Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN High Purity SiC Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[High Purity SiC ]

overeenkomen

139

PRODUCTEN

Video

Optische component voor dubbelzijdig gepolijste hoogzuivere SiC-spiegel voor MEMS-micromirroren

Krijg Beste Prijs

4" 4H-Semi-High Purity SIC Wafers Prime Grade Halfgeleider EPI Substraten AR Glassen Optische Grade

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere SiC keramische isolerende substraat hoge temperatuurbestendigheid

Krijg Beste Prijs

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Krijg Beste Prijs

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Krijg Beste Prijs

Hoogzuiver semi-isolerend SiC Wafer HPSI siliciumcarbidesubstraat voor stroom- en RF-apparaten

Krijg Beste Prijs

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Krijg Beste Prijs

SIC-oond voor de synthese van grondstoffen 50 kg weerstand bereiding van hoog zuiverheids-SIC-kristal

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Krijg Beste Prijs

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Krijg Beste Prijs

Zeer zuivere CVD SiC-ring voor halfgeleiderplasma-etsen met een diameter van 370 mm en een thermische geleidbaarheid van 120–200 W/m·K

Krijg Beste Prijs

Hoge Zuiverheid SiC End Effector voor Wafer Handling Corrosie- en Hittebestendige Vork voor Halfgeleiderbewerking

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere, semi-isolerende siliciumcarbide substraten - Multi-diameter wafer oplossingen (2" tot 8")

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid (5N) enkelkristallieke siliciumelektrode met aanpasbare gasgatdiameter en meerdere weerstandsopties voor halfgeleiderplasmasystemen

Krijg Beste Prijs

Semi - het Isolerende Substraat van het Siliciumcarbide, sic Wafeltje4h Hoge Zuiverheid

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7 8

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN High Purity SiC Online Fabrikant

Alle Categorieën

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Uw zoektocht [ High Purity SiC ] overeenkomen 120 PRODUCTEN

Video

Optische component voor dubbelzijdig gepolijste hoogzuivere SiC-spiegel voor MEMS-micromirroren

Krijg Beste Prijs

4" 4H-Semi-High Purity SIC Wafers Prime Grade Halfgeleider EPI Substraten AR Glassen Optische Grade

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers

Krijg Beste Prijs

Hoogzuivere SiC keramische isolerende substraat hoge temperatuurbestendigheid

Krijg Beste Prijs

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Krijg Beste Prijs

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Krijg Beste Prijs

Hoogzuiver semi-isolerend SiC Wafer HPSI siliciumcarbidesubstraat voor stroom- en RF-apparaten

Krijg Beste Prijs

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Krijg Beste Prijs

SIC-oond voor de synthese van grondstoffen 50 kg weerstand bereiding van hoog zuiverheids-SIC-kristal

Krijg Beste Prijs

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

Krijg Beste Prijs

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Krijg Beste Prijs

Zeer zuivere CVD SiC-ring voor halfgeleiderplasma-etsen met een diameter van 370 mm en een thermische geleidbaarheid van 120–200 W/m·K

Krijg Beste Prijs

1 2 3 4 5 6 7 8

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

[High Purity SiC ]

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje

Optische component voor dubbelzijdig gepolijste hoogzuivere SiC-spiegel voor MEMS-micromirroren

4" 4H-Semi-High Purity SIC Wafers Prime Grade Halfgeleider EPI Substraten AR Glassen Optische Grade

Hoogzuivere SiC-gecoate dragerplaat voor het hanteren en overbrengen van wafers

Hoogzuivere SiC keramische isolerende substraat hoge temperatuurbestendigheid

​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

Hoogzuiver semi-isolerend SiC Wafer HPSI siliciumcarbidesubstraat voor stroom- en RF-apparaten

HPSI hoogzuivere semi-isolatieve SiC-wafers van de categorie "Prime/Dummy/Research"

SIC-oond voor de synthese van grondstoffen 50 kg weerstand bereiding van hoog zuiverheids-SIC-kristal

Hoge zuiverheid siliciumcarbide (SiC) poeder 99,9999% (6N) HPSI type 100μm Deeltjesgrootte SIC Kristalgroei

6-inch ultrahoogspannings-SiC-epitaxiewafel van 100–500 µm voor MOSFET-apparaten

Zeer zuivere CVD SiC-ring voor halfgeleiderplasma-etsen met een diameter van 370 mm en een thermische geleidbaarheid van 120–200 W/m·K

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant