4 inch Sapphire Wafer DSP Diameter 100mm Dikte 500μm Ra ≤ 0.2nm Voor Micro-LED
De4 inch saffieren waferis een hoogwaardig optisch substraat vervaardigd van enkelkristallijn aluminiumoxide (α-Al2O3) met behulp van Edge-defined Film-fed Growth (EFG) of Kyropoulos (KY) methoden,met standaard afmetingen van 100 mm±0.2 mm in diameter en aanpasbare dikte (0,3-1,0 mm).4 inch saffieren waferbiedt een hogere kostenefficiëntie voor O&O en productie in kleine batches, met name geschikt voor toepassingen die een hoge kristallijne kwaliteit vereisen, maar geen grote oppervlakteformaten, zoals UV-LED's, RF-apparaten,en gespecialiseerde sensorenDe uitgebalanceerde prestaties en betaalbaarheid maken het ideaal voor onderzoeksinstellingen, startups en kleine tot middelgrote chipfabrikanten.
Belangrijkste kenmerken
1. 4 inch saffier wafer van hoge zuiverheid: 99,999% zuiver met superieure oppervlakte afwerking en vlakheid, voldoet aan de strenge toepassingsvereisten.
2. 4 inch saffier wafer met uitzonderlijke mechanische eigenschappen:Hoge hardheid, sterkte en slagweerstand, geschikt voor groeimediums met hoge temperaturen en mechanische verwerking.
3. 4 inch saffier wafer met uitstekende optische prestaties: hoge doorlaatbaarheid (> 85%) met breedbandtransparantie (UV tot mid-IR), ideaal voor diverse optische toepassingen.
4. 4 inch saffieren wafer met een sterke chemische stabiliteit: Corrosiebestendig en slijtvast, waardoor langdurige prestaties in ruwe omgevingen worden gewaarborgd.
5. 4 inch saffieren wafer met uitstekende elektrische isolatie: de superieure isolatie eigenschappen maken het een ideaal substraat voor grootschalige geïntegreerde schakelingen (IC's) en SOI dunne film fabricage.
Technische parameters
| Vastgoed |
4 inch. |
| Diameter |
100 ± 0,1 mm
|
| Dikte |
200 ± 15 mm
|
|
500 ± 15 μm
|
|
650±15um
|
| Ruwheid |
Ra ≤ 0,2 nm
|
| Warp snelheid. |
≤ 10um
|
| TTV |
≤ 10um
|
| Schrapen/graven |
20/10
|
| Pools |
DSP (dubbelzij gepolijst); SSP ((eenzijdig gepolijst) |
| Vorm |
Ronde, vlakke 16 mm;Langte 22 mm;Langte 30/32,5 mm;Langte 47,5 mm; |
| Eindvorm |
45°,C vorm |
| Materiaal |
Sapfierkristal, gesmolten kwarts JGS1/JGS2; BF33, D263; EXG-glas. |
| Opmerkingen |
Alle bovenstaande specificaties kunnen op uw verzoek worden aangepast |
Primaire toepassingen
1.4 inch saffieren wafer van LED-industrie: Wordt gebruikt als substraat voor LED-chips (blauwe/groene LED's) en voldoet aan de eisen op het gebied van verlichting en displaytechnologie.
2.4 inch saffieren wafer van vervaardiging van halfgeleiders: Essentieel voor GaN/AlGaN-LED's en vermogenstoestellen, als optimaal substraat voor SOC's en supergeleidende dunne-filmstructuren.
3.4 inch saffieren wafer van optische componenten: Gebruikelijk in optische ramen, laserelementen en thermoluminescerende detectoren vanwege de hoge doorlaatbaarheid en stabiliteit.
4.4 inch saffieren wafer van medische hulpmiddelen: Gebruikt in medische optische lenzen voor high-end apparatuur, met behulp van zijn hoge temperatuurweerstand, corrosiebestendigheid en precisie.
5.4 inch saffieren wafer van Onderzoek en industrieel gebruik: Critisch voor wetenschappelijke experimenten en industriële onderdelen (bijv. snij-/poetswafers).
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
