Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN silicon substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[silicon substrate ]

overeenkomen

329

PRODUCTEN

4inch 6Inch 4h-n 500mm van het het wafeltjesilicium van 350um SIC van het het Carbide sic Substraat de Eerste Proefrang

Krijg Beste Prijs

10x15mm het Oxydegaas van het 100 Richtlijngallium Substraat 100 Richtlijn met Gesmeerde Fe

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 3C-N Type 50.8mm Diameter Productiekwaliteit Onderzoekskwaliteit Dummy-kwaliteit

Krijg Beste Prijs

6 inch 8 inch 4H-SEMI SiC Substraat voor AR Brillen Optische Kwaliteit

Krijg Beste Prijs

Video

6h-n 4h-n sic het Carbidewafeltje van het Substraten2inch 0.33mm 0.43mm Silicium

Krijg Beste Prijs

6" hoogzuiverheids silicium 4H-Semi SIC dummy-graad halfgeleiderwafers LED 5G D-graad

Krijg Beste Prijs

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch warmtebestendige transparante monokristallijn kwarts kristal substraat voor SAW apparaten

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Krijg Beste Prijs

Video

10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4h-SEMI SIC Siliciumcarbide Wafersubstrate

Krijg Beste Prijs

Proef het Wafeltjedia150mm Dikte 4h-n 500mm van het Rang6inch sic Substraat

Krijg Beste Prijs

Video

van het het Siliciumcarbide van 2sp 4h-SEMI 4h-n SIC Wafeltje 10 X 10 X 0.5mm

Krijg Beste Prijs

Video

12 van het Kwartswafeltjes van duimsapphire wafers BF33 de Substraten DSP

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

Monocrystalline het Siliciumwafeltje van de testrang, het Hoge Wafeltje van het Weerstandsvermogensilicium

Krijg Beste Prijs

Video

Opgepoetste Dubbele Zijal2o3 van het Saffierwafeltje de Slijtageweerstand van het Enig Kristalsubstraat

Krijg Beste Prijs

6 7 8 9 10 11 12 13

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN silicon substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Uw zoektocht [ silicon substrate ] overeenkomen 329 PRODUCTEN

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

Krijg Beste Prijs

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat 4H-P Type Off Axis 4.0°towards Zero Grade Voor Temperatuur Sensor

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch 4H-SEMI SiC-substraat voor AR-brillen en 5G RF-apparaten

Krijg Beste Prijs

4 van het de Substraten2inch 3inch 4inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating sic het Carbidewafeltjes

Krijg Beste Prijs

6 7 8 9 10 11 12 13

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

[silicon substrate ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Sic Siliciumcarbide substraat type 6H-P op as 0° Mohs hardheid 9.2 voor laserapparaat

​​3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie​​

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat 4H-P Type Off Axis 4.0°towards Zero Grade Voor Temperatuur Sensor

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

6 inch 4H-SEMI SiC-substraat voor AR-brillen en 5G RF-apparaten

4 van het de Substraten2inch 3inch 4inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating sic het Carbidewafeltjes

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie