Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN sic 6h p Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[sic 6h p ]

overeenkomen

PRODUCTEN

12 inch Diameter 300mm SIC Substraat Epitaxiale Gepolijste Wafer Siliciumcarbide Ingot Prime Grade 4H-N Type geleidende zonne-energie fotovoltaïsche

Krijg Beste Prijs

sic breekt de laser scherpe dienst voor sic door 0.5x0.5mm vierkante platen af

Krijg Beste Prijs

Sic Substraat MET 9,7 Diëlektrische Constante 4,9 het Warmtegeleidingsvermogen van W/mK

Krijg Beste Prijs

aangepaste Dikte 1.5mm 4“ sic Kristal gesneden lege Wafeltjes 4h-n

Krijg Beste Prijs

van het de oppervlakte 4h-n Silicium van 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP het Carbide sic Wafeltjes

Krijg Beste Prijs

Video

4h-n 5x5mm sic Substraat van de Wafeltjesdsp het Ceramische Katalysator

Krijg Beste Prijs

De transparante SIC 4h-SEMI Customzied Grootte van Crystal Optical Lens

Krijg Beste Prijs

De 4h-SEMI Transparante Kleurloze Aangepaste SIC Lens van HPSI

Krijg Beste Prijs

Silicon Carbide Wafer 4H P-Type Zero MPD Productiekwaliteit Dummy Kwaliteit 4 inch 6 inch

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN sic 6h p Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ sic 6h p ] overeenkomen 57 PRODUCTEN

6 inch 4H-N Siliciumcarbide SiC Substraat Dia 150mm Dikte 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

De SiC Ingot Growing Furnace gebruikt PVT, Lely TSSG en LPE methoden om grote grootte kristallen van 4 inch, 6 inch en 8 inch te laten groeien.

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Substraat 6H-N Type Dikte 350um 650um Sic Wafer

Krijg Beste Prijs

Aangepaste grootte 5x5mm 0.5x0.5mm 4h-n breekt SIC platen af

Krijg Beste Prijs

het weerstandsvermogen>1e7ohm.cm Substraat customzied sic langs vorm

Krijg Beste Prijs

10x10mm 5x5mm sic Substraatweerstandsvermogen 0.015-0.028ohm. De Spaanders van cm of van >1E7ohm.Cm sic

Krijg Beste Prijs

Sic Siliciumcarbide halfgeleiderapparaten Meerdere kristalvormen 4H 6H 3C Op maat gemaakte 5G-communicatiechips

Krijg Beste Prijs

12 inch 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Type Dummy Prime Research Grade Meerdere toepassingen

Krijg Beste Prijs

2Inch de Wafeltjes 6H van het siliciumcarbide of 4H-n-Type of Semi-Insulating sic Substraten

Krijg Beste Prijs

sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5