Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic substrat Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic substrat ]

overeenkomen

274

PRODUCTEN

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

55mm/1010mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

2" InSb-Te EPI Substraten Smalband Halbleider Substraten Hallcomponenten

Krijg Beste Prijs

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

Aangepaste van het het Carbidesubstraat van het Groottesilicium Hardheid 9,4 sic Delen voor Materiaal

Krijg Beste Prijs

Aangepaste grootte 5x5mm 0.5x0.5mm 4h-n breekt SIC platen af

Krijg Beste Prijs

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

Krijg Beste Prijs

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen

Krijg Beste Prijs

Video

Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

Krijg Beste Prijs

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Krijg Beste Prijs

3 4 5 6 7 8 9 10

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic substrat Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ sic substrat ] overeenkomen 274 PRODUCTEN

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Krijg Beste Prijs

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

Krijg Beste Prijs

3 4 5 6 7 8 9 10

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

[sic substrat ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse