Thuis Producten Sic Substraat

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Alle producten

Het Wafeltje van het galliumnitride (35)

Saffierwafeltje (88)

Sic Substraat (132)

Saffier Optische Vensters (77)

IC-Siliciumwafeltje (22)

Synthetische Saffierstaaf (13)

Gesmolten Kwartsplaat (40)

Saffierdelen (114)

Synthetische Halfedelsteen (72)

Halfgeleidermateriaal (55)

LiNbO3 Wafeltje (18)

GaAs Wafeltje (24)

Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)

ceramisch substraat (25)

Laboratoriumomslag (31)

Ik ben online Chatten Nu

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Grote Afbeelding : 6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	ZMSH
Certificering:	rohs
Modelnummer:	4H SiC

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	10 procent
Prijs:	by case
Verpakking Details:	op maat gemaakte plastic doos
Levertijd:	in 30days
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	1000pc/month

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

Materiaal:	Siliciumcarbide	Grootte:	6 inch.
Dag:	150 mm ± 0,22 mm	Resistiviteit:	≥ 1E8ohm·cm
Warp snelheid.:	≤ 35 μm	Parameter:	Semi, P, N-type
TTV:	≤5μm	Ruwheid:	Ra≤0,2 nm
Oppervlakte afwerking:	met een gewicht van niet meer dan 50 kg	Toepassingen:	Elektronica, opto-elektronica
aangepast:	O.K.
Markeren:	Eenvoudig gepolijste SiC-composite substraat , P-type SiC samengesteld substraat , Dubbelgepolijste SiC-composite-substraat

Productbeschrijving:

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Semi-isolatieve siliconcarbide (SiC) composiet substraat wafers zijn een nieuw type substraatmateriaal voor krachtelektronica en RF-microgolfapparaten.Semi-isolatieve SiC-composite-substraten worden veel gebruikt in krachtelektronicaHet is vooral geschikt voor de vervaardiging van hoogwaardige microwave-integratiecircuits en vermogenversterkers.Vergeleken met traditionele siliciumsubstraten, semi-isolatieve SiC-compositesubstraten hebben een hogere isolatie, thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte,De Commissie heeft de Commissie verzocht om een verslag uit te brengen over de resultaten van de onderzoeksprocedure., hoogfrequente elektronische apparaten.

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit 0

Kenmerken:

· Hoge weerstand: semi-isolatieve SiC-wafers kunnen een weerstand van 10^8-10^10 Ω·cm bereiken.Deze uiterst hoge weerstand maakt het mogelijk om elektronische apparaten effectief te isoleren van interferentie met elkaar.

·Laag dielectriciteitsverlies: Semi-isolatieve SiC-wafers hebben een extreem lage dielectriciteitsverliesfactor, meestal minder dan 10^-4.Dit helpt het energieverlies van het apparaat te verminderen wanneer het bij hoge frequenties werkt.

·Uitstekende thermische geleidbaarheid: SiC-materialen hebben een hoge thermische geleidbaarheid en kunnen de warmte die door het apparaat wordt gegenereerd effectief geleiden.Het helpt de thermische beheersprestaties van het apparaat te verbeteren en de bedrijfsstabiliteit te verbeteren.

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit 1

·Hoge mechanische sterkte: semi-isolatieve SiC-wafers hebben een hoge hardheid en buigsterkte.Het kan grote mechanische spanningen weerstaan en is geschikt voor de productie van hoog betrouwbare elektronische apparaten.

·Goede chemische stabiliteit: SiC-materialen hebben een uitstekende chemische stabiliteit bij hoge temperaturen en chemisch corrosieve omgevingen.Het is nuttig om de levensduur van het apparaat in ruwe omgevingen te verbeteren.

·Goede compatibiliteit met Si: De roosterconstante en de koëfficiënt van thermische uitbreiding van semi-isolatieve SiC-wafers zijn vergelijkbaar met die van silicium.Het helpt het productieproces van het apparaat te vereenvoudigen en de productiekosten te verlagen.

Technische parameters:

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit 2

Toepassingen:

1.RF- en microgolfapparaten: Semi-isolatieve SiC is ideaal voor de productie van RF- en microgolf-geïntegreerde schakelingen vanwege het lage dielectriciteitsverlies en de hoge isolatie.Het kan worden toegepast op hoogfrequente microgolfvelden zoals mobiele communicatiebasisstations, radarsystemen en satellietcommunicatie.

2.Energie-elektronica: Semi-isolatieve SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurkenmerken, wat gunstig is voor de fabricage van energie-halfgeleiderapparaten.Het kan worden gebruikt voor de vervaardiging van krachtige elektronische apparaten zoals vermogenversterkers, schakelen van stroomvoorziening en omzetting van stroom.

3.Opto-elektronica: Semi-isolatieve SiC heeft stralingsresistentie en kan worden gebruikt voor de fabricage van fotodetectoren die in een stralingsomgeving werken.nationale defensie en andere gebieden met strenge eisen voor stralingsweerstand.

Aanpassing:

Onze SiC-substraat is verkrijgbaar in het semi-isolatieve type en is RoHS gecertificeerd. De minimale orderhoeveelheid is 10pc en de prijs is per geval. De verpakkingsdetails zijn aangepaste plastic dozen.De levertijd is binnen 30 dagen en we accepteren T / T betaling voorwaardenOnze leveringscapaciteit is 1000pcs/maand. De SiC substraat grootte is 6 inch.

Onze diensten:

1Fabriek directe productie en verkoop.

2Snelle, accurate citaten.

3We zullen u binnen 24 uur antwoorden.

4. ODM: Op maat gemaakt ontwerp is beschikbaar.

5Snelheid en kostbare levering.

Vragen:

V: Werkt uw bedrijf alleen met de SIC-zaken?
A: Ja, maar we kunnen het silicokristal niet zelf laten groeien.

V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?
A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.
(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.
De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

V: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoefte?
A: Ja, we kunnen het materiaal, specificaties en vorm, grootte aanpassen op basis van uw behoeften.

label:

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Andere Producten

4 inch 6 inch 8 inch SICOI wafer 4H-SiC op isolator 100 tot 150 mm sic film OP silicium

Size: 4inch/6inch/8inch

Surface Roughness: Ra<0.5nm

Fracture Toughness: 3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC): 4.2×10⁻⁶/K

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

grootte: 2inch, 4inch, 6inch, 5 × 5,10 × 10

Diëlektrische constante: 9.7

Oppervlakte hardheid: HV0.3> 2500

Dikte: 3.21 g/cm3

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie

Grootte: 2inch, 4inch, 6inch, 5 × 5,10 × 10

Diëlektrische constante: 9.7

Oppervlakte hardheid: HV0.3> 2500

Dikte: 3.21 g/cm3

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Zuiverheid:: ≥ 99,9999% (6N)

Type:: 4h-n

Mohshardheid:: 9.5

Weerstandsvermogen:: 0.015 ∙ 0.028 ∙

6 inch 8 inch 4H-SEMI SiC Substraat voor AR Brillen Optische Kwaliteit

Afmeting: 6 inch, 8 inch.

Type: 4h-semi

Dikte A (tropel): 500,0 µm ± 25,0 µm

Brekingsindex a: > 2.6 @550 nm

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Eenvoudig gepolijste SiC-composite substraat

P-type SiC samengesteld substraat

Dubbelgepolijste SiC-composite-substraat

Productbeschrijving:

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Kenmerken:

· Hoge weerstand: semi-isolatieve SiC-wafers kunnen een weerstand van 10^8-10^10 Ω·cm bereiken.Deze uiterst hoge weerstand maakt het mogelijk om elektronische apparaten effectief te isoleren van interferentie met elkaar.

·Laag dielectriciteitsverlies: Semi-isolatieve SiC-wafers hebben een extreem lage dielectriciteitsverliesfactor, meestal minder dan 10^-4.Dit helpt het energieverlies van het apparaat te verminderen wanneer het bij hoge frequenties werkt.

·Uitstekende thermische geleidbaarheid: SiC-materialen hebben een hoge thermische geleidbaarheid en kunnen de warmte die door het apparaat wordt gegenereerd effectief geleiden.Het helpt de thermische beheersprestaties van het apparaat te verbeteren en de bedrijfsstabiliteit te verbeteren.

·Hoge mechanische sterkte: semi-isolatieve SiC-wafers hebben een hoge hardheid en buigsterkte.Het kan grote mechanische spanningen weerstaan en is geschikt voor de productie van hoog betrouwbare elektronische apparaten.

·Goede chemische stabiliteit: SiC-materialen hebben een uitstekende chemische stabiliteit bij hoge temperaturen en chemisch corrosieve omgevingen.Het is nuttig om de levensduur van het apparaat in ruwe omgevingen te verbeteren.

·Goede compatibiliteit met Si: De roosterconstante en de koëfficiënt van thermische uitbreiding van semi-isolatieve SiC-wafers zijn vergelijkbaar met die van silicium.Het helpt het productieproces van het apparaat te vereenvoudigen en de productiekosten te verlagen.

Technische parameters:

Toepassingen:

3.Opto-elektronica: Semi-isolatieve SiC heeft stralingsresistentie en kan worden gebruikt voor de fabricage van fotodetectoren die in een stralingsomgeving werken.nationale defensie en andere gebieden met strenge eisen voor stralingsweerstand.

Aanpassing:

Onze diensten:

1Fabriek directe productie en verkoop.

2Snelle, accurate citaten.

3We zullen u binnen 24 uur antwoorden.

4. ODM: Op maat gemaakt ontwerp is beschikbaar.

5Snelheid en kostbare levering.

Vragen:

V: Werkt uw bedrijf alleen met de SIC-zaken?
A: Ja, maar we kunnen het silicokristal niet zelf laten groeien.

V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?
A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.
(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.
De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

V: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoefte?
A: Ja, we kunnen het materiaal, specificaties en vorm, grootte aanpassen op basis van uw behoeften.

sic wafeltje,

sic substraat,

het substraat van het siliciumcarbide

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Eenvoudig gepolijste SiC-composite substraat

P-type SiC samengesteld substraat

Dubbelgepolijste SiC-composite-substraat

Productbeschrijving:

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Kenmerken:

· Hoge weerstand: semi-isolatieve SiC-wafers kunnen een weerstand van 10^8-10^10 Ω·cm bereiken.Deze uiterst hoge weerstand maakt het mogelijk om elektronische apparaten effectief te isoleren van interferentie met elkaar.

·Laag dielectriciteitsverlies: Semi-isolatieve SiC-wafers hebben een extreem lage dielectriciteitsverliesfactor, meestal minder dan 10^-4.Dit helpt het energieverlies van het apparaat te verminderen wanneer het bij hoge frequenties werkt.

·Uitstekende thermische geleidbaarheid: SiC-materialen hebben een hoge thermische geleidbaarheid en kunnen de warmte die door het apparaat wordt gegenereerd effectief geleiden.Het helpt de thermische beheersprestaties van het apparaat te verbeteren en de bedrijfsstabiliteit te verbeteren.

·Hoge mechanische sterkte: semi-isolatieve SiC-wafers hebben een hoge hardheid en buigsterkte.Het kan grote mechanische spanningen weerstaan en is geschikt voor de productie van hoog betrouwbare elektronische apparaten.

·Goede chemische stabiliteit: SiC-materialen hebben een uitstekende chemische stabiliteit bij hoge temperaturen en chemisch corrosieve omgevingen.Het is nuttig om de levensduur van het apparaat in ruwe omgevingen te verbeteren.

·Goede compatibiliteit met Si: De roosterconstante en de koëfficiënt van thermische uitbreiding van semi-isolatieve SiC-wafers zijn vergelijkbaar met die van silicium.Het helpt het productieproces van het apparaat te vereenvoudigen en de productiekosten te verlagen.

Technische parameters:

Toepassingen:

3.Opto-elektronica: Semi-isolatieve SiC heeft stralingsresistentie en kan worden gebruikt voor de fabricage van fotodetectoren die in een stralingsomgeving werken.nationale defensie en andere gebieden met strenge eisen voor stralingsweerstand.

Aanpassing:

Onze diensten:

1Fabriek directe productie en verkoop.

2Snelle, accurate citaten.

3We zullen u binnen 24 uur antwoorden.

4. ODM: Op maat gemaakt ontwerp is beschikbaar.

5Snelheid en kostbare levering.

Vragen:

V: Werkt uw bedrijf alleen met de SIC-zaken?A: Ja, maar we kunnen het silicokristal niet zelf laten groeien.

V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

V: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoefte?A: Ja, we kunnen het materiaal, specificaties en vorm, grootte aanpassen op basis van uw behoeften.

sic wafeltje,

sic substraat,

het substraat van het siliciumcarbide

V: Werkt uw bedrijf alleen met de SIC-zaken?
A: Ja, maar we kunnen het silicokristal niet zelf laten groeien.

V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?
A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.
(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.
De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

V: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoefte?
A: Ja, we kunnen het materiaal, specificaties en vorm, grootte aanpassen op basis van uw behoeften.