3 inch / 4 inch / 6 inch / 8 inch Lithium Niobate Thin Film LNOI wafers met optisch verlies < 0,05 DB/cm

3 inch/4 inch/6 inch/8 inch Lithium Niobate Thin Film LNOI wafers met optisch verlies < 0,05 dB/cm

LNOI (Lithium Niobate on Insulator) -wafers zijn een hoogwaardig geïntegreerd fotonica-substraat dat is vervaardigd met behulp van geavanceerde waferbindingstechnologieën (bijv. Smart CutTM of directe binding),het integreren van eenkristallijn LiNbO3-dunne films (100nm-1μm dik) op isolatiesubstraten (zoals SiO2/Si of saffier). ZMSH levert 4 inch, 6 inch en maat LNOI wafers ondersteunen meerdere kristal oriëntatie (X-cut, Y-cut, Z-cut), met aanpasbare film doping (bijv.MgO-doping om de drempel voor optische schade te verhogen) en de dikte van de begraven oxidelaag (100nm-2μm). Substraatopties omvatten silicium, kwarts of siliciumcarbide om aan diverse opto-elektronica-integratiebehoeften te voldoen. ZMSH biedt uitgebreide technische ondersteuning van ontwerp tot massaproductie,inclusief filmoptimalisatie, golfgeleider etsen, en testdiensten op apparaatniveau, waardoor geavanceerde toepassingen in hoge snelheid optische communicatie en quantum computing mogelijk zijn.

Specificatie voor X-cut Lithium Niobate op Isolator (LNOI) wafers

Belangrijkste kenmerken vanLNOI wafers

(1) Ultra laag optisch verlies: Waveguide verspreidingsverlies < 0,05 dB/cm (1550 nm band), 10x lager dan conventionele LiNbO3-apparaten.

(2) Sterk elektro-optisch effect: Effectieve elektro-optische coëfficiënt (r33) tot 90 pm/V (3x versterking via optische veldbeperking), waardoor ultralage spanningsmodulatie (Vπ~1V) mogelijk is.

(3) Hoge integratiedichtheid: Ondersteunt submicrongolfleiders (breedte < 1 μm), waardoor de voetafdruk van het apparaat met 100x wordt verminderd in vergelijking met LiNbO3 in bulk.

(4) CMOS-compatibiliteit: maakt heterogene integratie mogelijk met siliciumfotonica (SiPh) en siliciumnitride (SiN) platforms voor multifunctionele fotonische chips.

(5) Thermische stabiliteit: Curie­temperatuur tot 1140°C, geschikt voor verpakkingsprocessen bij hoge temperatuur.

Primaire toepassingen vanLNOI wafers

1. Optische communicatie met hoge snelheid: Het sterke elektro-optische effect van LNOI maakt het ideaal voor 200Gbps+ coherente optische modules, zoals dunne film LiNbO3-modulatoren (bandbreedte > 100GHz).

2Quantumoptica.: lage verlieskenmerken ondersteunen verweven fotonenpaar generatie en quantumtoestand manipulatie voor schaalbare quantum computing netwerken.

3. Microwavefotonica: In combinatie met piezo-elektrische effecten, maakt het optische fasenarray en microgolvenfotonische filters mogelijk (die 5G/6G mmWave-banden bestrijken).

4Niet-lineaire optica: Hoge niet-lineaire coëfficiënt (χ(2)) geschikt voor frequentiekamen en parametrische versterkingsapparatuur.

5. Sensorische toepassingen: wordt gebruikt in biochemische sensoren met een hoge gevoeligheid (bijv. LNOI-microringresonatoren op basis van silicium).

Diensten van ZMSH

Als toonaangevende leverancier van geïntegreerde fotonica-substraten levert ZMSH technische diensten met een volledig spectrum die de gehele LNOI-waardeketen bestrijken, waaronder op maat gemaakte dunnefilmontwerp (bijv.LiNbO3 met gradiënt-doping, ontwikkeling van bindprocessen op waferniveau (met ondersteuning van SiO2, AlN en andere isolatielagen), nanofabricatie (EBL en IBE) en prestatieverificatie op apparaatniveau (bijv.electro-optische responsonderzoek en THz-kenmerken). ZMSH heeft een kleine productie van 6-inch LNOI-wafers met een rendement van > 90% bereikt,Het project is gericht op het ontwikkelen van 8-inch LNOI en heterogene integratietechnologieën (e) en werkt samen met wereldwijde onderzoeksinstellingen aan het ontwikkelen van 8-inch LNOI en heterogene integratietechnologieën (e).De toekomstige O&O richt zich op het verminderen van het inbrengverlies (doelstelling < 0.02 dB/cm) en verbetering van de modulatie-efficiëntie (r33-optimalisatie tot 120 pm/V) om te voldoen aan de vraag naar 800G-optische communicatie en quantuminternet.