Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[silicon carbide substrate ]

overeenkomen

213

PRODUCTEN

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ silicon carbide substrate ] overeenkomen 213 PRODUCTEN

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

Sapphire Crystal Growth Furnace CZ methode Czochralski Furnace produceert sapphirekristallen van hoge kwaliteit

Krijg Beste Prijs

GaN On Diamond And Dimond bij GaN Wafer By Epitaxial-HEMT en het Plakken

Krijg Beste Prijs

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

Video

Hoogprecisie enkelzijdige polijstapparatuur voor Si-wafers/SiC/Saffier materialen

Krijg Beste Prijs

Video

Meerdere draden diamantzaag snijmachine voor SiC/safir/ultraharde broze materialen

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Keramische snijapparatuur Enkelvoudige draad/Meervoudige draad diamantdraadsnijden

Krijg Beste Prijs

11 12 13 14 15 16 17 18

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

[silicon carbide substrate ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Sapphire Crystal Growth Furnace CZ methode Czochralski Furnace produceert sapphirekristallen van hoge kwaliteit

GaN On Diamond And Dimond bij GaN Wafer By Epitaxial-HEMT en het Plakken

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

​​Hoogprecisie enkelzijdige polijstapparatuur voor Si-wafers/SiC/Saffier materialen​​

Meerdere draden diamantzaag snijmachine voor SiC/safir/ultraharde broze materialen

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

​Keramische snijapparatuur Enkelvoudige draad/Meervoudige draad diamantdraadsnijden

Hoogprecisie enkelzijdige polijstapparatuur voor Si-wafers/SiC/Saffier materialen

Keramische snijapparatuur Enkelvoudige draad/Meervoudige draad diamantdraadsnijden