details van de producten

Huis PRODUCTEN

Enkelkristal Vierkante Saffier Substraat (C-vlak, SSP) 10x10 mm Enkelzijdig Gepolijst

Merknaam:	ZMSH
MOQ:	10
Leveringstermijn:	2-4 weken
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Sjanghai

Materiaal:

Hoge zuiverheid >99,99%, éénkristal Al₂O₃

Dimensie:

10 × 10 mm

Dikte:

1 mm (andere diktes op aanvraag leverbaar)

Oriëntatie:

C-vlak (0001) tot M (1-100) 0,2° ± 0,1° uit

Roosterparameter:

a = 4,785 A, c = 12,991 A

Dikte:

30,98 g/cm3

Thermische expansiecoëfficiënt:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-as), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-as)

Diëlektrische sterkte:

4,8×10⁵ V/cm

Diëlektrische constante:

11,5 (‖C-as), 9,3 (⊥C-as) @ 1 MHz

Diëlektrische verliesraaklijn:

< 1×10⁻⁴

Thermische geleidbaarheid:

40 W/(m·K) bij 20°C

Polijsten:

Enkelzijdig gepolijst (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); achterkant fijngemalen Ra = 0,8–1,2 μm

Markeren:

SSP Saffier Substraat

Enkelkristal Vierkante Saffier Substraat

C-vlak Saffier Substraat

Productomschrijving

Enkristal vierkante saffier substraat (C-vlak, SSP) 10x10 mm Enkelzijdig Gepolijst

Vierkant Saffier Substraat (SSP) Productbeschrijving

Het Vierkante Saffier Substraat (SSP) is gemaakt van hoogzuiver (>99,99%) enkristal Al₂O₃, en biedt uitstekende mechanische sterkte, thermische stabiliteit en optische transparantie. Met C-vlak (0001) oriëntatie en enkelzijdig gepolijst (SSP) oppervlak, is het ideaal voor epitaxiale groei, GaN-gebaseerde LED-productie, optische componenten en hoge temperatuur- of vacuümtoepassingen.

Vierkant Saffier Substraat (SSP) Belangrijkste Specificaties

Parameter	Specificatie
Materiaal	Hoogzuiverheid >99,99%, Enkristal Al₂O₃
Afmeting	10 × 10 mm
Dikte	1 mm (andere diktes beschikbaar op aanvraag)
Oriëntatie	C-vlak (0001) tot M (1-100) 0,2° ± 0,1° afwijking
Lattice Parameter	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Dichtheid	3,98 g/cm³
Thermische Uitbreidingscoëfficiënt	6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-as), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-as)
Diëlektrische Sterkte	4,8×10⁵ V/cm
Diëlektrische Constante	11,5 (‖C-as), 9,3 (⊥C-as) @ 1 MHz
Diëlektrische Verliestangent	< 1×10⁻⁴
Thermische Geleidbaarheid	40 W/(m·K) bij 20°C
Polijsten	Enkelzijdig gepolijst (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); achterkant fijn geslepen Ra = 0,8–1,2 μm

Vierkant Saffier Substraat (SSP) Kenmerken & Voordelen

Uitzonderlijke chemische en thermische stabiliteit
Hoge optische transparantie en oppervlaktevlakkigheid
Laag diëlektrisch verlies en hoge thermische geleidbaarheid
Uitstekende mechanische hardheid en krasbestendigheid
Beschikbaar in aangepaste maten, oriëntaties en diktes

Vierkant Saffier Substraat (SSP) Toepassingen

GaN en AlN epitaxiale groei
LED en laserdiode productie
Optische en infrarood vensters
Hoogvermogen RF en microgolf apparaten
Onderzoek en halfgeleider testen

Markeringen:

het glas van de douanesaffier

saffiersubstraat

saffieroptica

Verwante producten

12-inch 300mm 4H-N 6H-N SiC Enkele Kristal Siliciumcarbide Wafer voor Vermogen & LED Apparaten

Krijg Beste Prijs

Kleine TGV-wafers met saffieren voor laboratoriumprototyping, MEMS-apparaten en optische micro-structuren

Krijg Beste Prijs

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

De draad zag machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje