Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic substrate ]

overeenkomen

261

PRODUCTEN

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

55mm/1010mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

2" InSb-Te EPI Substraten Smalband Halbleider Substraten Hallcomponenten

Krijg Beste Prijs

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm

Krijg Beste Prijs

Aangepaste van het het Carbidesubstraat van het Groottesilicium Hardheid 9,4 sic Delen voor Materiaal

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

Aangepaste grootte 5x5mm 0.5x0.5mm 4h-n breekt SIC platen af

Krijg Beste Prijs

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

Krijg Beste Prijs

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen

Krijg Beste Prijs

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Krijg Beste Prijs

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Krijg Beste Prijs

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

Krijg Beste Prijs

4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H Lage weerstand Hoog P-dopeerd Type Diameter 50,8 mm

Krijg Beste Prijs

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

Krijg Beste Prijs

3 4 5 6 7 8 9 10

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Uw zoektocht [ sic substrate ] overeenkomen 261 PRODUCTEN

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

Krijg Beste Prijs

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

van het het Galliumnitride van 4inch 6inch het Wafeltje gaN-op-sic EPI Wafeltjes

Krijg Beste Prijs

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

Krijg Beste Prijs

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Krijg Beste Prijs

3 4 5 6 7 8 9 10

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

[sic substrate ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

van het het Galliumnitride van 4inch 6inch het Wafeltje gaN-op-sic EPI Wafeltjes

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics