Saffirafluit 8'' Dia 200mm±0.2mm Dikte 725Um C-Plane 99,99% Puur

8" saffieren wafer 200 mm diameter (± 0,2 mm), 725 μm dikte, C-vlak, 99,99% puur

Deze hoogzuivere 8-inch (200 mm) saffieren wafer heeft een uitzonderlijke dimensionale precisie (± 0,2 mm in diameter, 725 μm dikte) en een kristallografische oriëntatie (C-vlak),waardoor het ideaal is voor veeleisende opto-elektronica- en halfgeleidertoepassingenMet een zuiverheid van 99,99% en een superieure mechanische/thermische stabiliteit dient de wafer als een optimaal substraat voor de fabricage van LED-, laserdiode- en RF-apparaten.De gelijkmatige afwerking van het oppervlak en de chemische traagheid zorgen voor betrouwbaarheid in ruwe omgevingen, terwijl de grote diameter kosteneffectieve massaproductie mogelijk maakt.

Belangrijkste kenmerken van saffierwafels

Geometrie van precisie:

• Diameter: 200 mm ± 0,2 mm, waardoor compatibiliteit met standaard halfgeleidergereedschap wordt gewaarborgd.
• "Technische apparatuur" voor de "ontwikkeling" of "ontwikkeling" van "technische apparatuur" of "technische apparatuur" voor de "ontwikkeling" van "technische apparatuur".

Kristallografische uitmuntendheid:

• C-vlak (0001) oriëntatie, bij voorkeur voor epitaxiale groei van GaN in LED/HEMT-apparaten.
• Een lage dislocatiedichtheid (< 1.000 cm-2) voor de integratie van een apparaat met een hoge prestatie.

Ultra-hoge zuiverheid:

• > 99,99% (4N) zuiverheid, waardoor verontreinigingen die de optische/elektrische prestaties beïnvloeden, tot een minimum worden beperkt.

Robuuste materiële eigenschappen:

• Hardheid: 9 Mohs, krabstoestand voor duurzaamheid.
• Thermische stabiliteit: smeltpunt ~ 2,050°C, geschikt voor processen bij hoge temperaturen.
• Optische transparantie: 85%+ in zichtbaar tot bijna-IR spectra (350nm ∼4500nm).

Oppervlakte kwaliteit:

• Epitaxy-klaar poetsmiddel: Ra < 0,3 nm voor defectvrije dunne-film afzetting.
• Optie voor dubbelzijdig polijsten op aanvraag.

Toepassingen van saffierwafels

Opto-elektronica:

Substraat voor blauwe/groene/witte LED's (InGaN/GaN-epitaxie).

Laserdioden (randemitterende/VCSEL's) in beeldschermen en communicatie.

Elektronica:

RF-apparaten (5G/6G antennes, vermogenversterkers) vanwege een laag dielektrisch verlies.

Transistoren met een hoge elektronenmobiliteit (HEMT's) voor elektrische voertuigen.

Industrie en defensie:

IR-vensters, raketkoepels (sapphire's transparantie tot midden-IR).

Beschermingsbedekkingen voor sensoren in corrosieve/abrasieve omgevingen.

Opkomende technologieën:

Quantumcomputing (SPD-kristallen substraten).

draagbare apparaat-schermen (krabvast hoesje).

Specificaties

V&A

V1: Waarom kiezen we voor C-vlak saffier voor GaN-epitaxie?
A1:De zeshoekige symmetrie van het C-vlak komt overeen met de kristallenstructuur van GaN, waardoor de niet-match van het rooster wordt verminderd en een hoogwaardige epitaxiale groei voor LED's en energieapparaten mogelijk wordt gemaakt.

V2: Hoe heeft dikte (725 μm) invloed op de waferprestaties?
A2:725 μm brengt mechanische stabiliteit (vermindering van breuk tijdens de behandeling) in evenwicht met thermische geleidbaarheid, wat cruciaal is voor een uniforme warmteafvoer in MOCVD-processen.

V3: Kan deze wafer worden gebruikt voor lasertoepassingen met een hoog vermogen?
A3:De hoge thermische geleidbaarheid en transparantie bij UV-NIR-golflengten maken het geschikt voor laserdioden en optische ramen.

Q4:Zijn er aangepaste oriëntatiepunten (bv. R-vlak) beschikbaar?

A5:A-plane, R-plane en M-plane wafers kunnen worden aangepast voor gespecialiseerde toepassingen zoals SAW-apparaten.