2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse
Bedrijfsprofiel:
Als toonaangevende leverancier van SiC (Silicon Carbide) epitaxiale wafers, is ZMSH gespecialiseerd in de productie, verwerking,en wereldwijde distributie van hoogwaardige 4H-N-type geleidende en MOS-grade epitaxiale wafers in 2-inch (50.8mm), 3-inch (76.2mm), 4-inch (100mm) en 6-inch (150mm) diameters, met mogelijkheden tot 12 inch (300mm) voor toekomstige industriële eisen.
Ons productportfolio omvat:
·4H-N-type en 6H-N-type geleidende SiC-substraten (voor krachtoestellen)
·High-Purity Semi-Isolating (HPSI) & SEMI-standaard wafers (voor RF-toepassingen)
·4H/6H-P-type en 3C-N-type SiC-wafers (voor gespecialiseerde semiconductorbehoeften)
·Op maat gemaakte doping, dikte en oppervlakteafwerking (CMP, epi-ready, enz.)
Met geavanceerde CVD epitaxiale groei technologie, strikte kwaliteitscontrole (ISO 9001), en volledige in-house verwerking mogelijkheden, we dienen automotive, power electronics, 5G,en ruimtevaartindustrieën wereldwijd.
Sleutelparameters (2 inch, 3 inch, 4 inch, 6 inch 4H-N-type Epi-wafers)
| Parameter |
Specificaties |
| Kristallenstructuur |
4H-SiC (N-type) |
| Diameter |
2 / 3 / 4 / 6 |
| Epi-dikte |
5-50 μm (op maat) |
| Dopingconcentratie |
1e15~1e19 cm−3 |
| Resistiviteit |
00,01 ‰ 100 Ω·cm |
| Ruwheid van het oppervlak |
< 0,2 nm (Ra) |
| Verplaatsingsdichtheid |
< 1 × 103 cm−2 |
| TTV (Totale dikte variatie) |
< 5 μm |
| Warpage |
< 30 μm |
(Alle specificaties zijn aanpasbaar ️ contact met ons op voor project-specifieke vereisten.)
Belangrijkste kenmerken van 4H-N SiC-epitaxiale wafers
1Superieure elektrische prestaties
- SiC-epitaxiale wafers met een breedbandgap (3,2 eV) en een hoge breukspanning (> 2 MV/cm) voor apparaten met een hoog vermogen
- SiC-epitaxiale wafers met lage weerstand (Rop) voor een efficiënte omzetting van vermogen
2Uitstekende thermische eigenschappen
- SiC-epitaxiale wafers met een hoge thermische geleidbaarheid (4,9 W/cm·K) voor een betere warmteafvoer
- SiC-epitaxiale wafers stabiel tot 600°C+, ideaal voor ruwe omgevingen
3. Hoogwaardige epitaxiale laag
- SiC-epitaxiale wafers met een lage defectdichtheid (<1×103 cm−2) voor een betrouwbare prestatie van het apparaat
- Eenvormige dikte (± 2%) en dopingcontrole (± 5%) voor consistentie
4Meerdere waferklassen beschikbaar
- Leidingskwaliteit (voor diodes, MOSFET's)
- MOSFET-klasse (ultra lage defecten voor transistors met een hoog rendement)- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.
Primaire toepassingenvan 4H-N SiC epitaksiale wafers
1. Elektrische voertuigen (EV's) en snelladen
- SiC-MOSFET's en Schottky-dioden voor omvormers en OBC's (hoger rendement dan Si)
2Vernieuwbare energie en industriële energie
- Zonne-omvormers, windturbines en slimme netwerken (minder energieverlies)
3. 5G en RF-communicatie
- GaN-op-SiC-RF-apparaten voor 5G-basisstations (hoge frequentie)
4Luchtvaart en defensie
- SiC-epitaxiale wafers kunnen worden gebruikt voor radar, satellietcommunicatie en hoogspanningssystemen (extreme stabiliteit in de omgeving)
5. Consumenten- en industriële elektronica
- SiC-epitaxiale wafers kunnen worden gebruikt voor hoogwaardige PSU's, motor aandrijvingen en UPS-systemen
ZMSH's diensten van4H-N SiC epitaksiale wafers
1Volledige productie en aanpassing
· Productie van SiC-substraat (2" tot 12")
· Epitaxiale groei (CVD) met gecontroleerde doping (N/P-type)
· Waferverwerking (lappen, polijsten, lasermarkeren, snijden)
2. Testen en certificeren
· XRD (kristalliniteit), AFM (oppervlakte ruwheid), Hall-effect (drager mobiliteit)
• Defectcontrole (grotdichtheid, micropipes < 1/cm2)
3Ondersteuning van de wereldwijde toeleveringsketen
· Snel prototyping & bulk order fulfillment
• Technische consultancy voor het ontwerp van SiC-apparaten
Waarom kiezen wij?
✔ Verticale integratie (substraat → epitaxie → afgewerkte wafer)
✔ Hoog rendement en concurrerende prijzen
✔ O&O-ondersteuning voor next-gen SiC-apparaten
✔ Snelle levertijden & wereldwijde logistiek
(Voor datasheets, voorbeelden of offertes
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
