details van de producten

Huis PRODUCTEN

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Merknaam:	ZMSH
Modelnummer:	SiC-wafel HPSI
MOQ:	25
Prijs:	Fluctuates with market
Leveringstermijn:	2-4 weken
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Sjanghai, China

Polytype:

Reguliere 4H-SiC

Diameter:

4/6/8 inch beschikbaar

Dikte:

Standaardformaten zijn 350 μm, 500 μm en 650 μm

Weerstand:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (elektrische specificatie HPSI-kern)

Oppervlaktebehandeling:

Enkelzijdig/dubbelzijdig CMP-spiegelpolijsten

Micropipedichtheid:

Massaproductiekwaliteit ≤1 ea/cm²

Productomschrijving

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Markeringen:

sic wafeltje

sic substraat

het substraat van het siliciumcarbide

Verwante producten

4H-N SiC:SSP/DSP-polijst op maat van dikte beschikbare PV- en energieopslagomvormers

Krijg Beste Prijs

Hoogzuiver semi-isolerend SiC Wafer HPSI siliciumcarbidesubstraat voor stroom- en RF-apparaten

Krijg Beste Prijs

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje