details van de producten

Huis PRODUCTEN

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices

Merknaam:	ZMSH
Modelnummer:	2 tot 12 inch allemaal beschikbaar
MOQ:	5
Prijs:	by case
Leveringstermijn:	2-4 weken
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Plaats van herkomst:

China

Materiaal:

99.999% Al2O3

Industrie:

Geleid, optisch Glas, eli-klaar Wafeltje

Sollicitatie:

Het Semicondutorwafeltje, leidde Spaander, Optisch Glasvenster, Elektronische Keramiek

Kleur:

wit of rood of blauw

visie lichte overdraagbaarheid:

85%

advantagement:

hoge hardness9.0, slijtageweerstand

type:

Enig Kristal

Verpakking Details:

Vacuum-sealed containers met stikstofvulgrond in een klasse 100 milieu

Productomschrijving

Product Description

Our sapphire wafers are made of single crystal aluminum oxide (Al₂O₃) with a hexagonal lattice structure, commonly available in C-plane, A-plane, and R-plane orientations. With broad optical transparency from near-ultraviolet (190 nm) to mid-infrared, these wafers are ideal for optical components, infrared devices, high-strength laser windows, and mask materials. Sapphire’s high hardness, thermal stability, corrosion resistance, high melting point (2045°C), and excellent transparency make it a reliable material for demanding applications, though it requires precision processing.

For LED manufacturing, sapphire wafers are essential for high-quality GaN epitaxial growth, as their surface processing directly affects the brightness and uniformity of white, blue, and green LEDs. The minimal lattice mismatch between sapphire C-plane substrates and III-V/II-VI thin films ensures excellent alignment with high-temperature epitaxy processes, making sapphire wafers indispensable for advanced optoelectronic devices.

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices 0

Markeringen:

Zeer zuivere CVD SiC-ring voor halfgeleiderplasma-etsen met een diameter van 370 mm en een thermische geleidbaarheid van 120–200 W/m·K

Krijg Beste Prijs

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

Het Wafeltje van het galliumnitride

GaAs Wafeltje