details van de producten

Huis PRODUCTEN

XRD-gebaseerd instrument voor waferoriëntatie voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie

Merknaam:	ZMSH
Modelnummer:	Wafer Oriëntatie Instrument
MOQ:	3
Prijs:	by case
Leveringstermijn:	3-6 maanden
Betalingsvoorwaarden:	t/t

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Certificering:

rohs

Röntgensysteem:

Röntgenstraalbuis

Grootte van het monster:

Wafer: 2 ′′12 inch; Ingot: ≤ 200 mm (diameter) × 500 mm (lengte)

Hoekbereik:

θ: -10° tot +50°, 2θ: -10° tot +110°

Oriëntatie nauwkeurigheid:

±10″–±30″ (hoogprecisiemodellen: ±3″)

Beweging op meerdere assen:

X/Y/Z-aspositie, 360° rotatie ±15°, kantelregeling

Scansnelheid:

Volledige oriëntatie in 10 sec (volledig geautomatiseerd)

toepassingen:

Vervaardiging van halfgeleiders, verwerking van optische materialen

Verpakking Details:

Verpakking in een cleanroom van klasse 100

Levering vermogen:

1000 stuks per maand

Markeren:

Instrument voor het bepalen van de snijhoek en waferoriëntatie

Hoge precisie waferoriëntatie-instrument

Productomschrijving

Overzicht van Apparatuur voor Waferoriëntatie-instrumenten

XRD-gebaseerd Waferoriëntatie-instrument voor het bepalen van de snijhoek met hoge precisie

Een waferoriëntatie-instrument is een zeer nauwkeurig apparaat gebaseerd op Röntgen diffractie (XRD) technologie, ontworpen voor de halfgeleider- en optische materiaalindustrieën om de kristalroosteroriëntatie en snijhoeken te bepalen. De belangrijkste componenten zijn:

Röntgenstralengeneratiesysteem: Koper- of molybdeendoelwit röntgenbuizen met een focusvlek van 0,4×1 mm, buisspanning van 30–50 kV en buisstroom van 0–5 mA.
Goniometer: Dual-axis (Ω-θ) koppeling ontwerp dat ±0,001° hoekresolutie en rocking curve analyse ondersteunt.
Monstertafel: V-groef of vlakke uitlijningsstructuur, compatibel met 2–12-inch wafers en grote ingots (≤20 kg).
Automatisatiemodule: Stapelapparaat voor gelijktijdige positionering van 12 ingots, waardoor de productie-efficiëntie wordt verhoogd.

Uitgebreide Technische Specificaties van Waferoriëntatie-instrument

Parametercategorie	Parameter	Specificaties/Beschrijving
Röntgenstralensysteem	Röntgenbuis	Koper (Cu) doelwit, focusvlek 0,4×1 mm, luchtgekoeld
	Röntgenstralenspanning/stroom	30 kV, 0–5 mA instelbaar
	Detectortype	Geiger-Müller buis (lage energie) of scintillatieteller (hoge energie)
	Tijdconstante	0,1/0,4/3 sec instelbaar
Goniometer	Monstergrootte	Wafer: 2–12 inch; Ingot: ≤200 mm (diameter) × 500 mm (lengte)
	Hoekbereik	θ: -10° tot +50°, 2θ: -10° tot +110°
	Oriëntatienauwkeurigheid	±10″–±30″ (hoogprecisiemodellen: ±3″)
	Hoekresolutie	Minimum aflezing: 1″ (digitaal) of 10″ (schaal)
	Scansnelheid	Volledige oriëntatie in 10 sec (volledig geautomatiseerd)
Automatisering & Besturing	Monstertafel	V-groef (2–8 inch wafers), rand/OF uitlijning, 1–50 kg capaciteit
	Multi-as beweging	X/Y/Z-as positionering, 360° rotatie ±15°, kantelbesturing
	Interface	PLC/RS232/Ethernet, MES-compatibel
Fysische Specificaties	Afmetingen	1130×650×1200 mm (L×B×H)
	Gewicht	150–300 kg
	Stroomvereisten	Eenfasig 220V±10%, 50/60 Hz, ≤0,5 kW
	Geluidsniveau	<65 dB (in bedrijf)
Geavanceerde Functies	Gesloten-lus Spanningsregeling	Real-time monitoring, 0,1–1,0 MPa spanningsregeling
	AI-gestuurde Optimalisatie	Defectdetectie, voorspellende onderhoudswaarschuwingen
	Multi-materiaal Compatibiliteit	Ondersteunt kubische (Si), hexagonale (saffier) en asymmetrische kristallen (YAG)

Waferoriëntatie-instrument Werkingsprincipe

Het apparaat werkt via Röntgen diffractie en Omega scanning technologieën:

1. Röntgen diffractie:

Röntgenstralen die onder Bragg-hoeken op het kristaloppervlak vallen, genereren diffractiesignalen, waardoor de berekening van de roosterafstand en oriëntatie mogelijk wordt.
Rocking curve scanning evalueert roosterdefecten en oppervlaktespanning.

2. Omega Scanning:

Het kristal roteert rond een vaste as terwijl de röntgenbuis en detector stationair blijven, waardoor dynamisch diffractiegegevens onder meerdere hoeken worden verzameld voor een volledige roostermapping in 5 seconden.
Geïntegreerde X/Y/Z-as beweging maakt 3D kristallografische oriëntatie mogelijk.

3. Geautomatiseerde Besturing:

PLC- of computergestuurde monsterrotatie en data-acquisitie, ondersteuning van vooraf ingestelde snijparameters (bijv. 8° of 32° sneden voor siliciumwafers).

Waferoriëntatie-instrument Belangrijkste Kenmerken & Voordelen

Kenmerk

Beschrijving

Technische Parameters/Casestudies

Ultra-Hoge Precisie

Omega scanning nauwkeurigheid ±0,001°, Rocking Curve FWHM resolutie <0,005°

Snijfout siliciumcarbide wafer ≤±0,5°

Hoge-Snelheid Meting

Enkele scan acquisitie van alle kristallografische gegevens, 200× sneller dan handmatig

Batchtesten van siliciumwafers: 120 wafers/uur

Multi-Materiaal Compatibiliteit

Ondersteunt kubische (Si), hexagonale (saffier) en asymmetrische kristallen (YAG)

Toepasbare materialen: SiC, GaN, kwarts, granaat

AI Integratie

Deep learning algoritmen voor defectdetectie, real-time procesoptimalisatie

Defectsortering vermindert afvalpercentage tot <1%

Modulair Ontwerp

Uitbreidbaar X-Y platform voor 3D mapping of EBSD integratie

Detectie van dislocatiedichtheid van siliciumwafers ≤100 cm⁻²

Waferoriëntatie-instrument Toepassingsgebieden

1. Halfgeleiderfabricage:

Silicium Wafer Snijden: Bepaalt <100> en <111> oriëntaties, waardoor snijverlies wordt geminimaliseerd (<5%).
Siliciumcarbide (SiC) Wafers: 8° off-cut proces verbetert de doorslagspanning van het apparaat, verliespercentage <10%.

2. Verwerking van Optische Materialen:

Saffier Substraten: Snijdt LED-chips met ±0,1° precisie om het verlies van lichtefficiëntie te verminderen.
YAG Laser Kristallen: Nauwkeurig snijden van laseresonatoroppervlakken voor superieure straalkwaliteit.

3. Hoge-Temperatuur Legeringen & Keramiek:

Turbinebladen: Oriëntatiecontrole van nikkelgebaseerde legeringen verbetert de hoge-temperatuurbestendigheid (>1200°C).
Zirkoniumoxide Keramiek: Snijdt smartphone achterplaten met een uniforme dikte van ±0,02 mm.

4. Onderzoek & Kwaliteitscontrole:

Kristal Defect Analyse: Brengt dislocatiedichtheid in kaart via rocking curves (<10³ cm⁻²).
Nieuw Materiaal R&D: Evalueert de roosteroriëntatie van perovskiet zonnecellen voor fotovoltaïsche efficiëntie.

Waferoriëntatie-instrument FAQ

1. V: Hoe kalibreer je een waferoriëntatie-instrument?

A: Kalibratie omvat het uitlijnen van de röntgenbron en detector met behulp van referentiekristallen, wat doorgaans <0,001° hoeknauwkeurigheid en geautomatiseerde softwareaanpassingen voor precisie vereist.

2. V: Wat is de typische nauwkeurigheid van een waferoriëntatie-instrument?

A: High-end modellen bereiken ±0,001° precisie, cruciaal voor het snijden van halfgeleiderwafers en kristaldefectanalyse in industrieën zoals fotovoltaïek en geavanceerde keramiek.

Tags: #Waferoriëntatie-instrument, #XRD-gebaseerd, #Saffier, #SiC, #Hoge-precisie snijden, # Hoekbepaling

Markeringen:

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag