Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN 4H SiC Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[4H SiC ]

overeenkomen

158

PRODUCTEN

8 inch SiC Epitaxiaal Substraat MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grote diameter

Krijg Beste Prijs

Video

Substraat voor SiC-epitaxiale wafers Halvervoerder Industrieel gebruik 4H-N

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade

Krijg Beste Prijs

4H-N Type / Half-isolatie Siliciumcarbide SiC Substraten

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Wafer Siliciumcarbide Wafer Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um

Krijg Beste Prijs

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

Premium 3C-SiC Substraten: N-type Productiekwaliteit Wafers voor 5G & Power Elektronica

Krijg Beste Prijs

van het het Siliciumcarbide van 2inch 4inch 6inch 8Inch van het Wafeltje sic Wafeltjes Proef het Onderzoek Eerste Rang

Krijg Beste Prijs

SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei

Krijg Beste Prijs

Video

Siliciumcarbide rechthoekig substraat SiC-chip voor geavanceerde elektronica

Krijg Beste Prijs

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

Krijg Beste Prijs

Video

4° Buiten de as SiC-substraat 2 inch Hoogtemperatuurtoepassingen Epitaxiale wafer

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7 8

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN 4H SiC Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ 4H SiC ] overeenkomen 120 PRODUCTEN

Video

4H Siliciumcarbide Substraat voor Vermogenselektronica, RF-apparaten & UV-Opto-elektronica

Krijg Beste Prijs

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

Krijg Beste Prijs

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

Krijg Beste Prijs

4 inch 3C N-type SiC Substraat Silicon Carbide Substraat Dikke 350um Prime kwaliteit Dummy kwaliteit

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Krijg Beste Prijs

Video

van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm

Krijg Beste Prijs

Douane Geleidend Type sic Wafeltje voor het Apparaten Zonne Photovoltaic Op hoge temperatuur van de Hoogspanningsmacht

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7 8

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

[4H SiC ]

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

4H Siliciumcarbide Substraat voor Vermogenselektronica, RF-apparaten & UV-Opto-elektronica

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

4 inch 3C N-type SiC Substraat Silicon Carbide Substraat Dikke 350um Prime kwaliteit Dummy kwaliteit

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm

Douane Geleidend Type sic Wafeltje voor het Apparaten Zonne Photovoltaic Op hoge temperatuur van de Hoogspanningsmacht

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse