Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic substrate ]

overeenkomen

261

PRODUCTEN

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

Krijg Beste Prijs

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide Substraat 5.0*5.0mm Vierkante 6H-P Type Dikte 350μm Zero Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit

Krijg Beste Prijs

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide substraat 4' Sic 3C-N Diameter 100 mm Leidende Type Nul MPD Productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

2 3 4 5 6 7 8 9

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Uw zoektocht [ sic substrate ] overeenkomen 261 PRODUCTEN

4H 6-inch SiC epitaxiale wafer 100µm/200µm/300µm voor ultra-hoogspanning (UHV) MOS-apparaat

Krijg Beste Prijs

Video

Optische component voor dubbelzijdig gepolijste hoogzuivere SiC-spiegel voor MEMS-micromirroren

Krijg Beste Prijs

Video

Persoonlijke vierkant optische ramen Groen Moissanite SiC Kristal Hoge hardheid

Krijg Beste Prijs

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Krijg Beste Prijs

Video

van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm

Krijg Beste Prijs

SiC keramische lagerkogels G5 Grade hoge hardheid

Krijg Beste Prijs

eerste 2“ 3“ 4“ 6“ 4h-semi 4 H-N Insulating Sic het Carbide sic wafeltje van het substraatsilicium

Krijg Beste Prijs

Aangepast gaN-op-GaN sic Silicium Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch Dia 100mm

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

Krijg Beste Prijs

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

2 3 4 5 6 7 8 9

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

[sic substrate ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

4H 6-inch SiC epitaxiale wafer 100µm/200µm/300µm voor ultra-hoogspanning (UHV) MOS-apparaat

Optische component voor dubbelzijdig gepolijste hoogzuivere SiC-spiegel voor MEMS-micromirroren

Persoonlijke vierkant optische ramen Groen Moissanite SiC Kristal Hoge hardheid

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm

​​SiC keramische lagerkogels G5 Grade hoge hardheid​​

eerste 2“ 3“ 4“ 6“ 4h-semi 4 H-N Insulating Sic het Carbide sic wafeltje van het substraatsilicium

Aangepast gaN-op-GaN sic Silicium Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch Dia 100mm

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

SiC keramische lagerkogels G5 Grade hoge hardheid

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse