logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis ProductenHet Wafeltje van het indiumfosfide

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Ik ben online Chatten Nu

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP

Semi Insulating 2 Inch 50mm N Type Dummy InP Indium Phosphide Wafer
Semi Insulating 2 Inch 50mm N Type Dummy InP Indium Phosphide Wafer Semi Insulating 2 Inch 50mm N Type Dummy InP Indium Phosphide Wafer Semi Insulating 2 Inch 50mm N Type Dummy InP Indium Phosphide Wafer

Grote Afbeelding :  Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP

Productdetails:
Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: zmkj
Modelnummer: InP-2INCH
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 3pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: enig wafeltjegeval
Levertijd: 3-4Weeks
Levering vermogen: 1000pcs/month
Contact
Gedetailleerde productomschrijving
Materialen: InP enig kristal Industrie: halfgeleidersubstraten, apparaat,
Kleur: Zwart Type: semi type
Diameter: 100mm 4inch Dikte: 625um of 350um
Pakket: enig wafeltjegeval
Markeren:

50mm het Wafeltje van het indiumfosfide

,

Het semi Isolerende Wafeltje van het indiumfosfide

,

n type inp wafeltje

van het n-type van 2inch dia50.8mm het proef eerste Wafeltje van het het indiumfosfide ranginp

4inch Semi-Insulating Wafeltje van InP van het Indiumfosfide voor LD-Laserdiode, halfgeleiderwafeltje, het wafeltje van 3inch InP, enig kristalwafer2inch 3inch 4inch InP substraten voor LD-toepassing, halfgeleiderwafeltje, InP-wafeltje, enig kristalwafeltje

InP introduceert

InP enig kristal
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 0

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 1

de groei (gewijzigde Czochralski-methode) wordt gebruikt om enig te trekken

kristal door een booroxyde vloeibare encapsulant aanvang van een zaad.

Het additief (Fe, S, Sn of Zn) wordt toegevoegd aan de smeltkroes samen met polycrystal. De hoge druk wordt toegepast binnen de kamer om decompositie van het Indiumphosphide.he bedrijf te verhinderen heeft ontwikkeld een proces om volledig stoichiometrische, hoge zuiverheid en het lage enige kristal van de dislocatiedichtheid op te brengen inP.

De tCZtechniek verbetert op LEC-methodedank

aan een thermische schottechnologie met betrekking tot numeriek

modellering van thermische de groeivoorwaarden. tCZ is rendabel

rijpe technologie met hoogte - kwaliteitsreproduceerbaarheid van boule aan boule

Specificatie

Fe Gesmeerde InP

Semi-Insulating InP-Specificaties

Nota: Andere beschikbare Specificaties misschien op verzoek

n- en p-type InP

Semi-conducting InP-Specificaties

De groeimethode VGF
Additief n-type: S, Sn EN Undoped; p-type: Zn
Wafeltjevorm Ronde (DIA: 2“, 3“, EN 4“)
Oppervlakterichtlijn (100) ±0.5°

*Other beschikbare Richtlijnen misschien op verzoek

Additief S & Sn (n-type) Undoped (n-type) Zn (p-type)
Dragerconcentratie (cm-3) (0.8-8) × 1018 (1-10) × 1015 (0.8-8) ×1018
Mobiliteit (cm2/V.S.) (1-2.5) × 103 (3-5) × 103 50-100
Ets Hoogtedichtheid (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Wafeltjediameter (mm) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Dikte (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
[P/E] TTV (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
AFWIJKING (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
VAN (mm) 17±1 22±1 32.5±1
VAN/ALS (mm) 7±1 12±1 18±1
Polish* P/E E/E, P/P P/E E/E, P/P P/E E/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Andere beschikbare Specificaties misschien op verzoek

De verwerking van het InPwafeltje
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 0
Elke baar wordt gesneden in wafeltjes die worden omwikkeld, opgepoetst die en oppervlakte op epitaxy wordt voorbereid. Het algehele proces is hieronder gedetailleerd.

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Vlakke specificatie en identificatie De richtlijn wordt vermeld op de wafeltjes door twee vlakten (lange vlakte voor richtlijn, kleine vlakte voor identificatie). Gewoonlijk wordt de E.J.-norm (Tussen Europa en Japan) gebruikt. De afwisselende vlakke configuratie (de V.S.) wordt meestal gebruikt voor“ wafeltjes Ø 4.
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Richtlijn van boule Of eis (100) of misoriented wafeltjes worden aangeboden.
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Nauwkeurigheid van de richtlijn van VAN In antwoord op de behoeften van de optoelectronic industrie, bieden wij wafeltjes met uitstekende nauwkeurigheid van VAN richtlijn aan: < 0="">
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Randprofiel Er is twee gemeenschappelijke bril: chemische randverwerking of mechanische randverwerking (met een randmolen).
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Het oppoetsen De wafeltjes zijn opgepoetst door middel van een chemisch-mechanisch proces die in een vlakke, schade-vrije oppervlakte resulteren. wij verstrekken zowel opgepoetste dubbel-kant als enig-kant oppoetsten (met omwikkelde en geëtste achterkant) wafeltjes.
Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 3
Definitieve oppervlakte voorbereiding en verpakking De wafeltjes gaan door vele chemische stappen het oxyde verwijderen tijdens het oppoetsen wordt geproduceerd en tot een schone oppervlakte met stabiele en eenvormige oxydelaag leiden die die voor epitaxial groei - epiready oppervlakte en die uiterst spoorelementen vermindert - lage niveaus klaar is. Na definitieve inspectie, worden de wafeltjes op een bepaalde manier verpakt die de oppervlaktenetheid handhaaft.
De specifieke instructies voor oxydeverwijdering zijn beschikbaar voor allerlei epitaxial technologieën (MOCVD, MBE).

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 9

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 10

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 11

Pakket & levering

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 12

Semi Isolerend 2 Duim 50mm n-Type het Proefwafeltje van het het Indiumfosfide van InP 13

FAQ:

Q: Wat is uw levertijd van MOQ en?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 5 PCs.

(2) voor aangepaste producten, is MOQ omhoog 10-30 PCs.

(3) voor aangepaste producten, custiomzed de levertijd in 10days, grootte voor 2-3weeks

label:

mgo substraat,

Gap-wafeltje,

inp wafeltje

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.