Aangepaste SiC-tray: CVD SiC SSiC Vlak gegroefd Hoge thermische geleidbaarheid Lage thermische uitzettingscoëfficiënt

Productinformatie

Een Silicon Carbide (SiC) Tray is een hoogwaardige precisiekeramische drager die is ontworpen voor de verwerking van halfgeleiderwafers, hoge temperatuur thermische verwerking, CVD / PECVD-systemen, vacuümovens,en andere veeleisende industriële omgevingen.

De belangrijkste functies zijn onder meer:

• Ondersteunende wafers en procesonderdelen
• Positionering van wafers tijdens de verwerking
• Waferoverdracht en -behandeling
• Ondersteunende onderdelen tijdens hoogtemperatuurprocessen
• met een breedte van niet meer dan 50 mm

Ons publiek beschikbare SiC-waferbakproduct is ontworpen voor de verwerking van halfgeleiderwafers, CVD/PECVD-systemen, vacuümovens en industriële toepassingen bij hoge temperaturen.Afhankelijk van de toepassing, kan CVD-SiC of SSiC van hoge zuiverheid worden gebruikt.





Vervaardigingsproces
 

      Het productieproces varieert afhankelijk van het SiC-materiaalsysteem en de toepassingsvereisten.
 

1. Selectie en bereiding van grondstoffen
CVD SiC, SSiC of een ander geschikt SiC-materiaal wordt geselecteerd op basis van de zuiverheids- en toepassingsvereisten.

↓

2. Vorming / Voorbereiding van de vorm

↓

3. Sinteren / verdichten

↓

4. Precisiebewerking
CNC-bewerking en slijpen worden gebruikt om de vereiste afmetingen, montagegaten, gleufjes en structurele kenmerken te bereiken.

↓

5. slijpen / polijsten
De functionele oppervlakken kunnen volgens de toepassingsvereisten nauwkeurig worden gemalen, gelappeerd of gepolijst.

↓

6. Schoonmaak en inspectie

↓

7Beschermende verpakking en verzending
      Onze openbare productinformatie identificeert vorming, sinteren en precisie-CNC-bewerking als onderdeel van de productieprocedure en vermeldt ook precisie slijpen/polijsen als beschikbare afwerkingsmethoden.



Belangrijkste kenmerken

1Uitstekende hoge temperatuurstabiliteit
SiC-bakken zijn geschikt voor verwerkingsomgevingen met hoge temperaturen en kunnen de structurele stabiliteit onder veeleisende thermische omstandigheden behouden.Uw gepubliceerde productgegevens geven een werktemperatuur van≤ 1600°C, hoewel de werkelijke temperatuurcapaciteit afhankelijk is van de specifieke SiC-kwaliteit en de procesomgeving.

2Uitstekende warmtegeleiding.
      SiC biedt een hoge thermische geleidbaarheid en bevordert een efficiënte warmteoverdracht en een gelijkmatiger temperatuurdistributie.     
                                                                                                                       

3Uitstekende weerstand tegen thermische schokken
     Het is zeer geschikt voor toepassingen waarbij herhaalde opwarm- en koelcycli nodig zijn.
 

4. Hoge mechanische sterkte
      SiC-keramiek biedt een hoge mechanische sterkte en stijfheid en helpt om de dimensionale stabiliteit te behouden tijdens langdurige werking bij hoge temperaturen.
 

5. Chemische & Plasma Resistentie
      SiC biedt een goede chemische stabiliteit en weerstand in veeleisende halfgeleideromgevingen met corrosieve gassen en plasma.
 

6. Precisiebewerking
      Het dienblad kan volgens de tekeningen van de klant worden bewerkt, met inbegrip van afmetingen, gleufpunten, gaten en complexe structuren, met slijpen of polijsten volgens de toepassingsvereisten.

 7. Volledig aanpasbaar

• Diameter

• Dikte

• Spelletjes

• Montagegaten

• Structuur

• Oppervlakte afwerking

Uw publieke productpagina ondersteunt expliciet OEM/ODM-aanpassingen op basis van tekeningen van klanten of toepassingsvereisten.


- Ik weet het niet.
Belangrijkste specificaties

We kunnen materialen selecteren op basis van de eisen van de klant met betrekking tot temperatuur, atmosfeer, zuiverheid en besmetting.


Toepassingen
1.Vervaardiging van halfgeleiders:
Gebruikt voor waferondersteuning, vervoer, overdracht en hoogtemperatuursemiconductorverwerking.

2.CVD / PECVD Verwerking:
      Geschikt voor CVD- en PECVD-verwerkingssystemen.

3.Diffusie, oxidatie en glooiing:
      Gebruikt bij waferdifusie, oxidatie en hoge temperatuur gloeiprocessen.

4.RTP / Epitaxiale verwerking
      Toepasbaar op geselecteerde RTP- en epitaxiale verwerkingssystemen.

5.LED & opto-elektronica
      Toepassingen zijn onder meer saffier wafer verwerking, LED epitaxy drager systemen, en hoogtemperatuur substraat ondersteuning.

6.Vacuüm & thermische oven
      Gebruikt als hoogtemperatuur sinterbakken, vacuümoven dragers en thermische verwerking armaturen.

7.Poedermetallurgie en geavanceerde materialen
      Naast halfgeleidertoepassingen kunnen SiC-bakken ook worden gebruikt in poedermetallurgie, geavanceerde keramische sintering en thermische verwerking van batterijmateriaal.

Veelgestelde vragen
Q1. Waar wordt een SiC-bak voor gebruikt?
      Het wordt hoofdzakelijk gebruikt voor het ondersteunen, dragen, plaatsen en verwerken van wafers of andere componenten in hoogtemperatuur halfgeleiderprocessen zoals CVD, PECVD, diffusie, oxidatie, gluren en RTP.

Q2. Kan de SiC Tray aangepast worden?
      Afmetingen, dikte, vorm, slotgeometrie, montage gaten en complexe structuren kunnen worden aangepast op basis van de tekeningen van de klant en de vereisten van de toepassing.

V3. Welke materialen zijn beschikbaar?
      Het gepubliceerde productassortiment omvat CVD SiC, SSiC en RBSiC. Het geschikte materiaal moet worden geselecteerd op basis van zuiverheid, bedrijfstemperatuur, procesatmosfeer,Verontreinigingsvereisten en kostendoelstellingen.

V4. Welke informatie is vereist voor een offerte?
      Materiaal + Grootte + Dikte + Structuur + Slot/Gat Details + Oppervlakte Afwerking + Tolerantie + Hoeveelheid + Toepassing + Bedieningstemperatuur
Voor niet-standaardproducten2D-tekening of 3D-CAD-bestandwordt sterk aanbevolen.

Q5. Wat is de maximale werktemperatuur?
      Uw huidige publieke SiC Tray productpagina specificeert een werktemperatuur van≤ 1600°CDe werkelijke bruikbare temperatuur dient te worden bevestigd op basis van de materiaalkwaliteit en de procesomgeving.

Q6. Kan het oppervlak gepolijst worden?
      Ja, volgens de toepassingsvereisten kan nauwkeurig slijpen of polijsten worden aangeboden.

Q7. Kunt u OEM/ODM leveren?
      Ja. OEM/ODM-aanpassingen worden ondersteund op basis van de tekeningen van de klant en de toepassingsvereisten.

V8. Waarom kies je voor SiC in plaats van kwarts of grafiet?
      SiC biedt voordelen in hoge temperatuurstabiliteit, mechanische sterkte, thermische prestaties en chemische stabiliteit.De selectie van het materiaal moet altijd gebaseerd zijn op het daadwerkelijke proces in plaats van ervan uit te gaan dat SiC universeel superieur is aan kwarts of grafiet..

  


Gerelateerde producten

                                               

Op maat gemaakte SiC-boten Verticale en horizontale waferdragers



                                              

Aluminiumceramische onderdelen voor halfgeleiderapparatuur