sic substrate

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
3 het Carbidewafeltje van het duimsilicium, sic Substraat Uitstekende Voorbijgaande Kenmerken
de 5x40mm Aangepaste wafeltjes van het vorm sic Kristal 4 H-N Sic Substrates-spaanders
4 H-N Production Grade Dummy-het Wafeltje 8inch Dia200mm van het Rang sic Substraat
6h-n 4h-n sic het Carbidewafeltje van het Substraten2inch 0.33mm 0.43mm Silicium
Proef het Wafeltjedia150mm Dikte 4h-n 500mm van het Rang6inch sic Substraat
4inch 6Inch 4h-n 500mm van het het wafeltjesilicium van 350um SIC van het het Carbide sic Substraat de Eerste Proefrang
4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal
het proef van het de Rangsilicium van het productieonderzoek van de het Carbide hoge zuiverheid 4h-semi un-doped transparante sic Wafeltje
Semi - het Isolerende Substraat van het Siliciumcarbide, sic Wafeltje4h Hoge Zuiverheid
eerste 2“ 3“ 4“ 6“ 4h-semi 4 H-N Insulating Sic het Carbide sic wafeltje van het substraatsilicium
Het aangepaste Groottevierkant breekt sic Lage Roosterwanverhouding met Hoge Thermisch af
aangepaste grootte 5x5 10x10mm spaanders van grootte 4h-n de 6h-semi sic wafeltjes
van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm
Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic
van het het Galliumnitride van 4inch 6inch het Wafeltje gaN-op-sic EPI Wafeltjes

2 3 4 5 Laatste Totaal 6 Pagina's