logo
Goede prijs  online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. PRODUCTEN Created with Pixso.
Sic Substraat
Created with Pixso. HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Merknaam: zmsh
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Certificering:
rohs
Materiaal:
HPSI SiC
Cijfer:
Prime/Dummy/Onderzoek
Type:
4h-semi
Oriëntatie:
<0001>
Maat:
Twee, drie, vier, zes, acht.
Dikte:
500 ± 25 μm
TTV:
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm
Boog:
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm
omslag:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Markeren:

SIC-wafers van hoge zuiverheid

,

Prime Dummy SiC-wafers

,

SiC-wafers voor onderzoek

Productomschrijving

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers – 2/3/4/6/8 Inch Prime/Dummy/Research Grade

 


HPSI (High Purity Semi-insulating) Siliciumcarbide (SiC) wafers zijn geavanceerde halfgeleider substraten ontworpen voor hoogfrequente, hoogvermogen en hoge-temperatuurtoepassingen. Beschikbaar in 2-inch, 3-inch, 4-inch, 6-inch en 8-inch diameters, worden deze wafers aangeboden in Prime (productiekwaliteit), Dummy (proces-testen) en Research (experimentele) kwaliteiten om te voldoen aan diverse industriële en academische behoeften.

De Prime Grade wafers hebben een ultra-lage defectdichtheid en hoge weerstand, waardoor ze ideaal zijn voor RF-apparaten, eindversterkers en quantum computing-toepassingen. De Dummy Grade biedt kosteneffectieve oplossingen voor procesoptimalisatie in halfgeleiderfabricage, terwijl de Research Grade geavanceerde materiaalstudies en prototype-ontwikkeling ondersteunt.

Met superieure thermische geleidbaarheid (> 490 W/m·K) en een brede bandgap (3.2 eV), maken HPSI SiC wafers elektronica van de volgende generatie mogelijk voor 5G communicatie, lucht- en ruimtevaart en elektrische voertuig (EV) systemen.Specificatietabel

 

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research" 0

 


 

 

Eigenschappen

 

Specificatie Type
4H-Semi Weerstand
≥1E8ohm·cm Dikte
500±25μm On-axis
Off-axis <0001>
0±0.25° TTV
≤5μm BOW
-25μm~25μm Wrap
≤35μm Oppervlakte ruwheid voorkant (Si-zijde)
Ra≤0.2nm(5μm*5μm) Toepassingen van

 

 


 

HPSI Wafers1. RF & Microgolf Apparaten

 

 

- 5G Basisstations: Hoogvermogenversterkers met laag signaalverlies.
- Radarsystemen: Stabiele prestaties in de lucht- en ruimtevaart en defensie.
2. Vermogenselektronica

 

- EV-omvormers: Efficiënt schakelen met hoge spanning.
- Snelle Opladers: Compacte en zeer efficiënte ontwerpen.
3. High-Tech Onderzoek

 

- Wide-Bandgap Studies: Onderzoek naar SiC materiaaleigenschappen.
4. Industriële Procesontwikkeling

 

- Dummy Wafers: Apparatuurkalibratie in halfgeleiderfabrieken.
Veelgestelde Vragen (FAQ)

 


HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research" 1HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research" 2

 

 


 

1. Wat definieert "Semi-isolerend" SiC?

 

 

Semi-isolerend SiC heeft een extreem hoge weerstand, waardoor stroomlekkage in RF- en hoogvermogenapparaten wordt geminimaliseerd.

2. Kunnen deze wafers worden aangepast?

 

Ja, we bieden doping, dikte en oppervlakteafwerking op maat voor Prime en Research kwaliteiten.
3. Wat is het verschil tussen Prime en Dummy kwaliteiten?

 

- Prime: Apparaatfabricage (lage defecten).
- Dummy: Procestesten (kosten geoptimaliseerd).
4. Hoe worden wafers verpakt?

 

Enkele wafer vacuümverpakte verpakkingen
5. Wat is de typische doorlooptijd?

 

- 2-4 weken voor standaardmaten.
- 4-6 weken voor aangepaste specificaties.
Tags: #HPSI, #High Purity, #Semi-insulating, #SiC Wafers, #2",3",4",6", 8", #Prime/Dummy/Research Grade, #AR Glasses, #Optical Grade