

huis

ongeveer de v.s.

Bedrijfprofiel

fabrieksreis

kwaliteitscontrole

FAQ

producten

Het Wafeltje van het galliumnitride

Saffierwafeltje

Sic Substraat

Saffier Optische Vensters

IC-Siliciumwafeltje

Wire Saw Machine

Synthetische Saffierstaaf

Gesmolten Kwartsplaat

Saffierdelen

Synthetische Halfedelsteen

Halfgeleidermateriaal

LiNbO3 Wafeltje

Het Wafeltje van het indiumfosfide

ceramisch substraat

Laboratoriumomslag

GaAs Wafeltje

oplossingen

bloggen

contacteer ons

Het winkelen

citaat

Goede prijs online

details van de producten

Huis PRODUCTEN

Saffierwafeltje

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Merknaam:	ZMSH
MOQ:	10
Leveringstermijn:	2-4 weken
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Sjanghai

Materiaal:

Hoge zuiverheid >99,99%, éénkristal Al₂O₃

Dimensie:

10 × 10 mm

Dikte:

1 mm (andere diktes op aanvraag leverbaar)

Oriëntatie:

C-vlak (0001) tot M (1-100) 0,2° ± 0,1° uit

Roosterparameter:

a = 4,785 A, c = 12,991 A

Dikte:

30,98 g/cm3

Thermische expansiecoëfficiënt:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-as), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-as)

Diëlektrische sterkte:

4,8×10⁵ V/cm

Diëlektrische constante:

11,5 (‖C-as), 9,3 (⊥C-as) @ 1 MHz

Diëlektrische verliesraaklijn:

< 1×10⁻⁴

Thermische geleidbaarheid:

40 W/(m·K) bij 20°C

Polijsten:

Enkelzijdig gepolijst (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); achterkant fijngemalen Ra = 0,8–1,2 μm

Markeren:

SSP Sapphire Substrate

,

Single Crystal Square Sapphire Substrate

,

C-plane Sapphire Substrate

Productomschrijving

Single Crystal Square Sapphire Substrate (C-plane, SSP)10x10 mm Single Side Polished

Square Sapphire Substrate (SSP) Product Description

The Square Sapphire Substrate (SSP) is made from high-purity (>99.99%) single crystal Al₂O₃, offering excellent mechanical strength, thermal stability, and optical transparency. With C-plane (0001) orientation and single-side polished (SSP) surface, it is ideal for epitaxial growth, GaN-based LED production, optical components, and high-temperature or vacuum applications.

Square Sapphire Substrate (SSP) Key Specifications

Parameter	Specification
Material	High Purity >99.99%, Single Crystal Al₂O₃
Dimension	10 × 10 mm
Thickness	1 mm (other thicknesses available upon request)
Orientation	C-plane (0001) to M (1-100) 0.2° ± 0.1° off
Lattice Parameter	a = 4.785 Å, c = 12.991 Å
Density	3.98 g/cm³
Thermal Expansion Coefficient	6.66×10⁻⁶ /°C (‖C-axis), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-axis)
Dielectric Strength	4.8×10⁵ V/cm
Dielectric Constant	11.5 (‖C-axis), 9.3 (⊥C-axis) @ 1 MHz
Dielectric Loss Tangent	< 1×10⁻⁴
Thermal Conductivity	40 W/(m·K) at 20°C
Polishing	Single side polished (SSP), Ra < 0.3 nm (AFM); backside fine-ground Ra = 0.8–1.2 μm

Square Sapphire Substrate (SSP) Features & Benefits

Exceptional chemical and thermal stability
High optical transparency and surface flatness
Low dielectric loss and high thermal conductivity
Excellent mechanical hardness and scratch resistance
Available in custom sizes, orientations, and thicknesses

Square Sapphire Substrate (SSP) Applications

GaN and AlN epitaxial growth
LED and laser diode manufacturing
Optical and infrared windows
High-power RF and microwave devices
Research and semiconductor testing

Markeringen:

het glas van de douanesaffier

saffiersubstraat

saffieroptica

Verwante producten

Single Crystal Sapphire Substrates 2

Single Crystal Sapphire Substrates 2", 3", 4", and 6" for LED , Optical and Semiconductor Applications

Krijg Beste Prijs

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Krijg Beste Prijs