LNOI Lithium Niobate Thin-Film Wafers 4 inch 6 inch 8 inch X-cut Y-cut Z-cut Orientaties

LNOI Lithium Niobate Thin-Film Wafers 4 inch 6 inch 8 inch X-cut Y-cut Z-cut Orientaties

LNOI (Lithium Niobate on Insulator) wafers zijn geavanceerde fotonische platformen op basis van ultradunne lithium niobate (LiNbO3) -films (300~900 nm) die zijn gebonden aan isolatiesubstraten (bijv. silicium, saffier,Het gebruik van de methode is echter beperkt tot het gebruik van een andere methode..

De belangrijkste voordelen zijn:
· Flexible afmetingen: aanpasbare wafers van 48 cm met een afstembare filmdikte (standaard 600 nm, schaalbaar op micro-schaal).

• Heterogene integratie: Compatibel met silicium, nitride en glas voor monolithische integratie van elektro-optische modulatoren, kwantumlichtbronnen, enz.

· ZMSH-diensten: Waferontwerp, optimalisatie van het bindproces, fabricage op waferniveau (fotolithografie, etsen, metallisatie) en turnkey-oplossingen voor prototyping tot massaproductie.

Specificatie voor X-cut Lithium Niobate op Isolator (LNOI) wafers

Belangrijkste kenmerken vanLNOI wafers

- Ik weet het niet.1. Materiële eigenschappenDe Commissie:

• Een hoge elektro-optische coëfficiënt (r33 ≈ 30 pm/V) en een breed transparantievenster (0,35 μm), waardoor toepassingen van UV naar MIR mogelijk zijn.

· Ultralage golfgeleiderverlies (< 0,3 dB/cm) en hoge niet-lineariteit voor hoge snelheidsmodulatie en kwantumfrequentieconversie.

2. Het is niet goed.Procesvoordelen De Commissie:

· Films onder de 300 nm verminderen het modaal volume en ondersteunen bandbreedte-modulatoren van > 60 GHz.

· Vermindering van de thermische uitbreidingsmismatch door middel van bindingsinterface-engineering (bijv. amorfe siliciumlagen).

- Ik weet het niet.3. Prestatievergelijking De Commissie:

· versus Silicon Photonics/InP: lager stroomverbruik (< 3 V halve golfspanning), hogere uitstervingsratio (> 20 dB) en 50% kleinere voetafdruk.

Primaire toepassingen vanLNOI wafers

1- Wat is er?Hoge snelheid optische communicatie De Commissie:

- Wat?Elektro-optische modulatoren.: 800 Gbps/1,6 Tbps modules met >40 GHz bandbreedte, 3x efficiëntie boven silicium.

- Ik weet het niet.- Coherente modules.: Heterogeen geïntegreerd met siliciumfotonica voor lage verliezen en hoge betrouwbaarheid op lange afstand.

- Ik weet het niet.2. Quantuminformatiesystemen De Commissie:

- Ik weet het niet.- Quantale lichtbronnen.: Geïntegreerde verstrengelde fotonenparegeneratoren voor quantumtoestandsmanipulatie op de chip.

- Wat?Quantum computer chips.: Gebruik LiNbO3's niet-lineariteit voor de fabricage van qubits en fouttolerante architecturen.

- Ik weet het niet.3. Sensoren en beeldvorming De Commissie:

- Ik weet het niet.- Terahertz detectoren.: Niet-cryogene beeldvorming met een resolutie van mm via EO-modulatie.

- Wat?Glasvezel gyroscopen.: High-precision inertial navigation voor de luchtvaart.

- Ik weet het niet.Optische computing en AI-versnelling De Commissie:

- Ik weet het niet.- Fotonische IC's.: Ultra-low-latency logische poorten en schakelaars voor parallelle AI-verwerking.

Diensten van ZMSH

1. Kerndiensten:

Wafer aanpassing: 4 ¢ 8 inch LNOI wafers met X-cut / Z-cut oriëntatie, MgO doping en begraven oxide laag dikte (50 nm ¢ 20 μm).

Heterogene integratie: binding met silicium, saffier of nitride voor hybride EO-optische chips (bijv. laser-modulator monolieten).

Vervaardigingsdiensten: 150 nm UV-lithografie, droge etsen, Au/Cr-metallisatie en verpakking/testen op waferniveau.

End-to-end ondersteuning: ontwerpsimulatie (PIC Studio tools), opbrengstoptimalisatie en full-scale productie.

2Technologische ontwikkelingen

Grotere wafers: overstap naar 8-inch LNOI voor kostenreductie en schaalbaarheid.

Ultra-dunne films: ontwikkelen van < 200 nm films om de absorptielimieten van korte golflengten te overwinnen (toepassingen in zichtbaar licht).

Hybride integratie: binding met III-V materialen (InP) voor laser-modulatorintegratie.

Smart Manufacturing: AI-gedreven optimalisatie van etserparameters om gebreken te verminderen (<1 defect/cm2).