Productdetails
Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmsh
Betalings- en verzendvoorwaarden
Materiaal: |
HPSI SiC |
Graad: |
Prime/Dummy/Onderzoek |
Type: |
4H-semi |
richtlijn: |
<0001> |
Grootte: |
Twee, drie, vier, zes, acht. |
Dikte: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm |
Buigen.: |
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm |
omslag: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
Materiaal: |
HPSI SiC |
Graad: |
Prime/Dummy/Onderzoek |
Type: |
4H-semi |
richtlijn: |
<0001> |
Grootte: |
Twee, drie, vier, zes, acht. |
Dikte: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm |
Buigen.: |
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm |
omslag: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
HPSI Hoge zuiverheid semi-isolatieve SiC-wafers
HPSI (High Purity Semi-Isolating) Silicon Carbide (SiC) wafers zijn geavanceerde halfgeleider substraten ontworpen voor high-frequency, high-power en high-temperature toepassingen.3 inch.Deze wafers worden aangeboden in Prime (productiegraad), Dummy (proces-test) en Research (experimentele) graden om aan diverse industriële en academische behoeften te voldoen..
De Prime Grade-wafers hebben een zeer lage defectdichtheid en een hoge weerstand, waardoor ze ideaal zijn voor RF-apparaten, vermogenversterkers en quantumcomputingtoepassingen.De Dummy Grade biedt kosteneffectieve oplossingen voor procesoptimalisatie in de vervaardiging van halfgeleiders, terwijl de onderzoeksgraad de onderzoek naar geavanceerde materialen en de ontwikkeling van prototypes ondersteunt.
Met een superieure thermische geleidbaarheid (> 490 W/m·K) en een brede bandbreedte (3,2 eV) maken HPSI SiC-wafers elektronica van de volgende generatie mogelijk voor 5G-communicatieDe Commissie is van mening dat de Europese Unie een belangrijke rol moet spelen in de ontwikkeling van de Europese technologieën.
Specificatie tabel
Vermogen | Specificatie |
Type | 4H-Semi |
Resistiviteit | ≥ 1 E8ohm·cm |
Dikte | 500 ± 25 μm |
Op de as | <0001> |
Buiten de as | 0 ± 0,25° |
TTV | ≤ 5 μm |
BOW | -25 μm~25 μm |
Verpakking | ≤ 35 μm |
Voorzijde (Si-gezicht) ruwheid | Ra≤0,2 nm ((5 μm*5 μm) |
Toepassingen vanHPSI-wafers
1. RF- en microgolfapparaten
- 5G-basisstations: versterkers met een hoog vermogen en een laag signaalverlies.
- Radarsystemen: stabiele prestaties in lucht- en ruimtevaart en defensie.
2Energie-elektronica
- EV-omvormers: efficiënte hogespanningsschakelaars.
- Snelopladers: compacte en efficiënte ontwerpen.
3. Hoogtechnologisch onderzoek
- Breedbandstudies: onderzoek naar de eigenschappen van SiC-materiaal.
4Ontwikkeling van industriële processen
- Dummy Wafers: kalibratie van apparatuur in halfgeleiderfabrieken.
Vaak gestelde vragen (FAQ)
1Wat is de definitie van "semi-isolatieve" SiC?
Het semi-isolatieve SiC heeft een extreem hoge weerstand, waardoor het stroomlekken in RF- en high-power apparaten wordt geminimaliseerd.
2Kunnen deze wafers aangepast worden?
Ja, we bieden doping, dikte, en oppervlakte afwerking aanpassing voor Prime en Research graden.
3Wat is het verschil tussen Prime en Dummy cijfers?
- Prime: fabricage van apparaten (kleine gebreken).
- Proces testen (kostenoptimaliseerd).
4Hoe worden wafers verpakt?
met een gewicht van niet meer dan 10 kg
5Wat is de gemiddelde doorlooptijd?
- 2-4 weken voor standaard maten.
- 4-6 weken voor aangepaste specificaties.