logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis Producten

Sic Substraat

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Beste Producten
Undoped transparante het kristal Optische Lens van het siliciumcarbide sic met hardheid 9,2

Undoped transparante het kristal Optische Lens van het siliciumcarbide sic met hardheid 9,2

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

PROEF Eerste het carbide sic Wafeltje 0.5mm van het rang6inch Silicium 0.35mm DSP 4H-N/semi Diktesubstraten

PROEF Eerste het carbide sic Wafeltje 0.5mm van het rang6inch Silicium 0.35mm DSP 4H-N/semi Diktesubstraten

Ik ben online Chatten Nu
break 4 inch 6 inch 8 inch SICOI wafer 4H-SiC op isolator 100 tot 150 mm sic film OP silicium verdeler
4 inch 6 inch 8 inch SICOI wafer 4H-SiC op isolator 100 tot 150 mm sic film OP silicium

Sic Substraat

(137)
break 6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie fabriek

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie
Contact

Technische samenvatting van 6 inch SiC epitaxiale wafer 6 inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm N type P type voor 5G communicatie Als kernmateriaal voor de productie van krachttoestellen van siliciumcarbide ... Lees meer
2025-07-07 09:23:01
break 4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade fabriek

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade
Contact

1. Kerncompetenties​​ · ​​Volledige dekking​​: 2–12-inch SiC-substraten/epitaxiale wafers, inclusief 4H/6H-N, HPSI, SEMI en 3C-N polytypen. · ​​Maatwerkfabricage​​: Op maat snijden (doorlopende gaten, sectoren)... Lees meer
2025-07-01 13:16:40
break 2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren fabriek

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren
Contact

2 inch SiC epitaxiale wafer 4H overzicht 2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer voor hoge temperatuur sensoren ZMSH is een wereldwijd toonaangevende leverancier van siliconcarbide halfgeleiderm... Lees meer
2025-07-01 13:16:40
break Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade fabriek

Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade
Contact

4H-N 2/3/4/6/8/12 Inch Silicon Carbide (SiC) Substraat Prime/Dummy/Research Grade Deze productreeks biedt hoogzuivere siliciumcarbide (SiC) -substraten in meerdere diameters (2", 3", 4", 6", 8" en 12"), ... Lees meer
2025-06-17 13:40:54
break HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research" fabriek

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"
Contact

HPSI Hoge zuiverheid semi-isolatieve SiC-wafers HPSI (High Purity Semi-Isolating) Silicon Carbide (SiC) wafers zijn geavanceerde halfgeleider substraten ontworpen voor high-frequency, high-power en high... Lees meer
2025-06-17 13:32:22
break 4 inch 6 inch 8 inch 4H-SiCOI Wafers Samengestelde SiC op Isolator Substraten fabriek

4 inch 6 inch 8 inch 4H-SiCOI Wafers Samengestelde SiC op Isolator Substraten
Contact

Samenvatting vanSiCOI-wafers 4 inch 6 inch 8 inch 4H-SiCOI Wafers Samengestelde SiC op Isolator Substraten SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers zijn een geavanceerde composiet substraattechnologie die ... Lees meer
2025-06-10 17:24:22
break SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei fabriek

SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei
Contact

Samenvatting vanSiC-zaadwafel SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei Silicon Carbide (SiC) Seed Crystal Wafers zijn de basismaterialen voor de groei van SiC-eenkristallen en de ... Lees meer
2025-05-26 11:39:21
break SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's fabriek

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's
Contact

Samenvatting vanSiC-zaadwafels SiC zaad wafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch op maat Gebruikt voor de productie van MOSFET's Siliciumcarbide (SiC) zaadkristallen wafers dienen als fundamentele materialen ... Lees meer
2025-05-26 11:39:21
break Aanpassing van de Sic Ceramics Carrier End Effector voor Wafer Handling fabriek

Aanpassing van de Sic Ceramics Carrier End Effector voor Wafer Handling
Contact

Samenvatting vanEindeffector voor waferbehandeling Gepersonaliseerde Sic Ceramics drager End Effector voor Wafer Handling De waferbehandelings-eindeffector, vervaardigd met ultra-precieze bewerkingstechnologie... Lees meer
2025-05-26 11:36:35
break Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers fabriek

Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers
Contact

Samenvatting van SiC-dragerplaat Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers De SiC Carrier Plate (Silicon Carbide Carrier Plate) is een hoogwaardig keramisch onderdeel dat ... Lees meer
2025-05-26 11:36:35
Page 2 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.