4° Buiten de as SiC-substraat 2 inch Hoogtemperatuurtoepassingen Epitaxiale wafer Productbeschrijving: Het SiC-substraat heeft ook een oppervlakkrapheid van Ra < 0,5 nm, wat essentieel is voor ...Bekijk meer
Berichten van bezoekersVERLAAT EEN BERICHT
Nog geen commentaar
4° Buiten de as SiC-substraat 2 inch Hoogtemperatuurtoepassingen Epitaxiale wafer