logo
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > Halfgeleidermateriaal > Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium

Productdetails

Plaats van herkomst: China

Merknaam: ZMSH

Certificering: rohs

Modelnummer: Microjetlasertechnologieapparatuur

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 1

Prijs: by case

Levertijd: 5 tot 10 maanden

Betalingscondities: T/T

Krijg Beste Prijs
Markeren:

TSV-bewerking LASER MICROJET

,

High energy pulsed laser chip

,

Microjetlaserapparatuur

Doel::
Microjetlasertechnologieapparatuur
Volume van de toonbank::
300*300*150
Positioneringsnauwkeurigheid μm::
+/-5
Gelijktijdige positioneringsnauwkeurigheid::
+/-2
Numerieke besturing::
DPSS Nd:YAG
Golflengte::
532/1064
Doel::
Microjetlasertechnologieapparatuur
Volume van de toonbank::
300*300*150
Positioneringsnauwkeurigheid μm::
+/-5
Gelijktijdige positioneringsnauwkeurigheid::
+/-2
Numerieke besturing::
DPSS Nd:YAG
Golflengte::
532/1064
Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium

Samenvatting van muitrusting voor icrojet-lasertechnologie

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium


 

Microjetlaserapparatuur is een soort precisiebewerkingssysteem dat laser met hoge energie en vloeibare straal op microneschaal combineert, voornamelijk gebruikt in high-end productiesectoren zoals halfgeleiders,opto-elektronica en medischeHet kernprincipe is het bereiken van een submicron-bewerkingsnauwkeurigheid (tot 0.5 μm) en de hitte-beperkte zone (HAZ<1 μm) door gepulseerd laserlicht (zoals ultraviolet of groen licht) te koppelen aan een hoge snelheid vloeistofstraal (meestal gedeïoniseerd water of inerte vloeistof)In de halfgeleiderindustrie is de technologie aanzienlijk beter dan traditionele processen, zoals:het snijden van siliconcarbide (SiC) -wafers onder 5 μm randbreukcontrole, snelheid tot 100 mm/s; bij het bewerken van 3D-IC via siliciumgat (TSV), rauwheid van de gatwand Ra<0,5μm, diepte/breedteverhouding van 10:1Het kan ook worden gebruikt voor het etsen van GaN-apparaatpoorten en het openen van RDL-vensters in geavanceerde verpakkingen met een nauwkeurigheid van ± 1 μm.compatibiliteit met de omgeving van de schoonruimte, en ondersteuning voor femtosecondelaserupgrades voor nanoschaalverwerking.

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 0Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 1

 

 


 

Werkbeginsel van de microjetlasertechnologie

 

De gefocuste laserstraal is gekoppeld aan de hoge snelheid waterstraal,en de energiestraal met een gelijkmatige verdeling van de dwarsdoorsnede energie wordt gevormd na volledige reflectie op de binnenwand van de waterkolomHet heeft de kenmerken van een lage lijnbreedte, een hoge energiedichtheid, een controleerbare richting en een real-time verlaging van de oppervlaktetemperatuur van verwerkte materialen.het creëren van uitstekende voorwaarden voor een geïntegreerde en efficiënte afwerking van harde en broze materialen.
De lasertechnologie voor het bewerken van micro-waterstraal maakt gebruik van het fenomeen van totale reflectie van de laser op de grens van water en lucht, zodat de laser in de stabiele waterstraal wordt gekoppeld,en de hoge energiedichtheid in de waterstraal wordt gebruikt om materiaal te verwijderen.

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 2

 

 


 

Technische specificaties

 

Volume van de toonbank 300*300*150 400*400*200
Lineaire as XY Lineaire motor. Lineaire motor.
Lineaire as Z 150 200
Positioneringsnauwkeurigheid μm +/-5 +/-5
Herhaaldelijk positioneringsnauwkeurigheid μm +/-2 +/-2
Versnelling G 1 0.29
Numerieke besturing 3 as /3+1 as /3+2 as 3 as /3+1 as /3+2 as
Numerieke bedieningstype DPSS Nd:YAG DPSS Nd:YAG
Golflengte nm 532/1064 532/1064
Nominaal vermogen W 50/100/200 50/100/200
Waterstraal 40 tot 100 40 tot 100
drukbalk van het spuitstuk 50 tot 100 50-600
Afmetingen (machine) (breedte * lengte * hoogte) mm 1445*1944*2260 1700*1500*2120
Grootte (controlekast) (W * L * H) 700*2500*1600 700*2500*1600
Gewicht (apparatuur) T 2.5 3
Gewicht (controlekast) kg 800 800

Verwerkingsvermogen

Ruwheid van het oppervlak Ra≤1,6um

Openingssnelheid ≥ 1,25 mm/s

Besnijden van de omtrek ≥ 6 mm/s

Linieuze snij snelheid ≥ 50 mm/s

Ruwe oppervlakte Ra≤1,2 mm

Openingssnelheid ≥ 1,25 mm/s

Besnijden van de omtrek ≥ 6 mm/s

Linieuze snij snelheid ≥ 50 mm/s

 

Voor galliumnitridekristal, ultrabreedbandgap halfgeleidermaterialen (diamant/gallioxide), speciale materialen voor de luchtvaart, LTCC-koolstofkeramisch substraat, fotovoltaïsche,verwerking van scintillatorkristallen en andere materialen.

Opmerking: de verwerkingscapaciteit varieert afhankelijk van de materiaalkenmerken

 

 

 


 

Technisch toepassingsgebied

 

Halfgeleiderveld

 

 

Het siliciumcarbide-balk is rond.

 

De "zachte" bewerkingsbenadering van de Microjet lasertechnologie (LMJ) voldoet aan de toenemende kwaliteitseisen voor het snijden, grooven en snijden van gevoelige halfgeleidermaterialen,het bereiken van gladde verticale snijkanten, waarbij de breuksterkte van het materiaal behouden blijft en het risico op breuk aanzienlijk wordt verminderd.

 

Kenmerken:
De thermische schade is bijna verwaarloosbaar.
De verwerkingskosten per uur bedragen 55% van de traditionele verwerkingstechnologie;
De opbrengst bedraagt meer dan 99%;
De arbeidskosten zijn een tiende van wat ze nu zijn.

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 3

Lasersnijwerk op siliciumcarbideceramica

 

 

 

 

 

Wafersnij


Kenmerken:
Een 6-inch single wafer vermindert de totale substraatkosten met 35%; 8 keer efficiënter
FRT-topografieonderzoek BOW=1,4μm
AFM-oppervlakteproef Ra=0,73μm
CMP kan direct op het oppervlak van de wafer worden uitgevoerd

Opmerking: Microjetlaser kan worden gebruikt voor het op maat snijden van substraatdikte ≥ 250 μm

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 4

Wafers in stukken quality

 

 

 

 

Snijden/schrijven van gallioxide

 

Voor breekbare materialen wordt de microjetlaser toegepast zonder mechanische spanning of ultrahoge energie, waardoor het probleem van materiaalkraken tijdens de verwerking beter kan worden opgelost.

Snijden met galliumoxide zonder rand ineenstorting, geen scheuren, geen gallium ionen vanwege hoge temperatuur vloeistofhouding.

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 5

Gallium-oxide-wafers met een kwaliteit van

 

 

 

 

 

LTCC-keramisch substraatveld

 

 

De geavanceerde technologie van de microjetlaser is op dit gebied onvervangbaar en kan nauwkeurig voldoen aan de ultra-hoge indexvereisten van de conische, ronde,plaatsing en vlakheid van de sondegaten, en vermijdt de verwerkingsfouten van meerlaagse heterogene materialen.

 

 

Micro-jetlaserapparatuur voor het afronden van siliconcarbide-wafers en het afsplitsen van wafers op basis van silicium 6

LTCC Verwerking van keramisch substraat

 

 

 

 


 

ZMSH dienst

ZMSH biedt diensten op het gebied van microfluïde laserapparatuur die de volledige cyclus ondersteunen, waaronder:


1) Ontwerp van een op maat gemaakte apparatuurregeling (geschikt voor SiC/GaN en andere materiaalprocessen);
2) Diensten voor procesontwikkeling en parameteroptimalisatie (snij/boren/etsen en andere procespakketten leveren);
3) 24/7 afstandsbewaking en snel onderhoud (ondersteuning van het reservedelenmagazijn voor belangrijke onderdelen);
4) Technische opleiding (inclusief certificering van de werking van de cleanroom);
5) Opwaardering van apparatuur (zoals integratie van femtoseconde lasermodules).

 

 


 

V&A

 

1V: Waarvoor wordt microjetlasertechnologie gebruikt bij de vervaardiging van halfgeleiders?
A: Het maakt ultra-precieze, laag beschadigende snijden en boren van broze materialen zoals SiC/GaN-wafers mogelijk, met sub-micron nauwkeurigheid en bijna nul thermische impact.

 

 

2. V: Hoe vergelijkt microjet laser zich met traditionele lasercissing?
A: Het elimineert warmte-geaffecteerde zones (HAZ) en randsplintering terwijl het hogere snelheden behoudt, ideaal voor geavanceerde verpakkingen en dunne waferverwerking.

 

 


Tag: #Microjet laserapparatuur, #High energy pulsed laser, #Chip microhole, #TSV verwerking, #LASER MICROJET (LMJ), #Wafer dicing, #Metallic composite, #Microjet laser technologie