4H-N-type SiC-substraat 10x10 mm wafer voor elektronica

4H-N Type SiC Substraat 10×10mm Kleine Wafer Aanpasbare Vorm & Afmetingen

De SiC 10×10 kleine wafer is een hoogwaardig halfgeleiderproduct ontwikkeld op basis van siliciumcarbide (SiC), een halfgeleidermateriaal van de derde generatie. Vervaardigd met behulp van Physical Vapor Transport (PVT) of High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD) processen, biedt het twee polytype opties: 4H-SiC of 6H-SiC. Met een maattolerantie gecontroleerd binnen ±0,05 mm en een oppervlakteruwheid Ra < 0,5 nm, is het product verkrijgbaar in zowel N-type als P-type gedoteerde versies, met een weerstandsbereik van 0,01-100Ω·cm. Elke wafer ondergaat strenge kwaliteitsinspecties, waaronder röntgendiffractie (XRD) voor het testen van de roosterintegriteit en optische microscopie voor het detecteren van oppervlaktedefecten, om te voldoen aan de kwaliteitsnormen voor halfgeleiders.

SiC Substraat 10×10mm Technische Specificatie

SiC Substraat 10×10mm Belangrijkste Technische Kenmerken

• Uitzonderlijk Thermisch Management: SiC Substraat 10×10mm thermische geleidbaarheid tot 490 W/m·K, drie keer hoger dan silicium, waardoor de bedrijfstemperatuur van het apparaat aanzienlijk wordt verlaagd en de systeem betrouwbaarheid wordt verbeterd.

• Superieure Elektrische Eigenschappen: SiC Substraat 10×10mm doorslagveldsterkte van 2-4 MV/cm, tien keer die van silicium, ondersteunt werking bij hogere spanning; elektronenverzadigingsdrift snelheid bereikt 2×10^7 cm/s, waardoor het ideaal is voor hoogfrequente toepassingen.

• Extreme Omgevingsaanpasbaarheid: SiC Substraat 10×10mm behoudt stabiele prestaties bij temperaturen tot 600°C, met een lage thermische uitzettingscoëfficiënt van 4,0×10^-6/K, wat zorgt voor dimensionale stabiliteit onder hoge temperatuuromstandigheden.

• Uitstekende Mechanische Prestaties: Vickers hardheid van 28-32 GPa, buigsterkte van meer dan 400 MPa en uitzonderlijke slijtvastheid, SiC Substraat 10×10mm biedt een levensduur die 5-10 keer langer is dan conventionele materialen.

• Aanpassingsdiensten: SiC Substraat 10×10mm op maat gemaakte oplossingen beschikbaar voor kristaloriëntatie (bijv. 0001, 11-20), dikte (100-500μm) en doteringsconcentratie (10^15-10^19 cm^-3) op basis van de eisen van de klant.

---

 

SiC Substraat 10×10mm Kern Toepassingsgebieden

 

1. Nieuwe Energie Voertuig Aandrijflijnen: SiC substraat 10×10mm wordt gebruikt in automotive-grade SiC MOSFET's en diodes, waardoor de efficiëntie van de omvormer met 3-5% wordt verbeterd en de actieradius van EV's wordt verlengd.

 

 

2. 5G Communicatie Infrastructuur: SiC substraat 10×10mm dient als substraat voor RF-vermogensversterkers (RF PA), ondersteunt millimetergolfband (24-39 GHz) toepassingen en vermindert het stroomverbruik van basisstations met meer dan 20%.

 

 

3. Slimme Grid Apparatuur: SiC substraat 10×10mm toegepast in hoogspanningsgelijkstroom (HVDC) systemen voor solid-state transformatoren en stroomonderbrekers, waardoor de energie-overdrachtsefficiëntie wordt verbeterd.

 

 

4. Industriële Automatisering: SiC substraat 10×10mm maakt industriële motoraandrijvingen met hoog vermogen mogelijk met schakelfrequenties van meer dan 100 kHz, waardoor de apparaatgrootte met 50% wordt verminderd.

 

 

5. Lucht- en Ruimtevaart Elektronica: SiC substraat 10×10mm voldoet aan de betrouwbaarheidseisen voor satellietvoedingssystemen en vliegtuigmotormanagementsystemen in extreme omgevingen.

 

 

6. High-End Opto-elektronische Apparaten: SiC substraat 10×10mm ideaal substraatmateriaal voor UV-LED's, laserdiodes en andere opto-elektronische componenten.