HPSI SiC Wafer 2-12 inch optische kwaliteit voor AI/AR-brillen

​​HPSI SiC Wafer 2-12 Inch Optische Kwaliteit voor AI/AR Brillen​​

HPSI-type SiC wafers (High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide) dienen als kern optische materialen in AI en AR brillen. Met hun ​​hoge brekingsindex (2.6–2.7 @ 400–800 nm)​​ en ​​lage optische absorptie-eigenschappen​​, pakken ze problemen aan zoals "regenboogeffecten" en onvoldoende lichtdoorlatendheid in traditionele glas- of harsmaterialen voor AR-golfgeleiders. Meta's Orion AR-bril gebruikt bijvoorbeeld HPSI SiC golfgeleiderlenzen, waarmee een ​​70°–80° ultra-breed gezichtsveld (FOV)​​ wordt bereikt met een enkellaagse lensdikte van slechts ​​0,55 mm​​ en een gewicht van ​​2,7 g​​, wat het draagcomfort en de immersie aanzienlijk verbetert.

HPSI SiC Wafer Kernkenmerken & Voordelen

Materiaaleigenschappen, Optische Prestaties en Toepassingswaarde​​

​​1. Brekingsindex: 2.6–2.7​​

• Deze hoge brekingsindex maakt het mogelijk om meerlaagse optische structuren te vervangen door een enkellaagse lens, waardoor lichtverlies wordt verminderd en de helderheid en kleurnauwkeurigheid worden verbeterd. Hierdoor zijn zuiverdere visuele weergaven mogelijk, worden regenboogeffecten geëlimineerd en wordt naadloze integratie met Micro-LED's met hoge resolutie ondersteund.

​

2. Thermische geleidbaarheid: 490 W/m·K​​

• Het materiaal voert snel warmte af die wordt gegenereerd door Micro-LED's met hoog vermogen, waardoor lensvervorming wordt voorkomen en de levensduur van het apparaat wordt verlengd. Dit zorgt voor stabiele prestaties, zelfs in omgevingen met hoge temperaturen, zoals buitengebruik.

​​

3. Mohs-hardheid: 9.5​​

• Met uitzonderlijke krasbestendigheid is het materiaal bestand tegen dagelijkse slijtage. Dit vermindert de onderhoudsbehoefte en verlengt de levensduur van de lens, waardoor de bruikbaarheid op lange termijn wordt verbeterd.

4. ​​Wide Bandgap Semiconductor​​

• De compatibiliteit met CMOS-processen maakt nanoscopische lithografie en etsen mogelijk voor de precieze fabricage van optische roosters. Dit vergemakkelijkt de productie op waferschaal van geavanceerde optische componenten zoals diffractieve golfgeleiders en micro-resonatoren.

HPSI SiC Wafer Belangrijkste Toepassingen​

HPSI SiC Wafer Belangrijkste Parameter

4-Inch en 6-Inch Semi-Isolerende SiC Substraat Specificatie Vergelijking​​
Parameter	Kwaliteit	4-Inch Substraat	6-Inch Substraat
​​Diameter​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
​​Poly-type​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	4H	4H
​​Dikte​​	Z Kwaliteit	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
	D Kwaliteit	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
​​Wafer Oriëntatie​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	Op as: <0001> ± 0,5°	Op as: <0001> ± 0,5°
​​Micropipe Dichtheid​​	Z Kwaliteit	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
	D Kwaliteit	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
​​Weerstand​​	Z Kwaliteit	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
	D Kwaliteit	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
​​Primaire Vlak Oriëntatie​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
​​Primaire Vlak Lengte​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	32,5 mm ± 2,0 mm	Notch
​​Secundaire Vlak Lengte​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	18,0 mm ± 2,0 mm	-
​​Rand Uitsluiting​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	3 mm	3 mm
​​LTV / TTV / Bow / Warp​​	Z Kwaliteit	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
	D Kwaliteit	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
​​Ruwheid​​	Z Kwaliteit	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
	D Kwaliteit	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
​​Rand Scheuren​​	D Kwaliteit	Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,1%	Cumulatieve lengte ≤ 20 mm, enkel ≤ 2 mm
​​Polytype Gebieden​​	D Kwaliteit	Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,3%	Cumulatieve oppervlakte ≤ 3%
​​Visuele Koolstof Insluitingen​​	Z Kwaliteit	Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,05%	Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,05%
	D Kwaliteit	Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,3%	Cumulatieve oppervlakte ≤ 3%
​​Siliconen Oppervlakte Krassen​​	D Kwaliteit	5 toegestaan, elk ≤1mm	Cumulatieve lengte ≤ 1 x diameter
​​Rand Chips​​	Z Kwaliteit	Niet toegestaan (breedte en diepte ≥0,2mm)	Niet toegestaan (breedte en diepte ≥0,2mm)
	D Kwaliteit	7 toegestaan, elk ≤1mm	7 toegestaan, elk ≤1mm
​​Draadschroef Dislocatie​​	Z Kwaliteit	-	≤ 500 cm²
​​Verpakking​​	Z Kwaliteit / D Kwaliteit	Multi-wafer Cassette Of Enkele Wafer Container	Multi-wafer Cassette Of Enkele Wafer Container

 

 

---

 

ZMSH Services​

 

 

ZMSH als een geïntegreerde productie- en handelsentiteit, levert end-to-end oplossingen voor SiC-producten:

 

• ​​Verticale Integratie​​: In-house kristalgroeiovens produceren 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P en 3C-N type wafers (2–12-inch), met aanpasbare parameters (bijv. dopingconcentratie, buigsterkte).

• ​​Precisie Verwerking​​:

1. ​​Wafer-Level Snijden​​: Laser dicing en chemisch-mechanisch polijsten (CMP) bereiken een oppervlakteruwheid <0,3 nm.
2. ​​Aangepaste Vormen​​: Produceert prisma's, vierkante wafers en golfgeleiderarrays voor AR optische module-integratie.

• ​​Neem Contact Met Ons Op​​: Monsters en technische consultaties beschikbaar. Full-service ondersteuning van ontwerpvalidatie tot massaproductie.

 

 

 

 

---

 

ZMSH's SiC Producten

 

 

SiC Wafers 4H-Semi

 

 

1. 4" 4H-Semi High Purity SIC Wafers Prime Grade Semiconductor EPI Substrates AR Glasses Optical Grade

 

 

 

---

 

SiC Wafers 4H-N

 

 

2. 4Inch 4H-N Silicon Carbide SiC Substrate Dia 100mm N type Prime Grade Dummy Grade Thickness 350um Customized

 

 

 

---

 

Andere soorten SiC monsters

 

 

 

V1: Waarom is HPSI SiC Wafer cruciaal voor AR-brillen?​​

A1: HPSI SiC Wafer's ​​hoge brekingsindex (2.6–2.7)​​ en ​​lage optische absorptie​​ elimineren regenboogeffecten in AR-displays en maken ultra-dunne golfgeleiders mogelijk (bijv. Meta Orion's 0,55 mm lenzen).

​​V2: Hoe verschilt HPSI SiC van traditioneel glas in AR-optiek?​​

A2: HPSI SiC biedt ​​2x hogere brekingsindex​​ dan glas (~2.0), waardoor een breder FOV en enkellaagse golfgeleiders mogelijk zijn, plus ​​490 W/m·K thermische geleidbaarheid​​ om de warmte van Micro-LED's te beheren.

​​V3: Is HPSI SiC compatibel met andere halfgeleidermaterialen?​​

A3: Ja, het integreert met ​​GaN​​ en ​​silicium​​ in hybride systemen, maar de ​​thermische stabiliteit​​ en ​​dielectrische eigenschappen​​ maken het superieur voor AR-optiek met hoog vermogen.

Tags: #​​HPSI SiC Wafer, #Silicon Carbide Substraat, #Aangepast, #​​Dubbelzijdig Gepolijst, #Hoge Zuiverheid, #Optische Component, #Corrosiebestendig, #Hoge Temperatuur Geschikt​​, #​​HPSI, #Optische Kwaliteit, #2-12 Inch, #Optische Kwaliteit, #AI/AR Brillen​​