Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN SiC MOSFET Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[SiC MOSFET ]

overeenkomen

PRODUCTEN

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei

Krijg Beste Prijs

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiaal Substraat MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grote diameter

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

4H 6-inch SiC epitaxiale wafer 100µm/200µm/300µm voor ultra-hoogspanning (UHV) MOS-apparaat

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

6 inch 4H-SEMI SiC-substraat voor AR-brillen en 5G RF-apparaten

Krijg Beste Prijs

6 inch Sic Siliciumcarbide Substraat 6H-P Type Voor communicatie en radarsystemen Diameter 150mm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN SiC MOSFET Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ SiC MOSFET ] overeenkomen 75 PRODUCTEN

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Krijg Beste Prijs

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

Krijg Beste Prijs

SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei

Krijg Beste Prijs

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiaal Substraat MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grote diameter

Krijg Beste Prijs

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

Krijg Beste Prijs

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

Krijg Beste Prijs

Video

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

Krijg Beste Prijs

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

Krijg Beste Prijs

4H 6-inch SiC epitaxiale wafer 100µm/200µm/300µm voor ultra-hoogspanning (UHV) MOS-apparaat

Krijg Beste Prijs

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

[SiC MOSFET ]

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

2 inch/4 inch/6 inch/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse

SiC-kristalzaadplaten Dia 205 203 208 Productiegraad PVT/HTCVD-groei

2 inch 3 inch 4 inch 6 inch SiC Epitaxial Wafers 4H-N Productieklasse

8 inch SiC Epitaxiaal Substraat MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grote diameter

6 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type Voor 5G communicatie

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

4 inch SiC Epitaxial Wafer 4H-N Diameter 100mm Dikte 350μm Prime Grade

4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

SiC-zaadwafer 4H N type Dia 153 155 2 inch-12 inch aangepast voor de productie van MOSFET's

4H 6-inch SiC epitaxiale wafer 100µm/200µm/300µm voor ultra-hoogspanning (UHV) MOS-apparaat

8 inch SiC Epitaxiale Wafer Diameter 200mm Dikte 500μm 4H-N Type

2 inch/4 inch/6 inch/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic Silicon Carbide Substrate Type 3C-N Aan de as: < 111 > ± 0,5° Productieklasse Dummy-klasse