Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic substrate ]

overeenkomen

296

PRODUCTEN

55mm/1010mm Siliconcarbide waferdikte 350μm Sic 3C-N type

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

2" InSb-Te EPI Substraten Smalband Halbleider Substraten Hallcomponenten

Krijg Beste Prijs

2 inch SIC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Voor MOS-apparaat Dia 0.4mm

Krijg Beste Prijs

Aangepaste van het het Carbidesubstraat van het Groottesilicium Hardheid 9,4 sic Delen voor Materiaal

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

Aangepaste grootte 5x5mm 0.5x0.5mm 4h-n breekt SIC platen af

Krijg Beste Prijs

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

Krijg Beste Prijs

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen

Krijg Beste Prijs

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Krijg Beste Prijs

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Krijg Beste Prijs

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

Krijg Beste Prijs

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

Krijg Beste Prijs

4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H Lage weerstand Hoog P-dopeerd Type Diameter 50,8 mm

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiaal Substraat MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grote diameter

Krijg Beste Prijs

4 5 6 7 8 9 10 11

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ sic substrate ] overeenkomen 296 PRODUCTEN

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

Krijg Beste Prijs

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Krijg Beste Prijs

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

Krijg Beste Prijs

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Krijg Beste Prijs

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

van het het Galliumnitride van 4inch 6inch het Wafeltje gaN-op-sic EPI Wafeltjes

Krijg Beste Prijs

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

Krijg Beste Prijs

4 5 6 7 8 9 10 11

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

[sic substrate ]

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

12 inch Sic Wafer Siliciumcarbide 4H-N Type Productie Kwaliteit Dummy Kwaliteit Grote Grootte

6 inch siliconcarbide semi-isolatieve SiC composiet substraat type P type N type Single polish Double polish productiekwaliteit

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

SiC Ingot 6 inch Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

12 inch Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrate Grote grootte Hoge zuiverheid Diameter 300mm Productklasse Voor 5G-communicatie

van het het Galliumnitride van 4inch 6inch het Wafeltje gaN-op-sic EPI Wafeltjes

Semi-isolatieve SiC op Si Compound Wafer 4H-SEMI substraat P type N type Dikte 500um

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse