logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis ProductenHalfgeleidermateriaal

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (87)
Sic Substraat (131)
Saffier Optische Vensters (76)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (12)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Ik ben online Chatten Nu

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie

​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​
​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​ ​​XRD-Based Wafer Orientation Instrument for High-Precision Cutting Angle Determination​​

Grote Afbeelding :  XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMSH
Certificering: rohs
Modelnummer: Wafer Oriëntatie Instrument
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 3
Prijs: by case
Verpakking Details: Verpakking in een cleanroom van klasse 100
Levertijd: 3-6 maanden
Betalingscondities: t/t
Levering vermogen: 1000 stuks per maand
Contact
Gedetailleerde productomschrijving
Röntgensysteem​​: Röntgenstraalbuis Grootte van het monster: Wafer: 2 ′′12 inch; Ingot: ≤ 200 mm (diameter) × 500 mm (lengte)
Hoekbereik: θ: -10° tot +50°, 2θ: -10° tot +110° Oriëntatie nauwkeurigheid: ±10″–±30″ (hoogprecisiemodellen: ±3″)
Beweging op meerdere assen: X/Y/Z-aspositie, 360° rotatie ±15°, kantelregeling Scansnelheid: Volledige oriëntatie in 10 sec (volledig geautomatiseerd)
toepassingen: Vervaardiging van halfgeleiders, verwerking van optische materialen
Markeren:

Instrument voor het bepalen van de snijhoek en waferoriëntatie

,

Hoge precisie waferoriëntatie-instrument

 Overzicht van Apparatuur voor Waferoriëntatie-instrumenten​

  

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie 0

 

​​XRD-gebaseerd Waferoriëntatie-instrument voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie​​

 

 

Een waferoriëntatie-instrument is een zeer nauwkeurig apparaat gebaseerd op ​​Röntgen diffractie (XRD)​​ technologie, ontworpen voor de halfgeleider- en optische materiaalindustrieën om de kristalroosteroriëntatie en snijhoeken te bepalen. De belangrijkste componenten zijn:

 

  • ​​Röntgenstralengeneratiesysteem​​: Koper- of molybdeendoelwit röntgenbuizen met een focusvlek van 0,4×1 mm, buisspanning van 30–50 kV en buisstroom van 0–5 mA.
  • ​​Goniometer​​: Dual-axis (Ω-θ) koppeling ontwerp dat ±0,001° hoekresolutie en rocking curve analyse ondersteunt.
  • ​​Monstertafel​​: V-groef of vlakke uitlijningsstructuur, compatibel met 2–12-inch wafers en grote ingots (≤20 kg).
  • ​​Automatisatiemodule​​: Stapelapparaat voor gelijktijdige positionering van 12 ingots, waardoor de productie-efficiëntie wordt verhoogd.

 

 

 

Uitgebreide Technische Specificaties van Waferoriëntatie-instrument


 

​​Parametercategorie​​ ​​Parameter​​ ​​Specificaties/Beschrijving​​
​​Röntgenstralensysteem​​


 		 Röntgenbuis Koper (Cu) doelwit, focusvlek 0,4×1 mm, luchtgekoeld
Röntgenstralenspanning/stroom 30 kV, 0–5 mA instelbaar
Detectortype Geiger-Müller buis (lage energie) of scintillatieteller (hoge energie)
Tijdconstante 0,1/0,4/3 sec instelbaar
​​Goniometer​​



 		 Monstergrootte Wafer: 2–12 inch; Ingot: ≤200 mm (diameter) × 500 mm (lengte)
Hoekbereik θ: -10° tot +50°, 2θ: -10° tot +110°
Oriëntatienauwkeurigheid ±10″–±30″ (hoogprecisiemodellen: ±3″)
Hoekresolutie Minimum aflezing: 1″ (digitaal) of 10″ (schaal)
Scansnelheid Volledige oriëntatie in 10 sec (volledig geautomatiseerd)
​​Automatisering & Besturing​​

 		 Monstertafel V-groef (2–8 inch wafers), rand/OF uitlijning, 1–50 kg capaciteit
Multi-as beweging X/Y/Z-as positionering, 360° rotatie ±15°, kantelbesturing
Interface PLC/RS232/Ethernet, MES-compatibel
​​Fysische Specificaties​​


 		 Afmetingen 1130×650×1200 mm (L×B×H)
Gewicht 150–300 kg
Stroomvereisten Eenfasig 220V±10%, 50/60 Hz, ≤0,5 kW
Geluidsniveau <65 dB (in bedrijf)
​​Geavanceerde Functies​​

 		 Gesloten-lus Spanningsregeling Real-time monitoring, 0,1–1,0 MPa spanningsregeling
AI-gestuurde Optimalisatie Defectdetectie, voorspellende onderhoudswaarschuwingen
Multi-materiaal Compatibiliteit Ondersteunt kubische (Si), hexagonale (saffier) en asymmetrische kristallen (YAG)

 

 

 

Waferoriëntatie-instrument Werkingsprincipe

 

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie 1

Het apparaat werkt via ​Röntgen diffractie​​ en ​​Omega scanning​​ technologieën:

 

 

​​1. Röntgen diffractie​​:

  • Röntgenstralen die onder Bragg-hoeken op het kristaloppervlak vallen, genereren diffractiesignalen, waardoor de berekening van de roosterafstand en oriëntatie mogelijk wordt.
  • Rocking curve scanning evalueert roosterdefecten en oppervlaktespanning.

​​

 

2. Omega Scanning​​:

  • Het kristal roteert rond een vaste as terwijl de röntgenbuis en detector stationair blijven, waardoor dynamisch diffractiegegevens onder meerdere hoeken worden verzameld voor een volledige roostermapping in 5 seconden.
  • Geïntegreerde X/Y/Z-as beweging maakt 3D kristallografische oriëntatie mogelijk.

​​

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie 2

3. Geautomatiseerde Besturing​​:

  • PLC- of computergestuurde monsterrotatie en data-acquisitie, ondersteuning van vooraf ingestelde snijparameters (bijv. 8° of 32° sneden voor siliciumwafers).

 

 

 

 

 

Waferoriëntatie-instrument Belangrijkste Kenmerken & Voordelen​

 

 

​​Kenmerk​​

 

​​Beschrijving​​

 

​​Technische Parameters/Casestudies​​

 

​​Ultra-Hoge Precisie​​

 

Omega scanning nauwkeurigheid ±0,001°, Rocking Curve FWHM resolutie <0,005°

 

Snijfout siliciumcarbide wafer ≤±0,5°

 

​​Hoge-Snelheid Meting

​​

Enkele scan acquisitie van alle kristallografische gegevens, 200× sneller dan handmatig

 

Batchtesten van siliciumwafers: 120 wafers/uur

 

​​Multi-Materiaal Compatibiliteit

​​

Ondersteunt kubische (Si), hexagonale (saffier) en asymmetrische kristallen (YAG)

 

Toepasbare materialen: SiC, GaN, kwarts, granaat

 

​​AI Integratie​​

 

Deep learning algoritmen voor defectdetectie, real-time procesoptimalisatie

 

Defectsortering vermindert afvalpercentage tot <1%

 

​​Modulair Ontwerp​​

 

Uitbreidbaar X-Y platform voor 3D mapping of EBSD integratie

 

Detectie van dislocatiedichtheid van siliciumwafers ≤100 cm⁻²

 

 

 

 

 

Waferoriëntatie-instrument Toepassingsgebieden​

 

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie 3

1. Halfgeleiderfabricage​​:

  • ​​Silicium Wafer Snijden​​: Bepaalt <100> en <111> oriëntaties, waardoor snijverlies wordt geminimaliseerd (<5%).
  • ​​Siliciumcarbide (SiC) Wafers​​: 8° off-cut proces verbetert de doorslagspanning van het apparaat, verliespercentage <10%.

 

2. ​​Verwerking van Optische Materialen​​:

  • ​​Saffier Substraten​​: Snijdt LED-chips met ±0,1° precisie om het verlies van lichtefficiëntie te verminderen.
  • ​​YAG Laser Kristallen​​: Nauwkeurig snijden van laseresonatoroppervlakken voor superieure straalkwaliteit.

 

3. ​​Hoge-Temperatuur Legeringen & Keramiek​​:

  • ​​Turbinebladen​​: Oriëntatiecontrole van nikkelgebaseerde legeringen verbetert de hoge-temperatuurbestendigheid (>1200°C).
  • ​​Zirkoniumoxide Keramiek​​: Snijdt smartphone achterplaten met een uniforme dikte van ±0,02 mm.

 

4. ​​Onderzoek & Kwaliteitscontrole​​:

  • ​​Kristal Defect Analyse​​: Brengt dislocatiedichtheid in kaart via rocking curves (<10³ cm⁻²).
  • ​​Nieuw Materiaal R&D​​: Evalueert de roosteroriëntatie van perovskiet zonnecellen voor fotovoltaïsche efficiëntie.

 

 

 

Waferoriëntatie-instrument FAQ

 

 

1. V: Hoe kalibreer je een waferoriëntatie-instrument?​​

​​    A:​​ Kalibratie omvat het uitlijnen van de röntgenbron en detector met behulp van referentiekristallen, wat doorgaans ​​<0,001° hoeknauwkeurigheid​​ en geautomatiseerde softwareaanpassingen voor precisie vereist.

 

 

​​2. V: Wat is de typische nauwkeurigheid van een waferoriëntatie-instrument?​​

​​    A:​​ High-end modellen bereiken ​​±0,001° precisie​​, cruciaal voor het snijden van halfgeleiderwafers en kristaldefectanalyse in industrieën zoals fotovoltaïek en geavanceerde keramiek.

 

 

 

Tags: #Waferoriëntatie-instrument, #XRD-gebaseerd, #Saffier, #SiC, #Hoge-precisie snijden, # Hoekbepaling​​

​

 
 

label:

4 inch SiC ingot groeiende oven,

8 inch SiC ingot groeiende oven,

6 inch SiC ingot groeiende oven

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.