InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Dikte 500um <100> Op maat

Kenmerken van InAs-Zn-wafer

- gebruik maken van InAs-wafers voor de vervaardiging

- ondersteuning van op maat gemaakte met design artwork

- direct bandgap, licht efficiënt uitzendt, gebruikt in lasers.

- met een golflengte van 1,5 μm tot 5,6 μm, kwantumputstructuren

- met behulp van technieken zoals MOCVD of MBE, etsen, metalliseren en verpakken om de uiteindelijke vorm van het apparaat te bereiken

Beschrijvingen van InAs-ZnWafers

Indiumarsenide (InAs) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat veel wordt gebruikt op gebieden zoals infrarooddetectoren en lasers vanwege de smalle bandkloof (ongeveer 0,354 eV).
InAs bestaat meestal in de vorm van een kubisch kristalsysteem, en door de hoge elektronenmobiliteit presteert het goed in hogesnelheidselektronica.
InAs-wafers van hoge kwaliteit kunnen worden verbouwd met behulp van technieken zoals moleculaire straal-epitaxie (MBE) of metaalorganische chemische dampdepositie (MOCVD).met een vermogen van meer dan 10 W, met name in de banden 3-5 μm en 8-12 μm.

Bovendien kan de zink (Zn) gedopeerde InAs-structuur haar geleidbaarheid aanpassen om p- of n-type halfgeleiders te vormen, waardoor de elektrische eigenschappen worden geoptimaliseerd.
De ontwikkeling van kwantumputten en kwantumpuntstructuren heeft het toepassingspotentieel van InAs op het gebied van opto-elektronica verder uitgebreid.
De kwantumdottechnologie stelt InAs in staat een belangrijke rol te spelen in opkomende gebieden zoals quantumcomputing en bioimaging.
Met de toenemende vraag naar hoogwaardige infraroodapparaten en kwantumtechnologieën zijn de onderzoeks- en toepassingsvooruitzichten van InAs en de daarbij behorende gedopte materialen breed.

Details van InAs-ZnWafers

Monsters vanAs-ZnWafers
'
* Neem gerust contact met ons op als u de op maat gemaakte eisen heeft.

Over ons