Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic 6h p Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic 6h p ]

overeenkomen

PRODUCTEN

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H Lage weerstand Hoog P-dopeerd Type Diameter 50,8 mm

Krijg Beste Prijs

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Type Productiekwaliteit Voor Power Electronics

Krijg Beste Prijs

4 inch 3C N-type SiC Substraat Silicon Carbide Substraat Dikke 350um Prime kwaliteit Dummy kwaliteit

Krijg Beste Prijs

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

Krijg Beste Prijs

HPSI SiC Wafer 2-12 inch optische kwaliteit voor AI/AR-brillen

Krijg Beste Prijs

2/4/6/8 inch Sic Silicon Carbide Crystal Seed Substrate 4H-N Type Hoge hardheid P Grade R Grade D Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Video

Substraat voor SiC-epitaxiale wafers Halvervoerder Industrieel gebruik 4H-N

Krijg Beste Prijs

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic 6h p Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ sic 6h p ] overeenkomen 57 PRODUCTEN

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat 4H-P Type Off Axis 4.0°towards Zero Grade Voor Temperatuur Sensor

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

Krijg Beste Prijs

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H Lage weerstand Hoog P-dopeerd Type Diameter 50,8 mm

Krijg Beste Prijs

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie

Krijg Beste Prijs

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

Krijg Beste Prijs

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

[sic 6h p ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

2 inch 4 inch 6 inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H High P-doped Type Off Axis 4.0°toward Prime Grade Dummy Grade

Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat 4H-P Type Off Axis 4.0°towards Zero Grade Voor Temperatuur Sensor

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

2 inch / 4 inch / 6 inch Sic Silicon Carbide Substraat 4H-P Type Off Axis 2.0° Towards Production Grade

4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Prime Grade Dummy Grade

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

2 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H Lage weerstand Hoog P-dopeerd Type Diameter 50,8 mm

​​3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie​​

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 inch 3 inch 4 inch 6 inch epitaxy dikte 2,5-120 um voor elektronische stroom

2 inch Diameter 50,8 mm 4H-N Type SiC Epitaxiale Wafer Voor Hoogtemperatuur Sensoren

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 4H-P Diameter 150mm Dikte 350μm Nul MPD Productie, standaard productiekwaliteit

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

3C-SiC Substraat N-type Productkwaliteit voor 5G-communicatie