Productdetails:
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
|
Oppervlakteweerstand: | 10⁴~10⁹Ω | Grootte: | Aanpasbaar (voor 4–12 inch wafers) |
---|---|---|---|
Zuiverheid: | 990,9% | Dichtheid: | D=8,91 ((g/cm3) |
Diameter: | 25 tot 500 mm | Toepassing: | Pakket test, chip sorteren |
Mechanische sterkte: | Buigsterkte > 400 MPa | Resistiviteit: | 0.1~60 ohm.cm |
thermische weerstand: | 1600 ℃ | Chemische bestendigheid: | Weerstand tegen zuren, basen en plasma |
Markeren: | Halfgeleiderbewerking SiC End Effector,Wafer Handling SiC End Effector,Corrosiebestendige SiC End Effector |
Onze SiC end effectors zijn ontworpen voor ultra-schone wafer handling in halfgeleider productieomgevingen. Vervaardigd met behulp van hoogzuiver siliciumcarbide, bieden deze vorken uitzonderlijke thermische weerstand, chemische stabiliteit, en mechanische sterkte—waardoor ze ideaal zijn voor gebruik in zware proceskamers zoals etsen, depositie en transport systemen bij hoge temperaturen.
De dichte, fijnkorrelige SiC-body zorgt voor lage deeltjesgeneratie, uitstekende dimensionale stabiliteit, en compatibiliteit met 200mm tot 300mm wafers. Aangepaste ontwerpen zijn beschikbaar voor specifieke robotarmen en waferdragers.
Parameter | Specificatie |
---|---|
Materiaal | Hoogzuiver SiC (≥99%) |
Afmetingen | Aanpasbaar (voor 4–12 inch wafers) |
Oppervlakteafwerking | Gepolijst of mat per vereiste |
Thermische weerstand | Tot 1600°C |
Chemische bestendigheid | Bestand tegen zuren, basen en plasma |
Mechanische sterkte | Buigsterkte > 400 MPa |
Cleanroom Grade | Geschikt voor Klasse 1–100 |
#SiCEndEffector #WaferHandling #SiCFork #SemiconductorEquipment #WaferTransfer #HighPuritySiC #SiCWaferCarrier #SemiconductorAutomation #VacuumCompatible #SiCComponent #EtchingToolPart #RoboticWaferHandling
Contactpersoon: Mr. Wang
Tel.: +8615801942596