2 inch N-type 6H polytype siliciumcarbidesubstraat opto-elektronica Galliumnitridegroei

Productbeschrijving

Dit.2 inch (50,8 mm) 6H-polytype, N-type Silicon Carbide waferis een hoogwaardig halfgeleidersubstraat ontworpen voor geavanceerd onderzoek en gespecialiseerde elektronische toepassingen.30,02 eV, deze wafer biedt een superieure thermische geleidbaarheid en een hoge afbraakveldsterkte in vergelijking met traditioneel silicium.

Het is gedopeerd met stikstof om een consistente N-type geleidbaarheid te bereiken en heeft een typisch weerstandsbereik van0.030 ¢ 0.080Ohm-cmHet substraat wordt met behulp van chemisch-mechanisch polijsten op het siliciumoppervlak tot een ruwheid op atoomschaal gepolijst (Ra < 0.5Het is de norm voor de ontwikkeling van de epitaxiale groei.330umdikte met een primaire vlakte gericht op de <1010>Het is een essentieel hulpmiddel voor de ontwikkeling van UV-sensoren, hoogtemperatuurelektronica en GaN-on-SiC-vermogencomponenten.

Kenmerken:

1.Grote bandgap
Het 6H-polytype biedt een robuuste bandgap van30,02 eV, die het traditionele silicium aanzienlijk overtreft in omgevingen met hoge spanning en hoge temperatuur.Deze fysische eigenschap maakt het materiaal in staat om de structurele en elektrische integriteit te behouden onder extreme thermische spanning, waardoor het een ideaal substraat is voor gespecialiseerde UV-opto-elektronica en stralingsgeharde sensoren die langdurige stabiliteit vereisen.

2. Precision Oppervlaktepolijsten

Elke wafer ondergaat een rigoureus chemisch-mechanisch polijstproces, wat resulteert in een siliciumzijde met een gladheid op atoomniveau (Ra < 0.5Deze ongerepte oppervlakte is van cruciaal belang voor een hoge opbrengst van epitaxiale groei,het minimaliseren van niet-conforme roosters en de verspreiding van defecten bij het deponeren van galliumnitride of extra siliconcarbide lagen voor de fabricage van apparaten.

3Uitstekende warmtegeleiding.

met een warmtegeleidbaarheid tot4.9 W/cm·K, dit N-type substraat fungeert als een zeer efficiënte warmteverspreider.het maakt een hogere vermogendichtheid mogelijk en vermindert de grootte en het gewicht van koelsystemen in compacte energie-modules.

Toepassingen:

Energie-elektronica en energieomzetting

De 2-inch 6H N-type Silicon Carbide wafer dient als een fundamentele bouwsteen voor geavanceerde krachtelektronica, met name in sectoren die een efficiënte energieomzetting vereisen.Vanwege zijn brede bandgap en hoge thermische geleidbaarheid, wordt het gebruikt voor de ontwikkeling van Schottky-barrierdioden en MOSFET's die veel verder gaan dan de thermische grenzen van traditioneel silicium.Deze componenten zijn essentieel voor het verminderen van energieverliezen in industriële motorenDoor hogere schakelfrequenties mogelijk te maken, helpt deze wafer ingenieurs om kleinere, lichtere en efficiëntere energie modules te ontwerpen.De Commissie heeft de Commissie verzocht om een verslag uit te brengen over de resultaten van de evaluatie van de resultaten van de evaluatie..

Opto-elektronica en UV-sensortechnologie

Op het gebied van opto-elektronica is 6H-SiC een primaire substratkeuze voor detectie van ultraviolet (UV) licht met hoge prestaties en gespecialiseerde LED-fabricage.Door de unieke elektronische structuur is het van nature "blind" voor zichtbaar licht, terwijl het zeer gevoelig blijft voor het UV-spectrum, die van cruciaal belang is voor vlamdetectie, raketwaarschuwingssystemen en milieubewaking.Deze wafers worden vaak gebruikt als basis voor het kweken van hoogwaardige epitaxiale lagen.. This synergy allows for the creation of high-brightness blue and violet light-emitting diodes and laser diodes that maintain consistent performance and longevity even when subjected to intense operational heat or radiation.

Onderzoek, ontwikkeling en testen van prototypes

Het 2-inch formaat van de 6H N-type wafer wordt speciaal gewaardeerd in academische en bedrijfsonderzoekslaboratoria voor proeflijntests en materiaalkenmerken. Its manageable size and cost-effectiveness allow researchers to experiment with novel thin-film deposition techniques and advanced lithography processes without the high overhead associated with larger-diameter production wafersHet is een onmisbaar hulpmiddel voor het bestuderen van de fysica van breedbandsemiconductoren, met inbegrip van dragermobiliteit en interfaceplekken op de SiC/SiO2-grens.Deze wafers versnellen de ontwikkeling van de volgende generatie hoogtemperatuur sensoren en stralingsgeharde elektronica voor ruimtevaartonderzoek, diepboren en andere extreme omgevingen waar standaard halfgeleiders onvermijdelijk zouden falen.

Technische parameters: