Huis
>
PRODUCTEN
>
Sic Substraat
>
|
| Plaats van herkomst | China |
| Merknaam | zmsh |
| Modelnummer | SIC-6inch 4h-n |
| Bezit | 4H-sic, Enig Kristal | 6H-sic, Enig Kristal |
| Roosterparameters | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Het stapelen van Opeenvolging | ABCB | ABCACB |
| Mohshardheid | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Dichtheid | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Uitbreidingscoëfficiënt | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brekingsindex @750nm |
geen = 2,61 Ne = 2,66 |
geen = 2,60 Ne = 2,65 |
| Diëlektrische Constante | c~9.66 | c~9.66 |
| Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| (Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Opsplitsings Elektrogebied | 35×106V/cm | 35×106V/cm |
| De Snelheid van de verzadigingsafwijking | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
| van het het Carbide (sic) Substraat 6 duim van het diameter de Specificatie Silicium |
| Rang | Z rang | P rang | R rang | D rang | |
| NUL MPD | Productie | Onderzoekrang | Proefrang | ||
| Diameter | 150mm±0.5 mm | ||||
| Dikte | 350 μm±25μm of 500±25um of door aangepaste grootte | ||||
| Wafeltjerichtlijn | Van as: 4.0° naar <1120> ±0.5° voor 4h-n | ||||
| Micropipedichtheid | ≤1cm-2 | ≤5 cm2 | ≤15 cm2 | ≤50 cm2 | |
| Weerstandsvermogen | 4h-n | 0.015~0.028 Ω·cm | |||
| 4/6h-Si | >1E5 Ω·cm | ||||
| Primaire Vlakte | {10-10} ±5.0° | ||||
| Primaire Vlakke Lengte | 47.5mm±2.5 mm | ||||
| Randuitsluiting | 3mm | ||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | ||||
| Ruwheid | Poolse Ra≤1 NM | ||||
| CMP Ra≤0.5 NM | |||||
| Niets | Niets | 1 toegestaan, ≤1 mm | |||
| Barsten door hoge intensiteitslicht | |||||
| Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht | Cumulatieve area≤ 1% | Cumulatieve area≤ 1% | Cumulatieve area≤ 3% | ||
| Niets | Cumulatieve area≤ 2% | Cumulatieve area≤5% | |||
| Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht | |||||
| 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | 8 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | |||
| Krassen door hoge intensiteitslicht | |||||
| Randspaander | Niets | 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk | 5 toegestaan, ≤1 mm elk | ||
| Verontreiniging door hoge intensiteitslicht | Niets | ||||
FAQ:
Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?
A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed
(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en
De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.
Q: Hoe te betalen?
A: De storting van T/T 100% vóór levering.
Q: Wat is uw MOQ?
A: (1) voor inventaris, is MOQ 1pcs. als is 2-5pcs het beter.
(2) voor aangepaste gemeenschappelijke producten, is MOQ omhoog 10pcs.
Q: Wat is de levertijd?
A: (1) voor de standaardproducten
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 -4 weken na u ordecontact.
Q: Hebt u standaardproducten?
A: Onze standaardproducten in voorraad. zoals als substraten 4inch 0.35mm.
Contacteer op elk ogenblik ons
