4 inch 6 inch 8 inch 4H-SiCOI Wafers Samengestelde SiC op Isolator Substraten
SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers zijn een geavanceerde composiet substraattechnologie die is vervaardigd door middel van Smart CutTM- of Bonding & Thinning-processen. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Smart CutTM-proces: maakt gebruik van waterstof-ionimplantatie, laagtemperatuurbinding en precieze exfoliatie om ultradunne SiC-lagen (50nm-20μm) te bereiken met een uniformiteit van de dikte van ±20nm,ideaal voor hoge frequentie, apparaten met een laag verlies. Grinding+CMP-proces: Geschikt voor dikkere filmvereisten (200 nm tot aangepaste diktes) met ±100 nm uniformiteit, wat kostenefficiëntie biedt voor toepassingen op het gebied van krachtelektronica. ZMSH leveren aanpasbare geleidende of semi-isolatieve SiC-films,met opties voor optimalisatie van het opheffen met ionimplantatie of direct dunner maken/polijsten om aan verschillende prestatie- en kostenvereisten te voldoen.
Belangrijkste kenmerken vanSiCOI-wafers
| Component |
Vastgoed |
Specificatie |
Metingstandaard |
| 4H-SiC-film |
Kristallenstructuur |
enkelkristallijn 4H-SiC |
ASTM F2094 |
| Defectdichtheid |
< 103 cm−2 (afwijkingen van de draad) |
|
| Ruwheid van het oppervlak (Ra) |
< 0,5 nm |
AFM-meting |
| Semi-isolatieve weerstand |
> 106 Ω·cm |
SEMI MF397 |
| N-type dopingbereik |
1016-1019 cm−3 |
|
| Warmtegeleidbaarheid |
> 300 W/m·K |
|
| SiO2-laag |
Formatiemethode |
Thermische oxidatie |
|
| Dielectrische constante (ε) |
3.9 |
JESD22-A109 |
| Afbraakveldsterkte |
> 10 MV/cm |
|
| Interface-valdichtheid |
< 1011 cm-2eV-1 |
|
| Si Substraat |
Thermische expansie (CTE) |
~3,5 × 10−6/°C |
|
| Waferboog (8-inch) |
< 50 μm |
SEMI M1 |
| Temperatuurstabiliteit |
> 300°C |
|
| Geïntegreerde prestaties |
Ondersteuning van de grootte van de wafer |
4-8 inch formaten |
|
Primaire toepassingen vanSiCOI-wafers
1Energie-elektronica
EV-omvormers: SiC-MOSFET's op SICOI-substraten werken bij 1200V met 30% lagere schakelverliezen, compatibel met 800V-sneloplaadsystemen.
Industriële motoren: SICOI-wafers met AlN-isolatielagen verbeteren de warmteafvoer met 50% en ondersteunen > 10 kW moduleverpakkingen.
2. RF & 5G-communicatie
mmWave Power Amplifiers: GaN HEMT's op semi-isolatieve SICOI's bereiken een uitgang van 8W/mm bij 28GHz met een efficiëntie van >65%.
Fase-array-antennen: lage dielectriciteitsverlies (tanδ < 0,001) minimaliseert de signaalverdamping voor satellietcommunicatie.
3. Quantum Computing & Sensing
Spin Qubit Carriers: Ultrathin SiC-films (<100 nm) zorgen voor een geluidsarme omgeving, waardoor de coherentietijden verder gaan dan 1 ms.
High-Temp MEMS-sensoren: stabiele werking bij 300°C voor lucht- en ruimtemotorbewaking.
4. Consumentenelektronica
SICOI-gebaseerde GaN-apparaten zorgen voor > 200W opladen met 40% minder voetafdruk.
Diensten van ZMSH
Als toonaangevende leverancier van breedbandsemiconductorsubstraten bieden wij end-to-end technische ondersteuning van R&D tot massaproductie:
• Op maat gemaakte ontwikkeling: optimalisatie van de SiC-filmdikte (nanoschaal tot micronen), doping (N/P-type) en isolatielagen (SiO2/AlN/Si3N4) per apparaatvereiste.
· Process Consultation: Smart CutTM (hoge precisie) of Grinding+CMP (kosteneffectieve) oplossingen met vergelijkende gegevens aanbevelen.
· Wafer-level-testing: omvat interface-statusanalyse, thermische weerstandsmapping en validatie van hoogspanningsbetrouwbaarheid.
V&A
1. V: Wat is SICOI wafer?
A: SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafer is een geavanceerd composiet substraat dat een enkelkristallige 4H-SiC-film integreert met een SiO2-isolatielaag op een silicium/saffierbasis.die high-power en RF-apparaten met een superieure thermische/elektrische prestatie mogelijk maken.
2. V: Hoe vergelijkt SICOI zich met SOI?
A: SICOI biedt een 5x hogere thermische geleidbaarheid (> 300 W/m·K) en 3x hogere afbraakspanning (> 8 MV/cm) dan SOI, waardoor het ideaal is voor 800V+ krachtelektronica en 5G mmWave-toepassingen.
Tag: #4 inch 6 inch 8 inch, #op maat, #4H-SiCOI-wafers, #Samengestelde SiC op isolatiesubstraten, #SiC, #SiO2, #Si
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
