4H Silicon Carbide Substrate voor Power Electronics, RF Devices en UV Optoelectronics Productoverzicht De...4H-SiC substraatis een hoog zuiverheid, single-crystal silicon carbide materiaal ontworpen ...Bekijk meer
Berichten van bezoekersVERLAAT EEN BERICHT
Nog geen commentaar
4H Siliciumcarbide Substraat voor Vermogenselektronica, RF-apparaten & UV-Opto-elektronica