Saffirafles 6'' Dia 150mm±0.1mm Dikte 1000um C-vlak

Saffier Wafer 6" Dia 150mm±0.1mm Dikte 1000um C-vlak 99.99% puur

Onze saffierwafers met een diameter van 6 inch zijn precisie-ontworpen enkelkristal Al₂O₃ substraten die zijn ontworpen voor veeleisende halfgeleidertoepassingen. Met strikte diametercontrole van 150,0±0,1 mm en een standaarddikte van 1000±15μm leveren deze C-vlak (0001) georiënteerde wafers uitzonderlijke prestaties voor:

• GaN-gebaseerde LED- en vermogensapparaatproductie
• Hoogfrequente RF-componenten
• Geavanceerde optische systemen

Specificaties

Toepassingen van Saffier Wafers

Saffier Wafers in Opto-elektronica

• Micro-LED-displays
• UV-sterilisatieapparaten
• Verlichting met hoge helderheid

Saffier Wafers in Vermogenselektronica

• GaN HEMTs voor 5G/6G
• EV-vermogensmodules
• Radarsystemen

Saffier Wafers in Opkomende Technologieën

• Quantum dot-apparaten
• MEMS-resonatoren
• Fotonische sensoren

BELANGRIJKSTE Kenmerken van Saffier Wafer

1. Superieure Thermische Prestaties van Saffier Wafers

• Hoge thermische geleidbaarheid: 35 W/m·K @25°C
• Lage CTE: 5,3×10⁻⁶/K (25-500°C)
• Bestand tegen thermische schokken: Bestand tegen ΔT >500°C

2. Optische Uitstekendheid van Saffier WafersBreedbandtransmissie: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm

• Minimale birefringentie:
• <3 nm/cm @633nmLaser-grade polish: PV
• <λ/4 @633nm3. Mechanische Robuustheid van Saffier Wafers

Extreme hardheid: 2000 HV (Mohs 9)Hoge buigsterkte: 700±50 MPa

• Young's modulus: 400 GPa
• 4. Productievoordelen van Saffier Wafers
• Diametercontrole: 150,0±0,1 mm (compatibel met 6" tools)

Dikte-opties: 430-1000μm beschikbaarRandprofilering: Gekerfd of laser-gemarkeerd volgens SEMI-standaarden

• Productieproces van Saffier Wafers
• 1. Orientatie: Lokaliseer nauwkeurig de positie van de saffierkristalstaaf op de snijmachine, om een nauwkeurige snijbewerking te vergemakkelijken 
• 2. Snijden: Snijd de saffierkristalstaaf in dunne wafers

3. Slijpen: Verwijder de schade laag veroorzaakt door het snijden en verbeter de vlakheid van de wafer

4. Afschuinen: Snijd de waferrand in een cirkelvormige boog om de mechanische sterkte van de waferrand te verbeteren en de defecten veroorzaakt door spanningsconcentratie te voorkomen

5. Polijsten: Verbeter de ruwheid van de wafer om de precisie van de epitaxiale wafer te bereiken

6. Reiniging: Verwijder de verontreinigingen op het waferoppervlak (zoals stofdeeltjes, metalen, organische verontreinigingen)

7. Kwaliteitsinspectie: De kwaliteit van de wafer (vlakheid, stofdeeltjes op het oppervlak, enz.) wordt geïnspecteerd met behulp van hoogprecisie testinstrumenten om aan de eisen van de klant te voldoen