Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[silicon carbide substrate ]

overeenkomen

243

PRODUCTEN

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

Krijg Beste Prijs

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

Sapphire Crystal Growth Furnace CZ methode Czochralski Furnace produceert sapphirekristallen van hoge kwaliteit

Krijg Beste Prijs

GaN On Diamond And Dimond bij GaN Wafer By Epitaxial-HEMT en het Plakken

Krijg Beste Prijs

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

Video

Hoogprecisie enkelzijdige polijstapparatuur voor Si-wafers/SiC/Saffier materialen

Krijg Beste Prijs

Video

Meerdere draden diamantzaag snijmachine voor SiC/safir/ultraharde broze materialen

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Keramische snijapparatuur Enkelvoudige draad/Meervoudige draad diamantdraadsnijden

Krijg Beste Prijs

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers

Krijg Beste Prijs

Video

Waferverdunningsysteem Precision-verdunningsapparatuur SiC Si Wafer Compatibel 4 -12 inch Wafercapaciteit

Krijg Beste Prijs

9 10 11 12 13 14 15 16

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ silicon carbide substrate ] overeenkomen 243 PRODUCTEN

4 inch 6 inch 8 inch SICOI wafer 4H-SiC op isolator 100 tot 150 mm sic film OP silicium

Krijg Beste Prijs

Premium 3C-SiC Substraten: N-type Productiekwaliteit Wafers voor 5G & Power Elektronica

Krijg Beste Prijs

12-inch 300mm 4H-N SiC-substraat voor de productie van vermogenshalfgeleiders

Krijg Beste Prijs

SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

10x15mm het Oxydegaas van het 100 Richtlijngallium Substraat 100 Richtlijn met Gesmeerde Fe

Krijg Beste Prijs

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

6H-N type SiC-wafer: 2-inch substraat, dikte 350 μm of 650 μm

Krijg Beste Prijs

4 inch Si wafer Dia 100mm Dikte 350um Oriëntatie <100> DSP SSP Aanpasbare Silicon Wafers N type P type

Krijg Beste Prijs

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Krijg Beste Prijs

Gepaste 4-inch (100mm) siliciumwafers: dikte 350μm, <100> oriëntatie, DSP/SSP, N-type/P-type doping

Krijg Beste Prijs

Proef het Wafeltjedia150mm Dikte 4h-n 500mm van het Rang6inch sic Substraat

Krijg Beste Prijs

10 11 12 13 14 15 16 17

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

[silicon carbide substrate ]

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

4 inch 6 inch 8 inch SICOI wafer 4H-SiC op isolator 100 tot 150 mm sic film OP silicium

Premium 3C-SiC Substraten: N-type Productiekwaliteit Wafers voor 5G & Power Elektronica

12-inch 300mm 4H-N SiC-substraat voor de productie van vermogenshalfgeleiders

SiC-zaad wafer 8 inch dikte 600±50um 4H-type productiekwaliteit voor siliconcarbide kristalgroei

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

10x15mm het Oxydegaas van het 100 Richtlijngallium Substraat 100 Richtlijn met Gesmeerde Fe

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

6H-N type SiC-wafer: 2-inch substraat, dikte 350 μm of 650 μm

4 inch Si wafer Dia 100mm Dikte 350um Oriëntatie <100> DSP SSP Aanpasbare Silicon Wafers N type P type

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Gepaste 4-inch (100mm) siliciumwafers: dikte 350μm, <100> oriëntatie, DSP/SSP, N-type/P-type doping

Proef het Wafeltjedia150mm Dikte 4h-n 500mm van het Rang6inch sic Substraat

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts