het Type van 2inch 3inch 4inch 6inch N het Germaniumwafeltje van GE met Lage EPD

het Type van 2inch 3inch 4inch 6inch N het Germaniumwafeltje van GE met Lage EPD

Het wafeltje van Duitsland

Het germanium is het materiaal voor het maken van halfgeleiderapparaten en infrarode optische apparaten. Het speelt een belangrijke rol in de ontwikkeling van fysica in vaste toestand en elektronika in vaste toestand. Het germanium heeft een het smelten dichtheid van 5.32g/cm 3, kan het germanium worden geclassificeerd aangezien een dun verspreid metaal, germanium chemische stabiliteit, niet met lucht of waterdamp bij kamertemperatuur in wisselwerking staat, maar bij 600~700 ℃, wordt het germaniumdioxyde snel geproduceerd. Werkt niet met zoutzuur, verdund zwavelzuur. Wanneer het geconcentreerde zwavelzuur wordt verwarmd, zal het germanium langzaam oplossen. In salpeterzuur en aqua regia, wordt het germanium gemakkelijk opgelost. Het effect van alkalioplossing op germanium is zeer zwak, maar het gesmolten alkali in lucht kan germanium maken snel oplossen. Het germanium werkt niet met koolstof, zodat wordt het gesmolten in een grafietsmeltkroes en niet door koolstof vervuild. Het germanium heeft etc. goede halfgeleidereigenschappen, zoals elektronenmobiliteit, gatenmobiliteit. De ontwikkeling van germanium heeft nog groot potentieel.

Specificatie

Productvertoning

De groeimethode

De de groeimethode van germaniumsubstraat bestaat uit de volgende stappen: verstrekkend een ondersteunend substraat, is het ondersteunende substraat een kristalmateriaal; De eerste laag van het germaniumkristal wordt gekweekt door eerste temperatuurepitaxy op de oppervlakte van het ondersteunende substraat. De tweede laag van het germaniumkristal wordt gekweekt door tweede temperatuurepitaxy op de oppervlakte van de eerste laag van het germaniumkristal, en de eerste temperatuur is lager dan de tweede temperatuur. De voordelen van de onderhavige uitvinding moet een soort epitaxial de groeiproces van het lage temperatuurgermanium naar voren brengen, eerst en vooral, een laag van germaniumlaag, is het het germanium epitaxial groeipercentage van de lage temperatuurgroei laag, de hebben de tweedimensionale groeikenmerken en de volledige ontspanning, deze dunne laag van germaniumlaag bij lage temperatuur vele tekorten, naar voren gebogen aan ontspannen spanning en dislocatievernietiging, later, dan kan een laag van epitaxial laag op hoge temperatuur van het de groeigermanium, de snelheid van de laaggroei, de laag van het enig kristalgermanium met hoge kristalmassa en volledige ontspanning worden verkregen.