Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[silicon carbide substrate ]

overeenkomen

199

PRODUCTEN

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN silicon carbide substrate Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Uw zoektocht [ silicon carbide substrate ] overeenkomen 199 PRODUCTEN

Video

Diamantdraad Drievoudige-Station Enkele-Draad Snijmachine voor SiC / Saffier / Silicium Verwerking

Krijg Beste Prijs

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

Krijg Beste Prijs

4 inch GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 inch 8 inch Hardheid 9.0 Mohs Voor Power RF LED

Krijg Beste Prijs

De transparante SIC 4h-SEMI Customzied Grootte van Crystal Optical Lens

Krijg Beste Prijs

SIC-snijmachine voor het snijden van diamantdraad Precisie-leiding SIC-snijmachine voor het snijden van kristalstaven

Krijg Beste Prijs

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

Krijg Beste Prijs

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

Sapphire Crystal Growth Furnace CZ methode Czochralski Furnace produceert sapphirekristallen van hoge kwaliteit

Krijg Beste Prijs

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Krijg Beste Prijs

10 11 12 13 14 15 16 17

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

[silicon carbide substrate ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Diamantdraad Drievoudige-Station Enkele-Draad Snijmachine voor SiC / Saffier / Silicium Verwerking

Sic optische lens 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI vorm en grootte aangepast 6SP Dikte 10.05

4 inch GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 inch 8 inch Hardheid 9.0 Mohs Voor Power RF LED

De transparante SIC 4h-SEMI Customzied Grootte van Crystal Optical Lens

SIC-snijmachine voor het snijden van diamantdraad Precisie-leiding SIC-snijmachine voor het snijden van kristalstaven

Het Materiaal van de de Wafeltjeshalfgeleider van 4h-n 4inch 6inch sic voor SBD MOS Device

SIC-kristalgroeioven PVT LPE HT-CVD

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Sapphire Crystal Growth Furnace CZ methode Czochralski Furnace produceert sapphirekristallen van hoge kwaliteit

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm​​

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm