logo
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > Het Wafeltje van het indiumfosfide > DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor

Productdetails

Place of Origin: China

Merknaam: ZMSH

Betalings- en verzendvoorwaarden

Delivery Time: 2-4weeks

Payment Terms: T/T

Krijg Beste Prijs
Markeren:

2 inch InP-substraat epiwafer

,

4 inch InP substraat epiwafer

,

6 inch InP substraat epiwafer

Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Voorkracht:
>8
Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Voorkracht:
>8
DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor

DFB wafer N-InP substraat epiwafer's brief

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 0

Een Distributed Feedback (DFB) -wafer op een n-type Indiumfosfide (N-InP) -substraat is een kritisch materiaal dat wordt gebruikt bij de productie van hoogwaardige DFB-laserdioden.Deze lasers zijn essentieel voor toepassingen die eenmodus-DFB-lasers werken doorgaans in de golflengten van 1,3 μm en 1,55 μm.die optimaal zijn voor glasvezelcommunicatie vanwege de lage verliestransmissie in glasvezels.

DeInP-substraat van het type nbiedt een uitstekende rastermatching voor epitaxiale lagen, zoals InGaAsP, die worden gebruikt om het actieve gebied, bekledingslagen en de geïntegreerde roosterstructuur van de DFB-laser te vormen.Dit rooster maakt precieze feedback en golflengte controle mogelijk, waardoor het ideaal is voor langeafstandscommunicatie en wavelength division multiplexing (WDM) -systemen.

Belangrijkste toepassingen van DFB-epiwafers op N-InP-substraten zijn: hogesnelheidsoptische transceivers, datacenterinterconnecties, milieugassensoren,en medische beeldvorming door middel van optische coherentietomografie (OCT)De prestatie-eigenschappen van de wafer, zoals hoge snelheidsmodulatie, golflengte stabiliteit en smalle spectrale lijnbreedte, maken het onmisbaar voor moderne communicatie- en sensortechnologieën.


Eigenschappen van de DFB-wafer N-InP-substraat-epiwafer

Substraatmateriaal: N-type indiumfosfide (N-InP)

  • Gittermatching: Het N-InP-substraat zorgt voor een uitstekende roostermatching met epitaxiale lagen, zoals InGaAsP of InAlGaAs, waardoor gebreken en spanning worden verminderd, wat van cruciaal belang is voor betrouwbare,hoogwaardige laserbewerking.
  • Hoge elektronenmobiliteit: InP heeft een hoge elektronenmobiliteit, waardoor een efficiënt dragertransport mogelijk is, wat essentieel is voor hogesnelheids-DFB-lasers.
  • Directe bandgap: InP heeft een directe bandgap van 1,344 eV, waardoor een efficiënte lichtemissie in het infrarood spectrum mogelijk is, met name in de golflengten van 1,3 μm en 1,55 μm.

Actieve regio en epitaxiale lagen

  • InGaAsP/InAlGaAs actieve laagHet actieve gebied, meestal gemaakt van InGaAsP, is waar de elektron-gatrecombinatie plaatsvindt, waardoor fotonen worden gegenereerd.3 μm of 1.55 μm) voor optische communicatie.
  • Verpakkingslagen: Omringt het actieve gebied, zorgt voor optische opsluiting en zorgt ervoor dat het licht binnen het actieve gebied blijft voor efficiënte lasers.
  • Grietlaag: De DFB-structuur bevat een ingebouwd rooster dat feedback biedt voor eenmodische werking en precieze golflengtecontrole.

Operatiegolflengte

  • 10,3 μm en 1,55 μm: Deze golflengten zijn ideaal voor glasvezelcommunicatie vanwege minimale transmissieverliezen in glasvezels, waardoor de epiwafer cruciaal is voor telecomtoepassingen.
  • Eenmodus en smalle lijnbreedte

    • DFB-lasers zijn ontworpen voor enkelmoduswerking en produceren licht met een zeer smalle spectrale lijnbreedte.die van cruciaal belang is voor hoge snelheidsgegevensoverdracht en geluidsreductie in optische communicatiesystemen.

Stabiliteit van de golflengte

  • Geïntegreerde roosters: Het rooster in de DFB-structuur zorgt voor een stabiele golflengte-uitgang, waardoor de laser zeer betrouwbaar is voor communicatie op lange afstand en WDM-systemen.
  • Temperatuurstabiliteit: DFB-epiwafers op N-InP-substraten bieden een uitstekende temperatuurstabiliteit en zorgen voor een consistente prestatie in een breed temperatuurbereik.

Laagdrempelstroom

  • De geoptimaliseerde structuur van de DFB-laser op een N-InP-substraat leidt tot lage drempelstromen, wat betekent dat er minder stroom nodig is om lasers te starten, waardoor deze wafers zeer energiezuinig zijn.

Vermogen tot modulatie met hoge snelheid

  • Door de hoge elektronmobiliteit en de efficiënte dragerinspuiting in InP zijn DFB-lasers op N-InP-substraten in staat tot hoge snelheidsmodulatie.Het maakt ze ideaal voor gebruik in hogesnelheidsoptische transceivers en datacenterinterconnecties.


DFB wafer N-InP substraat epiwafer PL mapping testZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 1


XRD- en ECV-testresultaat van de DFB-wafer N-InP-substraat-epiwafer

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 2


DFB-wafer N-InP-substraat epiwafer toepassingen

DFB (Distributed Feedback) -wafers op n-type Indiumfosfide (N-InP) -substraten zijn cruciaal in verschillende hoogwaardige opto-elektronica-toepassingen, met name waar single-mode,een lichtemissie met een smalle lijnbreedte vereist isHieronder zijn de belangrijkste toepassingen:

Optische communicatie

  • DFB-lasers op N-InP-substraten worden veel gebruikt in optische communicatiesystemen op lange afstand.55 μm is optimaal voor het minimaliseren van signaalverlies in optische vezels, waardoor zij ideaal zijn voor de hogesnelheidsgegevensoverdracht.
  • WDM (Wavelength Division Multiplexing) -systemen: In dichte WDM-systemen worden DFB-lasers gebruikt om precieze golflengten voor verschillende kanalen te genereren.Hun smalle lijnbreedte en golflengte stabiliteit zijn essentieel voor het maximaliseren van het aantal kanalen in het optische spectrum.

Interconnecties van datacenters

  • High-Speed Data Transmission: DFB-lasers worden gebruikt in optische transceivers die worden gebruikt voor korte tot middellange afstands-high-speed data-overdracht binnen datacenters.Hun hoogfrequente modulatiecapaciteit en laag stroomverbruik zijn van cruciaal belang voor energiezuinige bedrijfsvoering.

Omgevingsgasdetectie

  • Gasdetectie: DFB-lasers worden gebruikt in omgevingsgassensoren om specifieke gassen, zoals CO2 en CH4, te detecteren.zeer gevoelige metingen kunnen worden uitgevoerd voor industriële en milieubewakingstoepassingen.
  • Laser Absorptiespectroscopie: DFB-lasers bieden een smalle lijnbreedte en een stabiele output, waardoor ze ideaal zijn voor nauwkeurige gassensoren en spectroscopie-toepassingen.

Medische diagnose (optische coherentietomografie - OCT)

  • Ophthalmologie en Dermatologie: DFB-lasers worden gebruikt in optische coherentietomografie (OCT) -systemen, die veel worden gebruikt voor beeldvorming met hoge resolutie van biologische weefsels.De smalle spectrale lijnbreedte en de stabiele golflengte helpen om heldere en gedetailleerde beelden te genereren, essentieel voor niet-invasieve diagnose in de oog- en dermatologie.

LIDAR-systemen (lichtdetectie en -bereik)

  • Autonome voertuigen en 3D-mapping: DFB-lasers worden gebruikt in LIDAR-systemen voor het meten van afstanden en het in kaart brengen van omgevingen.Hun smalle lijnbreedte en stabiele prestaties zorgen voor nauwkeurige afstandenmetingen en voor objectdetectie bij autonoom rijden, drones, en 3D-kaartsystemen.

Satelliet- en ruimtevaartcommunicatie

  • Hoogfrequente communicatie: DFB-lasers worden in satellietcommunicatiesystemen gebruikt om hoogfrequente, langeafstandsgegevenssignalen over te brengen.Hun golflengte stabiliteit en laag stroomverbruik zijn van vitaal belang voor betrouwbare ruimtecommunicatie, waar de temperatuur en de omgevingsomstandigheden kunnen variëren.

Fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's)

  • Geïntegreerde opto-elektronica: DFB-epiwafers worden gebruikt in fotonische geïntegreerde circuits (PIC's), die meerdere optische componenten, zoals lasers, modulatoren en detectoren, op één chip combineren.Deze circuits zijn essentieel voor toepassingen in de hogesnelheidscommunicatie en signaalverwerking.

Militair en ruimtevaart

  • Beveiligde communicatie en doelstelling: DFB-lasers worden in militaire toepassingen gebruikt voor veilige, hoogfrequente communicatie.Hun smalle lijnbreedte en golflengte stabiliteit zijn cruciaal voor het minimaliseren van signaal interferentie in complexe communicatie omgevingen.
  • Precision Targeting: In de lucht- en ruimtevaart en defensie worden DFB-lasers gebruikt voor het richten en begeleiden van systemen die een nauwkeurige golflengtecontrole en stabiliteit vereisen.

Precieze spectroscopie

  • Wetenschappelijk onderzoek: DFB-lasers worden gebruikt in precisie-spectroscopie voor gedetailleerde analyse van materialen en chemische samenstellingen.Hun smalle lijnbreedte en instelbare golflengte maken ze ideaal voor nauwkeurige metingen in wetenschappelijk onderzoek en industriële toepassingen.


DFB wafer N-InP substraat epiwafer echte foto's

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 3DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 4

DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 5DFB wafer N-InP substraat epiwafer actieve laag InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch voor gassensor 6


Sleutelwoorden:DFB-wafe,r N-InP-substraat epiwafer,actieve laag InGaAlAs/InGaAsP