Zoekenresultaat

Huis PRODUCTEN semiconductor wafer Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Contacteer ons

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Contact opnemen

Uw zoektocht

[semiconductor wafer ]

overeenkomen

537

PRODUCTEN

Aanpassing van de Sic Ceramics Carrier End Effector voor Wafer Handling

Krijg Beste Prijs

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Krijg Beste Prijs

Video

Volledig automatische precisie-snijzaagapparatuur voor het snijden van 8 inch 12 inch wafers

Krijg Beste Prijs

Op maat gemaakte SiC-keramische eindeffector voor waferbehandeling

Krijg Beste Prijs

2 inch Sic Substraat 6H-N Type Dikte 350um 650um Sic Wafer

Krijg Beste Prijs

het weerstandsvermogen>1e7ohm.cm Substraat customzied sic langs vorm

Krijg Beste Prijs

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraten 3C-N Type MOS Grade

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-N Silicon Carbide SiC Substraat Dikte 350um 500um SiC wafer Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

sic breekt de laser scherpe dienst voor sic door 0.5x0.5mm vierkante platen af

Krijg Beste Prijs

Video

Silicon Carbide (SiC) Substraat 6 inch 8 inch testgraad wafer voor laser snijden

Krijg Beste Prijs

Sapphire Multi-Wire Zaagmachine voor Sapphire/SiC/Kwartsmaterialen

Krijg Beste Prijs

Transparante 10x15mm de Toepassing van het Oxydegao substrate for LEDs van het 001 Richtlijngallium

Krijg Beste Prijs

6'8' Ultra dik SiO2 enkelkristal 10um 20um 25um droog natte oxide laag 0.1μm 25μm

Krijg Beste Prijs

4H-P Siliciumcarbide SiC Substraat 4 inch SIC Wafer 6H-P Voor III-V Nitride Afzetting

Krijg Beste Prijs

6H-P Siliciumcarbide SiC Substraat 6 inch SIC Wafer 4H-P Voor opto-elektronica apparaten

Krijg Beste Prijs

Video

SiC-substraat 4H-N dikte 350um gebruikt in opto-elektronica halfgeleidermateriaal

Krijg Beste Prijs

17 18 19 20 21 22 23 24

Zoekresultaten

Huis PRODUCTEN semiconductor wafer Online Fabrikant

Alle Categorieën

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Uw zoektocht [ semiconductor wafer ] overeenkomen 537 PRODUCTEN

Sapphire Wafer 60/40 Kras van de Oppervlaktekwaliteit/graaft 20/10 40/20 60/40

Krijg Beste Prijs

Video

Diamantdraad Multi-Draad Hoge Snelheid Hoge Precisie Bewerking Harde Broze Materialen Semiconductor Apparatuur

Krijg Beste Prijs

Video

van het de dikteborosilicate33 substraat van 12inch dia300mm 0.7mm de Wafeltjes van het glaswafeltjes BF33

Krijg Beste Prijs

Video

4° Buiten de as SiC-substraat 2 inch Hoogtemperatuurtoepassingen Epitaxiale wafer

Krijg Beste Prijs

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Krijg Beste Prijs

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

Krijg Beste Prijs

4'' 200nm AlScN op siliciumwafers SSP DSP Epitaxiale substraten voor LED-apparaten

Krijg Beste Prijs

Halfgeleiderln Kristallen door de methode van CZ Czochralski voor Optische toepassing

Krijg Beste Prijs

Sapphire-onderdelen op maat Sapphire-eenheden Pure Al2O3 Transparency Tubes Wafer Windows

Krijg Beste Prijs

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

Krijg Beste Prijs

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Krijg Beste Prijs

17 18 19 20 21 22 23 24

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

[semiconductor wafer ]

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

GaAs Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Sapphire Wafer 60/40 Kras van de Oppervlaktekwaliteit/graaft 20/10 40/20 60/40

Diamantdraad Multi-Draad Hoge Snelheid Hoge Precisie Bewerking Harde Broze Materialen​​ Semiconductor Apparatuur

van het de dikteborosilicate33 substraat van 12inch dia300mm 0.7mm de Wafeltjes van het glaswafeltjes BF33

4° Buiten de as SiC-substraat 2 inch Hoogtemperatuurtoepassingen Epitaxiale wafer

4 inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Dikte 350μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Siliciumcarbide SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dikte 350μm Voor apparaten met een hoog vermogen

Sic siliciumcarbide wafer 4H-P type op as 0°Gebruikt voor de vervaardiging van apparaten met een hoog vermogen

4'' 200nm AlScN op siliciumwafers SSP DSP Epitaxiale substraten voor LED-apparaten

Halfgeleiderln Kristallen door de methode van CZ Czochralski voor Optische toepassing

Sapphire-onderdelen op maat Sapphire-eenheden Pure Al2O3 Transparency Tubes Wafer Windows

2 inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer voor fotovoltaïsche installaties Dikte 350 μm Diameter 50,8 mm Zero Grade

4 inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100 mm Dikte 350 μm Prime Grade Research Grade

Diamantdraad Multi-Draad Hoge Snelheid Hoge Precisie Bewerking Harde Broze Materialen Semiconductor Apparatuur