

InAs Indium Arsenide2inch 3inch 4inch Single Crystal Substrate N/P Type Halfronderaar Waferdikte 300-800um
Contact

Productbeschrijving InAs Indium Arsenide2inch 3inch 4inch Single Crystal Substrate N/P Type Halfronderaar Waferdikte 300-800um Indium InAs of indium arsenide monolithisch is een halfgeleider samengesteld uit ... Lees meer
2024-12-05 11:57:01
break Germanium Substraat GE Platte ramen Optische lenzen Thermische beeldvorming Toepassingen En Infrarood spectroscopie Hoge hardheid fabriek

Germanium Substraat GE Platte ramen Optische lenzen Thermische beeldvorming Toepassingen En Infrarood spectroscopie Hoge hardheid
Contact

Productbeschrijving Germaniumsubstraat GE Platte ramen Optische lenzen Thermische beeldvorming Toepassingen en infrarood spectroscopie Hoge hardheid Germaniumvenster (Ge) is een chemisch inert materiaal met een ... Lees meer
2024-11-18 10:47:17
break Ge-Germanium Wafer Halfgeleider Substraten <111> Concentrerende fotovoltaïsche CPV maatvormen fabriek

Ge-Germanium Wafer Halfgeleider Substraten <111> Concentrerende fotovoltaïsche CPV maatvormen
Contact

Productbeschrijving Ge germanium wafer halfgeleidersubstraten < 111> concentrerende fotovoltaïsche CPV maatvormen Germanium heeft goede halfgeleider eigenschappen.en pentavalente elementenDe methode is ... Lees meer
2024-11-18 10:47:17
break Magnesiumoxide zuiverheid 95% MgO Filmsubstraat 5x5 10x10 20x20 Dikte 0,5 mm 1,0 mm Oriëntatie &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; fabriek

Magnesiumoxide zuiverheid 95% MgO Filmsubstraat 5x5 10x10 20x20 Dikte 0,5 mm 1,0 mm Oriëntatie <001> <110> <111>
Contact

Magnesiumoxide zuiverheid 95% MgO-filmsubstraat 5x5 10x10 20x20 dikte 0,5 mm 1,0 mm oriëntatie Productbeschrijving: Magnesiumoxide (MgO) enkelkristal van dunne film is een hoogwaardig substraatmateriaal met ... Lees meer
2024-11-18 10:47:16
break InP Laser Epitaxiale Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxiale Wafer Voor Intelligente Sensing fabriek

InP Laser Epitaxiale Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxiale Wafer Voor Intelligente Sensing
Contact

2 inch semi-isolatieve Indiumfosfide InP epitaxiale wafer voor LD laserdiode, halfgeleider epitaxiale wafer, 3 inch InP wafer, enkelkristallijn wafer 2 inch 3 inch 4 inch InP substraten voor LD toepassing... Lees meer
2024-09-10 15:33:01
break InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Dikte 500um &lt;100&gt; Op maat fabriek

InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Dikte 500um <100> Op maat
Contact

2 inch Indium Arsenide Wafer InAs Epitaxiale Wafer voor LD Laser Diode, halfgeleider epitaxiale wafer, 3 inch InAs-Zn wafer,InAs-Zn-substraten voor LD-toepassingen, halfgeleiderwafer, Indium Arsenide Laser ... Lees meer
2024-09-10 15:33:00
break DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor fabriek

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor
Contact

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor DFB wafer N-InP substraat epiwafer's brief Een Distributed Feedback (DFB) -wafer op een n-type Indiumfosfide (N-InP) ... Lees meer
2024-09-10 15:33:00
break DFB Epiwafer InP Substraat MOCVD-methode 2 4 6 inch Operatiegolflengte 1,3 μm, 1,55 μm fabriek

DFB Epiwafer InP Substraat MOCVD-methode 2 4 6 inch Operatiegolflengte 1,3 μm, 1,55 μm
Contact

DFB Epiwafer InP substraat MOCVD methode 2 4 6 inch Bedieningsgolflengte: 1,3 μm, 1,55 μm DFB Epiwafer InP substraat's Brief DFB (Distributed Feedback) Epiwafers op Indiumfosfide (InP) -substraten zijn ... Lees meer
2024-09-10 15:33:00
break FP Epiwafer InP Substraat contactlaag InGaAsP Dia 2 3 4 inch Voor OCT 1.3um golflengteband fabriek

FP Epiwafer InP Substraat contactlaag InGaAsP Dia 2 3 4 inch Voor OCT 1.3um golflengteband
Contact

FP epiwafer InP substraat contactlaag InGaAsP Dia 2 3 4 inch voor OCT 1,3um golflengteband FP epiwafer InP substraat's brief Fabry-Perot (FP) epiwafers op Indiumfosfide (InP) -substraten zijn essentiële ... Lees meer
2024-09-10 15:33:00
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|
Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.