4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al2O3 voor LED en optische toepassingen

Overzicht

Onze 4-inch C-vlak SSP (Single Side Polished) saffiersubstraten zijn hoogzuivere, monocristallijn Al2O3 wafers ontworpen voor geavanceerde halfgeleider, opto-elektronica en optische toepassingen.met uitzonderlijke mechanische sterkteDeze wafers zijn ideaal voor epitaxiale groei van GaN, AlN en andere III-V of II-VI verbindingen die worden gebruikt in LED's, laserdioden,en optische componenten van hoge precisie.

Belangrijkste kenmerken

• High purity enkelkristallijn saffier (Al2O3)

• C-vlak oriëntatie (0001) met een strakke tolerantie van ±0,3°

• Eenzijdig gepolijst (SSP) oppervlak, voorkant Ra < 0,2 nm

• Uitstekende vlakheid en lage boog (< 15 μm)

• Hoge thermische en chemische stabiliteit voor ruwe omgevingen

• Aanpasbare as, diameter en dikte beschikbaar

Specificaties

Mechanische en thermische eigenschappen

• Mohs-hardheid: 9 (alleen na diamant)

• Thermische geleidbaarheid: 25 W/m·K

• Smeltpunt: 2045°C

• Een lage thermische uitbreiding zorgt voor dimensionale stabiliteit

Optische en elektronische eigenschappen

• Optische transparantie: 190 nm ∼ 5500 nm

• Brekingsindex: ~1.76

• Intrinsieke weerstand: 1E16 Ω·cm

• Uitstekende isolatie met een laag dielectriciteitsverlies

Toepassingen

• Substraat voor GaN, AlN en III-V of II-VI epitaxiale groei

• Productie van blauwe, groene en witte LED's

• Substraten voor laserdioden (LD)

• Infrarood (IR) optische componenten en ramen

• Hoogprecisie-optica en micro-elektronica

• SOS- (Silicium op saffier) en RFIC-apparaten

Waarom C-Plane Sapphire kiezen?

C-vlak saffier vertoont een hoge anisotropie, uitstekende krasbestandheid en een laag dielectriciteitsverlies, waardoor het ideaal is voor halfgeleiders, optische en micro-elektronische toepassingen.De kristallijne structuur maakt een hoge kwaliteit van epitaxiale groei met minimale raster mismatch voor GaN-gebaseerde LED's en andere dunne-film apparaten.

Verpakking en verzending

• Standaard verpakking voor schoonruimte (klasse 100), enkelvoudige wafer of cassette doos

• Vacuümverzegeld voor besmettingvrije levering

• Op aanvraag beschikbaar

Veelgestelde vragen

V:Wat is het verschil tussen SSP en DSP saffieren wafers?

A:SSP is eenzijdig gepolijst, geschikt voor epitaxiale groei aan de gepolijste kant; DSP is dubbelzijdig gepolijst en biedt ultravlakke oppervlakken aan beide kanten voor high-end optische toepassingen.

V:Kan de wafer aangepast worden?

A:Ja, we accepteren aangepaste diameters, diktes en asoriëntatie volgens de specificaties van de klant.

V:Wat zijn de gebruikelijke toepassingen van 4-inch C-vlak saffier wafers?

A:Ze worden veel gebruikt voor GaN-LED-substraten, laserdiode-substraten, IR-vensters, SOS-apparaten en andere opto-elektronica- of halfgeleidertoepassingen met hoge precisie.

Gerelateerde producten

4 inch Saffire Wafer C Plane Single / Double Side Gepolijst Al2O3 Single Crystal