Siliciumcarbide rechthoekig substraat SiC-chip voor geavanceerde elektronica

Productoverzicht:

Het rechthoekige substraat van siliciumcarbide (SiC) is een geavanceerd halfgeleidermateriaal met één kristal, ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne vermogenselektronica, opto-elektronische apparaten en hoogfrequente toepassingen. SiC staat bekend om zijn uitstekende thermische geleidbaarheid, grote elektronische bandafstand en uitzonderlijke mechanische sterkte, waardoor het ideaal is voor gebruik in extreme omgevingen, zoals hoge temperaturen, hoge spanning en hoge schakelfrequenties. Dit SiC-substraat wordt vaak gebruikt in R&D-laboratoria, de ontwikkeling van prototypen en de productie van gespecialiseerde apparaten.

Productieproces van siliciumcarbide (SiC) substraatchips

Bij de productie van siliciumcarbide (SiC)-substraten worden geavanceerde kristalgroeitechnieken gebruikt, zoals Physical Vapor Transport (PVT) of sublimatie. Het proces omvat:

• Voorbereiding van grondstoffen:Ultrazuiver SiC-poeder wordt voor sublimatie in een grafietkroes met hoge dichtheid geplaatst.

• Kristalgroei:Bij temperaturen boven de 2000°C sublimeert het SiC-materiaal en condenseert het opnieuw op een entkristal om een ​​grote SiC-bol met één kristal te vormen.

• Ingots snijden:Diamantdraadzagen worden gebruikt om de boule in dunne wafels of chips in rechthoekige vormen te snijden.

• Leppen en slijpen:Oppervlaktevlakking zorgt voor een uniforme dikte en verwijdert snijsporen.

• Chemisch-mechanisch polijsten (CMP):Het substraat is gepolijst tot een spiegelgladde afwerking, geschikt voor epitaxiale laagafzetting.

• Optionele doping:N-type of P-type doping is beschikbaar om de elektrische eigenschappen aan te passen aan de toepassingsbehoeften.

• Kwaliteitsborging:Rigoureuze tests van vlakheid, defectdichtheid en dikte garanderen naleving van halfgeleidernormen.

Materiaaleigenschappen van siliciumcarbide (SiC)

SiC is voornamelijk verkrijgbaar in 4H-SiC- en 6H-SiC-kristalstructuren, elk geoptimaliseerd voor specifieke toepassingen:

• 4H-SiC:Biedt een hogere elektronenmobiliteit en is ideaal voor hoogspanningsvermogenselektronica zoals MOSFET's en Schottky-diodes.

• 6H-SiC:Ideaal voor RF- en microgolftoepassingen en biedt minder vermogensverlies bij hoogfrequente toepassingen.

De belangrijkste voordelen van SiC-substraten zijn onder meer:

• Brede bandbreedte:Ongeveer 3,2–3,3 eV, wat een hoge doorslagspanning en efficiëntie in voedingsapparaten biedt.

• Thermische geleidbaarheid:3,0–4,9 W/cm·K, wat zorgt voor een uitstekende warmteafvoer bij energietoepassingen.

• Mechanische sterkte:Mohs-hardheid van ~9,2, waardoor SiC zeer goed bestand is tegen slijtage.

Toepassingen van siliciumcarbide (SiC) rechthoekige substraatchips

• Vermogenselektronica:Ideaal voor MOSFET's, IGBT's en Schottky-diodes die worden gebruikt in aandrijflijnen van elektrische voertuigen, energieopslagsystemen en stroomconversie.

• Hoogfrequente en RF-apparaten:Perfect voor radarsystemen, satellietcommunicatie en 5G-basisstations.

• Opto-elektronica:Geschikt voor UV-LED's, laserdiodes en fotodetectoren vanwege de uitstekende UV-transparantie.

• Lucht- en ruimtevaart en defensie:Maakt gebruik mogelijk in omgevingen die gevoelig zijn voor straling en hoge temperaturen.

• Academisch & Industrieel Onderzoek:Uitstekend geschikt voor het ontwikkelen van nieuwe materialen, prototypes en apparaten.

Technische specificaties:

Aanpassingsopties:

• Aangepaste afmetingen:Verkrijgbaar in verschillende maten en vormen, inclusief aangepaste rechthoekige formaten.

• Dopingprofielen:N-type of P-type doping beschikbaar voor elektrische prestaties op maat.

• Oppervlaktebehandelingen:Enkelzijdig of dubbelzijdig polijsten, evenals aangepaste epitaxiale lagen.

Verpakking en levering:

• Verpakking:Op maat gemaakte verpakkingsoplossingen om een ​​veilige levering te garanderen.

• Levertijd:Normaal gesproken binnen 30 dagen na orderbevestiging.

Veelgestelde vragen – Rechthoekige substraatchips van siliciumcarbide (SiC).

• Vraag 1: Waarom kiezen voor SiC-substraten boven traditioneel silicium?
  SiC biedt superieure thermische prestaties, hogere doorslagsterkte en aanzienlijk lagere schakelverliezen in vergelijking met silicium, waardoor het ideaal is voor toepassingen met hoog rendement en hoog vermogen.

• Vraag 2: Kunnen deze substraten worden voorzien van epitaxiale lagen?
  Ja, we bieden epi-ready en aangepaste epitaxie-opties voor toepassingen met hoog vermogen, RF of opto-elektronische apparaten.

• Vraag 3: Kunt u de afmetingen en doping aanpassen?
  Absoluut. Aangepaste formaten, dopingprofielen en oppervlaktebehandelingen zijn beschikbaar om aan specifieke toepassingsbehoeften te voldoen.

• Vraag 4: Hoe presteren SiC-substraten onder extreme omstandigheden?
  SiC-substraten behouden de structurele integriteit en elektrische stabiliteit bij temperaturen boven 600 °C, waardoor ze geschikt zijn voor zware omgevingen zoals de lucht- en ruimtevaart, defensie en industriële toepassingen met hoog vermogen.

Gerelateerde producten

Sic Siliciumcarbidesubstraat 5,0 * 5,0 mm Vierkant 6H-P Type Dikte 350 μm Nul Rang Dummy Rang