SiC-substraat 4H-N dikte 350um gebruikt in opto-elektronica halfgeleidermateriaal Productbeschrijving SiC-substraten zijn belangrijke materialen op het gebied van halfgeleidertechnologie, met unieke ...Bekijk meer
Berichten van bezoekersVERLAAT EEN BERICHT
Nog geen commentaar
SiC-substraat 4H-N dikte 350um gebruikt in opto-elektronica halfgeleidermateriaal